01 產(chǎn)業(yè)鏈全景圖

02 存儲(chǔ)芯片兩大概念

02-1、DRAM 概述

DRAM 是計(jì)算芯片的 “臨時(shí)工作臺(tái)”—— 屬于斷電后數(shù)據(jù)會(huì)消失的易失性存儲(chǔ)，能直接對(duì)接 CPU、GPU 等核心計(jì)算芯片，專門存放每秒數(shù)十億次運(yùn)算中產(chǎn)生的臨時(shí)數(shù)據(jù)，相當(dāng)于計(jì)算過(guò)程中 “隨取隨用的快捷緩存”。

DRAM 芯片的結(jié)構(gòu)可拆解為三個(gè)核心部分，如同一個(gè)高效運(yùn)轉(zhuǎn)的 “數(shù)據(jù)存儲(chǔ)工坊”：

市場(chǎng)規(guī)模

TrendForce 數(shù)據(jù)顯示，2024 年全球 DRAM 市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到 958.63 億美元，同比增幅高達(dá) 84.83%，如同沉寂已久的存儲(chǔ)賽道按下 “加速鍵”，迎來(lái)強(qiáng)勢(shì)回暖。

競(jìng)爭(zhēng)格局及標(biāo)的

全球 DRAM 市場(chǎng)呈現(xiàn)典型的寡頭壟斷格局。據(jù) DRAMeXchange 與 TrendForce 數(shù)據(jù)，2024 年 SK Hynix、三星、美光三家企業(yè)合計(jì)拿下 97.49% 的市場(chǎng)份額，如同三足鼎立的巨頭聯(lián)盟，幾乎包攬了整個(gè)賽道的話語(yǔ)權(quán)。

全球存儲(chǔ)廠商在 DRAM 賽道全力提速，技術(shù)迭代按下快進(jìn)鍵：三星量產(chǎn)第六代 10nm 級(jí) 1c DRAM，同步交付 HBM4 樣品并鎖定 2026 年量產(chǎn)，如同賽道上的技術(shù)標(biāo)桿；美光推出全球首款 1γ 節(jié)點(diǎn) LPDDR5X 內(nèi)存樣品，成為旗艦機(jī) AI 應(yīng)用的性能基石；

國(guó)內(nèi)陣營(yíng)同樣亮眼，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)發(fā)布通過(guò) JEDEC 認(rèn)證的 DDR5（最高 8000Mbps）與 LPDDR5X 移動(dòng)端內(nèi)存（最高 10667Mbps），撐起消費(fèi)電子與服務(wù)器市場(chǎng)的升級(jí)骨架；華邦電子的 16nm 制程 8Gb DDR4 DRAM，則是適配工業(yè)與嵌入式領(lǐng)域的耐用拼圖。

發(fā)展方向-HBM

AI 發(fā)展帶動(dòng)芯片行業(yè)擴(kuò)容，大模型計(jì)算量激增，傳統(tǒng)帶寬與占 GPU 面積 60% 的緩存存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，成為制約 GPU 性能釋放的關(guān)鍵瓶頸。

HBM 作為基于3D 堆疊與硅通孔（TSV）技術(shù)的高性能 DRAM，憑借高帶寬、低延遲特性減少傳輸損耗，破解芯片性能桎梏。

全球 HBM 市場(chǎng)增長(zhǎng)迅猛，據(jù) Market Research Future 數(shù)據(jù)，2024 年市場(chǎng)規(guī)模 56.1 億美元，預(yù)計(jì) 2034 年達(dá) 570.9 億美元，2024-2034 年復(fù)合增長(zhǎng)率 26.1%，是存儲(chǔ)賽道增長(zhǎng)黑馬。

該領(lǐng)域技術(shù)門檻高，僅 SK hynix、三星、美光三家具備穩(wěn)定量產(chǎn)能力。其中 SK hynix 優(yōu)勢(shì)突出，率先推出 HBM3E 并推進(jìn) HBM4 研發(fā)；Counterpoint 數(shù)據(jù)顯示，2025Q2 其以 62% 份額領(lǐng)跑，美光、三星分占 21%、17%。

2023-2025 年，HBM 在 DRAM 市場(chǎng)的滲透率爬坡提速：2023 年產(chǎn)量、營(yíng)收占比僅為 2%、8%；2025 年預(yù)計(jì)躍升至 10%、30%。

02-2、存儲(chǔ)：NAND Flash

NAND Flash 是主打數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的非易失性存儲(chǔ)器，依靠電荷的存儲(chǔ)與釋放完成數(shù)據(jù)讀寫。不同于 DRAM、SRAM 這類 “臨時(shí)記事本”，它斷電后仍能保存數(shù)據(jù)，同時(shí)兼具大容量、低成本的核心優(yōu)勢(shì)。

數(shù)據(jù)顯示，2023-2024 年全球 NAND Flash 市場(chǎng)規(guī)模分別達(dá) 387.3 億美元、656.4 億美元，賽道擴(kuò)容趨勢(shì)明確。

2024 年市場(chǎng)份額高度集中，前五企業(yè)如同劃定行業(yè)版圖的核心玩家：三星以 35.7% 的份額領(lǐng)跑，SK Group、鎧俠、美光、閃迪依次以 21.3%、14.4%、12.9%、11.0% 的占比緊隨其后，共同瓜分市場(chǎng)主流份額。

國(guó)內(nèi)外企業(yè)在 NAND Flash 賽道全力沖刺，技術(shù)與產(chǎn)品創(chuàng)新接連突破。

國(guó)外陣營(yíng)中，三星 2024 年量產(chǎn)全球首款 1Tb V-NAND Flash，同年完成 400 層產(chǎn)品開(kāi)發(fā)并計(jì)劃 2025 年量產(chǎn)；SK 海力士 2025 年量產(chǎn) 321 層 2Tb QLC NAND Flash，實(shí)現(xiàn)傳輸速度翻倍、讀寫性能與能效大幅躍升。

國(guó)產(chǎn)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)、江波龍、佰維存儲(chǔ)聚焦技術(shù)架構(gòu)、細(xì)分場(chǎng)景與核心環(huán)節(jié)，加速實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn) NAND Flash 突圍。

03 國(guó)際龍頭公司

03-1、Micron（美光）

美光是全球存儲(chǔ)芯片賽道的老牌勁旅，1978 年創(chuàng)立于美國(guó)，始終聚焦存儲(chǔ)主業(yè)，產(chǎn)品矩陣覆蓋 DRAM、NAND Flash、NOR 內(nèi)存三大品類，如同為數(shù)據(jù)中心、消費(fèi)電子、汽車等多領(lǐng)域搭建數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的核心骨架。

2025 年公司營(yíng)收表現(xiàn)亮眼，實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入 373.78 億美元，同比增幅達(dá) 48.85%，2020-2025 年復(fù)合增長(zhǎng)率穩(wěn)定在 11.76%；盈利能力同步躍升，毛利率攀升至 39.79%，較上一年大幅提升 17.44 個(gè)百分點(diǎn)。

2024 年美光營(yíng)收主力：計(jì)算機(jī)互聯(lián)網(wǎng)（95.1 億，37.9%）、移動(dòng)業(yè)務(wù)（63.5 億，25.3%）。

2025 年聚焦存儲(chǔ)場(chǎng)景：云存儲(chǔ)（135.2 億，36.2%）成營(yíng)收主力，移動(dòng)與客戶端（118.6 億，31.7%）、數(shù)據(jù)中心（19.3%）、汽車及嵌入式（12.7%）同步增長(zhǎng)。

美光錨定 AI 行業(yè)巨頭，搭建定制化供應(yīng)橋梁。其 HBM3E 全面適配 NVIDIA Hopper、Blackwell 系列 GPU；同時(shí)聯(lián)合 NVIDIA 推出全球首款 SOCAMM 內(nèi)存模組，這款模塊化 LPDDR5X 解決方案，專為 NVIDIA GB300 Grace Blackwell Ultra 超級(jí)芯片量身打造。

此外，美光宣布終止 Crucial 品牌業(yè)務(wù)，計(jì)劃2026 年 2 月底前全面停售消費(fèi)級(jí)內(nèi)存及 SSD 產(chǎn)品，將釋放的產(chǎn)能與資源悉數(shù)投向 AI 數(shù)據(jù)中心、企業(yè)級(jí)市場(chǎng)等高利潤(rùn)領(lǐng)域，進(jìn)一步夯實(shí)高端存儲(chǔ)賽道的核心競(jìng)爭(zhēng)力。

03-2、SK 海力士

SK 海力士是全球頂尖半導(dǎo)體存儲(chǔ)供應(yīng)商，核心產(chǎn)品覆蓋 DRAM、NAND Flash、HBM 等品類。公司掌握領(lǐng)先 3D NAND 堆疊工藝，旗下 HBM3e 等產(chǎn)品是 AI GPU 的存儲(chǔ)核心，支撐生成式 AI 高算力需求，方案廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

2024 年公司營(yíng)收 454.71 億美元，同比大增 102.02%，2020-2024 年復(fù)合增長(zhǎng)率 11.59%；毛利率躍升至 48.08%，較上年提升 49.71 個(gè)百分點(diǎn)。

最新進(jìn)展

SK 海力士 HBM 布局清晰：2026-2028 推 16 層 HBM4，HBM4E 起供定制化方案（整合 GPU/ASIC 功能，提算力降功耗）；2029-2031 進(jìn) HBM5 時(shí)代。

當(dāng)前 12 層 HBM4 樣品帶寬達(dá) 2TB/s（較前代增 60%+），2025 下半年備量產(chǎn)；公司握超 50% HBM 份額，是 NVIDIA AI GPU 的 HBM3/HBM3E 獨(dú)家供應(yīng)商。

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04 【存儲(chǔ)芯片】核心龍頭

1、江波龍

公司亮點(diǎn)：核心優(yōu)勢(shì)是全產(chǎn)品線與全球化布局融合，構(gòu)建四大產(chǎn)品矩陣，適配消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)控制等場(chǎng)景。2024年?duì)I收174.6億元（同比增72.5%），境外營(yíng)收占比超70%，全球化渠道成效顯著。

未來(lái)布局發(fā)力高價(jià)值賽道：加速PCIe Gen 5.0 eSSD布局，拓展云計(jì)算領(lǐng)域；投資多地工廠強(qiáng)化封測(cè)能力，深耕三大品牌提升全球客戶忠誠(chéng)度，形成“產(chǎn)品+渠道+品牌”競(jìng)爭(zhēng)力。

2、兆易創(chuàng)新

公司亮點(diǎn)：國(guó)內(nèi)NOR Flash龍頭，全球市占率前三，產(chǎn)品線涵蓋NOR/NAND Flash及32位MCU。其“存儲(chǔ)+MCU”協(xié)同模式適配IoT、汽車電子等高增長(zhǎng)場(chǎng)景，工藝節(jié)點(diǎn)已推進(jìn)至55nm，并在車規(guī)級(jí)產(chǎn)品獲ASIL-D認(rèn)證。

未來(lái)布局：加速50nm以下NOR Flash量產(chǎn)，拓展1Gb以上大容量產(chǎn)品；深化與合肥長(zhǎng)鑫合作，布局自主制程DRAM（如17nm LPDDR4）；投資合肥代工產(chǎn)能，提升車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)份額，構(gòu)建“設(shè)計(jì)+生態(tài)+供應(yīng)鏈”國(guó)產(chǎn)化閉環(huán)。

3、北京君正

公司亮點(diǎn)：通過(guò)收購(gòu)ISSI成為國(guó)內(nèi)車載存儲(chǔ)領(lǐng)軍者，擁有完整的車規(guī)級(jí)DRAM/SRAM/Flash產(chǎn)品線。其芯片符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)，在智能座艙、ADAS領(lǐng)域具先發(fā)優(yōu)勢(shì)。

未來(lái)布局：研發(fā)LPDDR5、GDDR6等高帶寬車用DRAM，推進(jìn)北京與合肥測(cè)試中心建設(shè)；整合CPU與存儲(chǔ)技術(shù)，發(fā)力座艙SoC與存儲(chǔ)融合方案；拓展工業(yè)控制、AI邊緣計(jì)算市場(chǎng)，提升全球車規(guī)供應(yīng)鏈滲透率。

4、長(zhǎng)江存儲(chǔ)（未上市）

公司亮點(diǎn)：作為國(guó)產(chǎn)3D NAND領(lǐng)軍者，核心優(yōu)勢(shì)是自主技術(shù)與全產(chǎn)業(yè)鏈布局。獨(dú)創(chuàng)晶棧?Xtacking架構(gòu)，以雙晶圓鍵合實(shí)現(xiàn)工藝解耦，構(gòu)建技術(shù)壁壘。其3D NAND堆疊層數(shù)突破200層，2025年量產(chǎn)267層產(chǎn)品（單顆1TB），技術(shù)比肩國(guó)際巨頭。

未來(lái)布局：布局聚焦全鏈條：以207.2億元注冊(cè)資本推進(jìn)三期項(xiàng)目擴(kuò)產(chǎn)，夯實(shí)制造優(yōu)勢(shì)；產(chǎn)品覆蓋晶圓至SSD全系列，適配消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心等多元需求，加速國(guó)產(chǎn)替代。

5、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)（未上市）

公司亮點(diǎn)：深耕DRAM賽道，核心優(yōu)勢(shì)是技術(shù)迭代與產(chǎn)能規(guī)?；p突破。作為國(guó)內(nèi)少數(shù)量產(chǎn)DDR5、LPDDR5X的企業(yè)，DDR5速率達(dá)8000Mbps，LPDDR5X突破10667Mbps（功耗降20%-30%），達(dá)國(guó)際主流水平。2019-2024年產(chǎn)能從2萬(wàn)片/月升至20萬(wàn)片/月，復(fù)合增長(zhǎng)率58.5%。

未來(lái)布局：布局聚焦兩點(diǎn)：推進(jìn)產(chǎn)品向高代際迭代，覆蓋移動(dòng)終端、PC等場(chǎng)景；加碼北京、合肥基地建設(shè)，擴(kuò)建產(chǎn)線提升產(chǎn)能天花板，鞏固國(guó)內(nèi)DRAM核心地位。

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