截至2026年2月26日 13:18，中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)(931743)強(qiáng)勢(shì)上漲1.63%，半導(dǎo)體設(shè)備ETF易方達(dá)(159558)上漲1.41%， 沖擊5連漲，盤中換手6%，成交3.17億元。

截至2月25日，半導(dǎo)體設(shè)備ETF易方達(dá)(159558)最新規(guī)模達(dá)53.35億元，創(chuàng)成立以來新高。半導(dǎo)體設(shè)備ETF易方達(dá)(159558)近12個(gè)交易日內(nèi)有7日資金凈流入，合計(jì)“吸金”3.24億元。

根據(jù)業(yè)內(nèi)消息，三星電子內(nèi)部已實(shí)現(xiàn)1c DRAM 80%的良率，這是在高溫環(huán)境下（熱測(cè)試）取得的最高良率，2025年第四季度其良率約為60-70%，如今已顯著提升，并有望在5月份左右達(dá)到90%。業(yè)內(nèi)人士進(jìn)一步表示，三星基于1c DRAM的HBM4的良率也有所提高，已接近60%，去年第四季度約為50%。

申萬(wàn)宏源證券指出，2025年電子行業(yè)以AI算力為增長(zhǎng)引擎、半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)需求為輔線，PCB、存儲(chǔ)、AI/GPU芯片、半導(dǎo)體設(shè)備零件等子板塊公司普遍表現(xiàn)亮眼。半導(dǎo)體市場(chǎng)景氣度局部復(fù)蘇，受AI及汽車電子滲透、消費(fèi)電子回暖、國(guó)產(chǎn)替代加速及先進(jìn)封裝技術(shù)升級(jí)驅(qū)動(dòng)。具體來看，AI驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)板塊盈利水平急速拉升，2025Q3大宗存儲(chǔ)行業(yè)需求轉(zhuǎn)旺，Q4營(yíng)收及利潤(rùn)環(huán)比高增；存儲(chǔ)價(jià)格在2025Q1觸底后企穩(wěn)回升，Q3末因AI服務(wù)器需求爆發(fā)及原廠產(chǎn)能傾斜導(dǎo)致供給失衡，價(jià)格持續(xù)上漲。

相關(guān)標(biāo)的：半導(dǎo)體設(shè)備ETF易方達(dá)（159558，A/C：021893/021894），緊密跟蹤中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)選取40只業(yè)務(wù)涉及半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體設(shè)備等領(lǐng)域的上市公司證券作為指數(shù)樣本，反映半導(dǎo)體材料和設(shè)備上市公司證券的整體表現(xiàn)。