截至3月31日11:01，科創(chuàng)半導體ETF華夏（588170）下跌2.07%，半導體設備ETF華夏（562590）下跌2.4%。

熱門個股方面，天岳先進領漲4.13%，新益昌上漲4.1%，艾森股份上漲0.47%;和林微納領跌8.36%，歐萊新材下跌7.80%，金宏氣體下跌6.93%。

流動性方面，科創(chuàng)半導體ETF華夏盤中換手4.4%，成交3.61億元；半導體設備ETF華夏盤中換手2.36%，成交5952.39萬元。

規(guī)模方面，科創(chuàng)半導體ETF華夏近1周規(guī)模增長1.41億元，實現(xiàn)顯著增長，新增規(guī)模領先同類；半導體設備ETF華夏最新規(guī)模達25.32億元。

資金流入方面，科創(chuàng)半導體ETF華夏最新資金凈流出2265.65萬元，拉長時間看，近21個交易日內(nèi)有13日資金凈流入，合計”吸金”3.32億元，日均凈流入達1580.35萬元；半導體設備ETF華夏最新資金凈流出1407.73萬元，拉長時間看，近21個交易日內(nèi)有11日資金凈流入，合計“吸金”1.64億元，日均凈流入達779.39萬元。

消息面上，三星電子已完成西安工廠工藝升級的第一階段，逐步淘汰了傳統(tǒng)的128層（V6）NAND閃存，并已開始量產(chǎn)236層（V8）產(chǎn)品。目前，三星電子正在籌劃進一步的升級，預計將于今年完成向286層（V9）NAND閃存的過渡。

招商證券指出，2026年一季度以來各類存儲產(chǎn)品價格環(huán)比急劇上漲，目前在能見度范圍內(nèi)今年存儲價格持續(xù)上漲可期，同時2026年全球新增供給有限，預計存儲緊缺趨勢將延續(xù)至2027年。在價格與需求共振情況下，今年海內(nèi)外存儲將迎來業(yè)績釋放大年，后續(xù)市場價格趨勢和各環(huán)節(jié)公司業(yè)績增長持續(xù)性是核心關注點。

相關ETF：科創(chuàng)半導體ETF華夏（588170）及其聯(lián)接基金（A類：024417；C類：024418）：跟蹤指數(shù)是科創(chuàng)板唯一的半導體設備主題指數(shù)，其中先進封裝含量在全市場中最高（約50%），聚焦于科技創(chuàng)新前沿的硬核設備公司。

半導體設備ETF華夏（562590）及其聯(lián)接基金（A類：020356；C類：020357），跟蹤中證半導體材料設備主題指數(shù)，其中半導體設備的含量在全市場指數(shù)中最高（約63%），直接受益于全球芯片漲價潮對“賣鏟人”（設備商）的確定性需求。