12月24日消息，半導(dǎo)體大廠英特爾（Intel）近日展示了其在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的最新研發(fā)成果，推出一系列以Intel 18A 與Intel 14A 等先進(jìn)節(jié)點(diǎn)制程的多芯粒（Multi-chiplet）產(chǎn)品概念。不僅展現(xiàn)了英特爾在Foveros 3D 與EMIB-T 先進(jìn)封裝技術(shù)上的突破，更傳遞出其希望在高性能計(jì)算（HPC）、人工智能（AI）及數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)與臺(tái)積電的CoWoS 封裝技術(shù)一決高下的信心。

英特爾本次技術(shù)展示的核心在于其精密且具高度擴(kuò)展性的先進(jìn)封裝構(gòu)架。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，英特爾將利用Intel 14A-E 節(jié)點(diǎn)制程提供突破性的邏輯性能，該制程同時(shí)采用了第二代RibbonFET晶體管與全新的PowerDirect 技術(shù)。而在基礎(chǔ)芯片部分，則采用Intel 18A-PT 制程，這是首款采用背面供電技術(shù)的基礎(chǔ)芯片，能顯著提升邏輯密度與電力供應(yīng)的可靠性。

此外，為了達(dá)到極致的垂直堆疊目標(biāo)，英特爾還導(dǎo)入了Foveros Direct 3D 技術(shù)，通過(guò)極細(xì)間距的混合鍵合（Hybrid Bonding）進(jìn)行精密3D 堆疊。而在多芯?；ミB方面，新一代的嵌入式多芯片互連橋接（EMIB-T）技術(shù)加入了硅穿孔（TSV）技術(shù)，可提供更高的帶寬，并整合更大規(guī)模的晶片組。

另外，英特爾還在展示視頻中披露了兩款極具前瞻性的概念設(shè)計(jì)，展現(xiàn)了其超越傳統(tǒng)光罩限制（Reticle Limit）的技術(shù)實(shí)力。其中在中階解決方案方面，可配備4個(gè)計(jì)算芯片與12個(gè)HBM。至于在旗艦解決方案方面，則是將規(guī)模擴(kuò)大到16個(gè)計(jì)算芯片與24個(gè)HBM ，并可配置多達(dá)48個(gè)LPDDR5X 控制器，極大化AI 與數(shù)據(jù)中心工作執(zhí)行所需的內(nèi)存密度。

而且，這些設(shè)計(jì)采用了類似“Clearwater Forest”的構(gòu)架，其基礎(chǔ)芯片負(fù)責(zé)搭載SRAM，并通過(guò)Foveros 3D 技術(shù)將頂層包含AI 引擎或CPU IP的計(jì)算芯片堆疊在上面。內(nèi)存支持方面，英特爾強(qiáng)調(diào)其封裝方案能無(wú)縫兼容目前的HBM3/HBM3E，以及未來(lái)的HBM4、HBM5 等新一代標(biāo)準(zhǔn)。

根據(jù)市場(chǎng)的分析，英特爾這次一系列展示動(dòng)作，無(wú)疑是向臺(tái)積電發(fā)出挑戰(zhàn)。臺(tái)積電目前已規(guī)劃9.5倍光罩尺寸的CoWoS 解決方案，并結(jié)合A16 制程，以及超過(guò)12個(gè)HBM4E （通過(guò)CoWoS-L）。

然而，英特爾表示，其封裝構(gòu)架具備超過(guò)12倍的光罩尺寸，顯示在規(guī)格上有意超越臺(tái)積電。英特爾還特別強(qiáng)調(diào)，雖然Intel 18A 制程主要用于其內(nèi)部產(chǎn)品，但I(xiàn)ntel 14A 節(jié)點(diǎn)制程則是專為外部客戶設(shè)計(jì)的。因此，英特爾目前正積極與產(chǎn)業(yè)伙伴建立多元生態(tài)系，目的是提供更快的上市時(shí)間與更具韌性的供應(yīng)鏈。

盡管英特爾過(guò)去在先進(jìn)封裝領(lǐng)域早有建樹(shù)，例如被視為工程奇跡的Ponte Vecchio 芯片，但受限于良率問(wèn)題與研發(fā)延遲，該產(chǎn)品并未取得商業(yè)化上的成功，隨后如Falcon Shores 等多項(xiàng)計(jì)劃也遭取消。因此，目前英特爾正試圖憑借Jaguar Shores，以及備受期待的Crescent Island AI GPU 卷土重來(lái)。

對(duì)英特爾而言，真正的考驗(yàn)在于能否成功爭(zhēng)取到第三方客戶的訂單。尤其在Intel 14A 技術(shù)與先進(jìn)封裝解決方案的加持下，英特爾似乎已準(zhǔn)備好重新回歸晶圓代工市場(chǎng)的頂尖賽局。

編輯：芯智訊-林子