最近內(nèi)存價(jià)格持續(xù)上漲，導(dǎo)致不少消費(fèi)者和DIY玩家們?cè)孤曒d道，大家普遍認(rèn)為”只要都不買(mǎi)，價(jià)格早晚會(huì)下來(lái)“。

殊不知，這次漲價(jià)不是市場(chǎng)情緒導(dǎo)致的，而是DRAM產(chǎn)能正在向高端HBM遷移，普通消費(fèi)級(jí)DRAM產(chǎn)能被瘋狂擠壓，價(jià)格自然就水漲船高。

眾所周知，如今AI的瓶頸正從算力轉(zhuǎn)向存儲(chǔ)，存儲(chǔ)系統(tǒng)并非只有HBM，AI SSD也同樣關(guān)鍵。

那么，會(huì)不會(huì)像內(nèi)存一樣，AI SSD也會(huì)沖擊消費(fèi)級(jí)SSD的價(jià)格呢？

首先我們先要來(lái)說(shuō)說(shuō)AI SSD在AI基礎(chǔ)設(shè)施里的作用是什么。

AI的新瓶頸：從算力到存儲(chǔ)

AI模型訓(xùn)練的瓶頸主要集中在GPU/TPU等算力設(shè)備上，模型規(guī)模是呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的，訓(xùn)練和推理對(duì)數(shù)據(jù)訪問(wèn)速度同樣也就越來(lái)越高，”算力飽和“已經(jīng)不再是唯一的瓶頸，存儲(chǔ)性能成為限制系統(tǒng)整體性能的新關(guān)鍵。

而存儲(chǔ)瓶頸又分為HBM和AI SSD，其中AI SSD需要超高性能的NVMe SSD，主要用于大模型上下文數(shù)據(jù)、KV cache、數(shù)據(jù)集加載；同時(shí)彌補(bǔ)GPU內(nèi)存不足，減少算力空閑等待。

特別是英偉達(dá)CEO黃仁勛這次在CES 2026上公開(kāi)指出，對(duì)于存儲(chǔ)來(lái)說(shuō)，這是一個(gè)目前完全沒(méi)有被滿足的市場(chǎng)，這個(gè)市場(chǎng)未來(lái)可能成為世界上最大的存儲(chǔ)市場(chǎng)，基本上承載著全球AI的工作內(nèi)存。

說(shuō)完這句話，隔夜美股閃迪、希捷、西部數(shù)據(jù)等硬盤(pán)制造商漲幅超14%。

資本市場(chǎng)也正在重新評(píng)估公司的估值邏輯：

從單純的”硬件賣(mài)方“轉(zhuǎn)變?yōu)椤盇I基礎(chǔ)設(shè)施提供商“。

存儲(chǔ)對(duì)于AI目前還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠

目前公開(kāi)最明確的高性能AI SSD項(xiàng)目是鎧俠和SK Hynix與Nvidia的合作。

鎧俠在2025年9月份就展示了一項(xiàng)面向GPU-Storage直連架構(gòu)的全新技術(shù)的原型：超高IOPS SSD仿真方案。

該方案解決了HBM內(nèi)存容量有限且成分本高，擴(kuò)展困難的問(wèn)題，鎧俠用超高性能SSD來(lái)緩解這一問(wèn)題，讓一部分高頻數(shù)據(jù)可以像訪問(wèn)內(nèi)存一樣快速?gòu)腟SD調(diào)用，從而減輕HBM內(nèi)存的壓力。

鎧俠的Big Accelerator Memory（BaM）框架可以讓GPU繞過(guò)CPU直接訪問(wèn)SSD數(shù)據(jù)從而降低延遲、提升帶寬利用率，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)鎧俠的BaM本質(zhì)上是一種存儲(chǔ)層級(jí)，主要負(fù)責(zé)將”穩(wěn)數(shù)據(jù)“和”冷數(shù)據(jù)“快速喚醒，將SSD作為GPU可以快速調(diào)用的”擴(kuò)展內(nèi)存層“。

鎧俠將在2026年發(fā)布基于PCIe 6.0、1億OPS的第二代XL-FLASH SSD，預(yù)計(jì)2027年推出100M IOPS的PCIe 7.0的第三代產(chǎn)品。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)鎧俠這項(xiàng)高達(dá)1億IOPS的超高IOPS SSD仿真方案就是為英偉達(dá)Vera Rubin準(zhǔn)備的，而100M IOPS的PCIe 7.0第三代產(chǎn)品則是為未來(lái)的Rubin Ultra做準(zhǔn)備。

Sk Hynix與Nvidia合作則更為激進(jìn)，有一個(gè)代號(hào)為”Storage Next“的聯(lián)合開(kāi)發(fā)項(xiàng)目，內(nèi)部稱(chēng)為AI-NP，目標(biāo)同樣是1億IOPS，海力士副總裁在2025年年末明確表示，這款產(chǎn)品目的就是消除AI推理時(shí)的IO瓶頸，性能目標(biāo)是主流企業(yè)級(jí)SSD的10倍。

預(yù)計(jì)將于2026年年末發(fā)布原型，并在2027年配合Rubin Ultra大規(guī)模量產(chǎn)，同時(shí)海力士也在嘗試類(lèi)似HBM的多通道堆疊技術(shù)引入NAND控制器，使其在邏輯上更是一個(gè)”無(wú)限容量的慢速內(nèi)存“。

AI SSD對(duì)消費(fèi)級(jí)SSD的影響

雖然企業(yè)級(jí)和數(shù)據(jù)中心對(duì)AI SSD的需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，但對(duì)消費(fèi)級(jí)SSD沖擊相對(duì)有限。

首先目前1TB到2TB容量的消費(fèi)級(jí)SSD受產(chǎn)能影響非常輕微，價(jià)格基本是非常穩(wěn)定的。

部分高端NAND產(chǎn)能可能優(yōu)先分配給AI SSD或大量容企業(yè)級(jí)SSD，特別是高性能型號(hào)會(huì)因?yàn)樯嫌尉A、材料或產(chǎn)線資源分配等問(wèn)題，大容量（4TB）消費(fèi)級(jí)SSD會(huì)出現(xiàn)輕微的價(jià)格浮動(dòng)，但不會(huì)像內(nèi)存價(jià)格那么夸張，主流的1TB-2TB容量消費(fèi)級(jí)SSD并不會(huì)收到AI SSD的影響，大容量高端NAND SSD收到的影響也非常有限。

內(nèi)存的上漲主要是HBM高端需求導(dǎo)致的產(chǎn)能緊張，而且HBM的良率極低（40%），生產(chǎn)1GB的HBM可能會(huì)浪費(fèi)掉生產(chǎn)3GB DDR5的晶圓面積，所以內(nèi)存必漲。

而SSD的情況不同，AI SSD主要是對(duì)控制器和PCIe通道的要求極高，并不會(huì)搶占主流消費(fèi)級(jí)的TLC/QLC顆粒。

雖然AI存儲(chǔ)瓶頸正成為數(shù)據(jù)中心關(guān)注的重點(diǎn)，企業(yè)級(jí)AI SSD也正在快速發(fā)展，但對(duì)消費(fèi)級(jí)SSD的沖擊有限，僅大容量和高新能型號(hào)會(huì)出現(xiàn)輕微的浮動(dòng)。

所以不用擔(dān)心SSD會(huì)像內(nèi)存那樣瘋狂的漲價(jià)，1-2TB主流容量SSD想買(mǎi)就買(mǎi)。