半導(dǎo)體級(jí)石英砂（也稱高純石英砂）是制造半導(dǎo)體硅片、石英坩堝、石英玻璃等關(guān)鍵材料的重要原料，其純度要求極高，通常需達(dá)到 99.999%（5N）以上，某些雜質(zhì)元素（如 Al、Fe、Ti、Na、K、Li、B、P 等）含量需控制在 ppb（十億分之一）級(jí)別。其生產(chǎn)工藝復(fù)雜，主要包括以下幾個(gè)關(guān)鍵步驟：

一、原料選擇

優(yōu)質(zhì)天然石英礦：首選高純度、低雜質(zhì)的脈石英或水晶礦，如美國(guó)Spruce Pine礦（全球最優(yōu)質(zhì)來(lái)源之一）、中國(guó)江蘇東海、湖北蘄春等地的部分礦床。

雜質(zhì)控制：原料中金屬雜質(zhì)、晶格雜質(zhì)（如Al3?替代Si??）和包裹體含量必須極低。

二、物理提純（預(yù)處理）

1. 破碎與篩分
將原礦破碎至合適粒度（通常為0.1–1 mm），去除大顆粒雜質(zhì)。

2. 磁選
去除鐵磁性礦物（如赤鐵礦、磁鐵礦）。

3. 浮選
利用表面化學(xué)性質(zhì)差異，去除長(zhǎng)石、云母等硅酸鹽雜質(zhì)。

4. 擦洗與重選
去除表面附著物及密度不同的雜質(zhì)礦物。

三、化學(xué)提純（核心工藝）

1. 酸洗（Acid Leaching）

使用混合酸（如 HCl、HF、HNO?、H?SO?）在加熱條件下溶解金屬氧化物和表面雜質(zhì)。

HF 可有效去除硅酸鹽包裹體，但需嚴(yán)格控制用量以避免過(guò)度腐蝕石英晶格。

2. 高溫氯化（Chlorination / Halogen Purification）

在 800–1200°C 下通入 Cl?、HCl 或其他鹵素氣體，使金屬雜質(zhì)轉(zhuǎn)化為揮發(fā)性氯化物排出。

對(duì) Al、Fe、Ti、Ca、Mg 等雜質(zhì)特別有效。

3. 堿洗（可選）

用于去除部分鋁硅酸鹽，但可能引入 Na/K 雜質(zhì)，需謹(jǐn)慎使用。

四、高溫熔融/煅燒（熱處理）

在 >1500°C 的潔凈環(huán)境中煅燒，促使晶格缺陷修復(fù)、雜質(zhì)遷移或揮發(fā)。

有時(shí)采用 真空或惰性氣氛（如 Ar） 以防止再污染。

五、超凈清洗與包裝

使用超純水（UPW, 18.2 MΩ·cm）多次沖洗。

在 Class 10 或更高潔凈室中干燥、篩分、包裝，防止環(huán)境粉塵污染。

六、檢測(cè)與認(rèn)證

采用 ICP-MS（電感耦合等離子體質(zhì)譜）、GDMS（輝光放電質(zhì)譜）等手段檢測(cè)痕量元素。

滿足 SEMI（國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)）標(biāo)準(zhǔn)，如 SEMI C12、C38 等。

技術(shù)難點(diǎn)與壁壘

晶格雜質(zhì)難以去除：如 Al3? 替代 Si?? 形成 ? 結(jié)構(gòu)，需依賴原料本征純度。

包裹體控制：微米級(jí)礦物包裹體需通過(guò)精細(xì)選礦和高溫爆裂處理。

全流程潔凈控制：設(shè)備、管道、容器必須使用高純材料（如 PFA、石英、高純不銹鋼）。