12月30日消息，晶圓代工龍頭大廠臺(tái)積電通過(guò)官網(wǎng)低調(diào)宣布，“臺(tái)積電的2nm（N2）技術(shù)已按計(jì)劃于2025 年第四季開(kāi)始量產(chǎn)”。

據(jù)介紹，N2工藝是臺(tái)積電首個(gè)采用全環(huán)繞柵極（Gate-all-around，GAA）納米片（Nanosheet）晶體管的制程節(jié)點(diǎn)，在性能和功耗方面實(shí)現(xiàn)了全節(jié)點(diǎn)提升。

根據(jù)臺(tái)積電公布的技術(shù)參數(shù)顯示，與前一代N3E 制程相較，N2 在相同功耗下可提升10% 至15% 的性能。若在相同性能下，則能耗降低25% 至30%。對(duì)于混合設(shè)計(jì)（包含邏輯、類(lèi)比與SRAM）而言，其晶體管密度可提升15%。而針對(duì)純邏輯設(shè)計(jì)，晶體管密度增幅更高達(dá)20%。

此外，臺(tái)積電還開(kāi)發(fā)了低電阻重分布層（RDL）和超高性能金屬-絕緣體-金屬（MiM）電容器，這項(xiàng)創(chuàng)新為供電網(wǎng)路提供了比前代設(shè)計(jì)高出兩倍以上的電容密度，同時(shí)將片電阻（Rs）與通孔電阻（Rc）各降低了50%。這些技術(shù)細(xì)節(jié)的改進(jìn)，直接轉(zhuǎn)化為更穩(wěn)定的供電、更卓越的運(yùn)算性能以及更優(yōu)化的整體能源效率。

臺(tái)積電表示，N2技術(shù)在密度和能效方面都將成為半導(dǎo)體行業(yè)最先進(jìn)的技術(shù)。憑借領(lǐng)先的納米片晶體管結(jié)構(gòu)，N2技術(shù)將帶來(lái)全節(jié)點(diǎn)性能和功耗優(yōu)勢(shì)，以滿足日益增長(zhǎng)的節(jié)能計(jì)算需求。通過(guò)我們持續(xù)改進(jìn)的戰(zhàn)略，N2及其衍生技術(shù)將進(jìn)一步鞏固臺(tái)積電的技術(shù)領(lǐng)先地位，并使其在未來(lái)很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)保持領(lǐng)先地位。

至于此次臺(tái)積電2nm率先量產(chǎn)的地點(diǎn)，原本外界普遍預(yù)期，臺(tái)積電會(huì)率先在緊鄰其全球研發(fā)中心的新竹寶山Fab 20 廠進(jìn)行N2 技術(shù)的量產(chǎn)，畢竟該廠區(qū)是2nm系列技術(shù)的研發(fā)大本營(yíng)。然而，根據(jù)最新的信息顯示，臺(tái)積電此次是在高雄的Fab 22 晶圓廠率先開(kāi)始量產(chǎn)2nm。

△臺(tái)積電Fab22

雖然Fab 20 廠預(yù)計(jì)也會(huì)隨后啟動(dòng)大規(guī)模生產(chǎn)，但高雄廠的“首發(fā)”地位，反映出臺(tái)積電在臺(tái)灣產(chǎn)能調(diào)配上的高度靈活性。

臺(tái)積電總裁魏哲家在今年10 月的法人說(shuō)明會(huì)上曾經(jīng)表示，N2 制程在本季進(jìn)展順利且良率良好，并預(yù)計(jì)在2026 年受益于智能手機(jī)與高性能計(jì)算（HPC）AI應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)，達(dá)成更快速的產(chǎn)能提升。

過(guò)去，臺(tái)積電在導(dǎo)入新制程時(shí)，通常會(huì)優(yōu)先針對(duì)移動(dòng)設(shè)備及小型消費(fèi)性電子產(chǎn)品進(jìn)行產(chǎn)能爬坡，因?yàn)檫@類(lèi)芯片尺寸較小，良率控制相對(duì)容易，但N2 制程打破了這項(xiàng)慣例。背景是因?yàn)槭袌?chǎng)對(duì)先進(jìn)制程的強(qiáng)烈需求，臺(tái)積電正同時(shí)針對(duì)智能手機(jī)，以及更大型的AI與HPC設(shè)計(jì)在新廠進(jìn)行產(chǎn)能提升。而且，臺(tái)積電同時(shí)啟動(dòng)兩座具備N(xiāo)2 生產(chǎn)能力的晶圓廠，反映出其眾多合作伙伴對(duì)此技術(shù)的高度興趣。

不過(guò)，2nm制程的量產(chǎn)只是開(kāi)始，臺(tái)積電已規(guī)劃好了清晰的后續(xù)路徑。接下來(lái)，做為N2 家族的延伸，臺(tái)積電將推出N2P 制程，在N2 的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化性能與功耗，預(yù)計(jì)于2026 年下半年量產(chǎn)。更受矚目的將是A16 制程，將首次導(dǎo)入臺(tái)積電的超級(jí)電軌（Super Power Rail，SPR）背面供電技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)特別適用于具有復(fù)雜信號(hào)路徑和密集電力傳輸網(wǎng)路的高性能運(yùn)算產(chǎn)品。目前，A16 的研發(fā)進(jìn)度亦符合預(yù)期，預(yù)計(jì)將于2026 年下半年進(jìn)入量產(chǎn)階段。

編輯：芯智訊-浪客劍