臺(tái)積電在昨日舉辦的2026北美技術(shù)論壇上，公布了其直至 2029 年的通用制程技術(shù)路線圖。本次發(fā)布的核心亮點(diǎn)包括：名為A12與A13的1.2nm、1.3nm級(jí)制造工藝、對(duì)N2家族出人意料的延伸版本N2U，以及截至 2029 年暫無(wú)計(jì)劃在任何工藝節(jié)點(diǎn)使用高數(shù)值孔徑極紫外光刻（High-NA EUV）。而本次技術(shù)公告中最值得關(guān)注的一點(diǎn)，或許是臺(tái)積電正式確立了面向新一代工藝節(jié)點(diǎn)的多元化開(kāi)發(fā)策略。

臺(tái)積電業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)暨全球銷(xiāo)售資深副總裁、首席運(yùn)營(yíng)官助理張曉強(qiáng)(Kevin Zhang)表示：

“去年我們公布了 A14 工藝，作為第二代納米片晶體管技術(shù)，計(jì)劃于 2028 年量產(chǎn)?！?/p>

“今年我們將推出 A14 的衍生工藝，包括 A13 與 A12，兩者均計(jì)劃 2029 年量產(chǎn)。A13 是 A14 的漸進(jìn)式增強(qiáng)版，主要通過(guò)光學(xué)微縮實(shí)現(xiàn)，芯片面積可縮減約 6%，同時(shí)保持完整的設(shè)計(jì)規(guī)則與電氣兼容性，讓客戶(hù)只需極少的重新設(shè)計(jì)就能受益?！?/p>

改寫(xiě)行業(yè)游戲規(guī)則

過(guò)去，臺(tái)積電營(yíng)收的絕大部分來(lái)自智能手機(jī)行業(yè)，但近年來(lái) AI 與高性能計(jì)算（HPC）的增速已超越手機(jī)終端。這一點(diǎn)在公司規(guī)劃中體現(xiàn)得十分明顯：臺(tái)積電最新路線圖明確采用分岔式戰(zhàn)略，根據(jù)終端市場(chǎng)需求劃分先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)，而非追求 “一刀切” 方案。

據(jù)此，臺(tái)積電將采用全新的工藝發(fā)布策略：每年為消費(fèi)級(jí)終端推出一款新工藝，每?jī)赡隇橹匦?/b>AI與HPC應(yīng)用推出一款新工藝。

一方面，N2、N2P、N2U、A14、A13 等工藝面向智能手機(jī)與終端設(shè)備 —— 在這些領(lǐng)域，成本、能效、IP 復(fù)用至關(guān)重要，高度的設(shè)計(jì)兼容性備受歡迎；只要臺(tái)積電能每年推出新一代節(jié)點(diǎn)，小幅性能提升也可被接受。

另一方面，A16、A12 等節(jié)點(diǎn)面向 AI 與 HPC 應(yīng)用，必須提供顯著的性能提升以 justify 技術(shù)切換成本，成本則相對(duì)次要。這些節(jié)點(diǎn)將集成超級(jí)電源軌（SPR）背面供電架構(gòu)，以解決 AI 數(shù)據(jù)中心與 HPC 負(fù)載的供電完整性與電流傳輸限制，并帶來(lái)實(shí)打?qū)嵉男阅?、功耗與晶體管密度提升 —— 盡管發(fā)布節(jié)奏為兩年一代。

A13與N2U：面向消費(fèi)終端的全新節(jié)點(diǎn)

去年臺(tái)積電推出 A14 工藝，將采用第二代環(huán)繞柵極（GAA）納米片晶體管，借助 NanoFlex Pro 技術(shù)提供更強(qiáng)設(shè)計(jì)靈活性，預(yù)計(jì) 2028 年成為臺(tái)積電面向高端手機(jī)與終端設(shè)備的旗艦工藝。今年，臺(tái)積電宣布推出基于 A14 的 A13。

臺(tái)積電 A13 是 A14 的光學(xué)微縮版，旨在以最小改動(dòng)進(jìn)一步提升效率。A13 將線性尺寸縮小約 3%（至約 97% 比例），晶體管密度提升約 6%，同時(shí)與 A14 保持完全兼容的設(shè)計(jì)規(guī)則與電氣特性。從多個(gè)角度看，A13 延續(xù)了臺(tái)積電長(zhǎng)期以來(lái)的光學(xué)微縮傳統(tǒng)（如 N12、N6、N4、N3P），只是此前這類(lèi)工藝通常能帶來(lái)更顯著的收益。該方案讓臺(tái)積電客戶(hù)可幾乎無(wú)需重新設(shè)計(jì)就能復(fù)用現(xiàn)有 IP，只是性能提升相對(duì)有限。

A14 將實(shí)現(xiàn)全節(jié)點(diǎn)級(jí)的功耗、性能與密度升級(jí)，但芯片與 IP 設(shè)計(jì)者必須采用全新工具、IP 與設(shè)計(jì)方法才能釋放其潛力。相比之下，A13 通過(guò)設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO）實(shí)現(xiàn)漸進(jìn)式提升，且無(wú)需更改任何設(shè)計(jì)即可獲得收益。A13 預(yù)計(jì) 2029 年投產(chǎn)。

除 2028 年推出全新 A14 節(jié)點(diǎn)外，臺(tái)積電還計(jì)劃通過(guò) N2U 為客戶(hù)提供低成本升級(jí) N2 架構(gòu)設(shè)計(jì)的途徑。N2U 是 N2 平臺(tái)的第三年延伸版本，通過(guò) DTCO 實(shí)現(xiàn)：同功耗下性能提升約3%–4%，同頻率下功耗降低約8%–10%，邏輯密度小幅提升 2%–3%。該節(jié)點(diǎn)將保持與 N2P IP 兼容，使客戶(hù)（尤其是消費(fèi)電子領(lǐng)域）無(wú)需切換至全新工藝即可開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品，避免巨額成本投入。例如，某企業(yè)若計(jì)劃 2027 年基于 N2P 高端芯片 IP 開(kāi)發(fā)中端產(chǎn)品，可在 2028 年直接使用 N2U 實(shí)現(xiàn)。

張曉強(qiáng)稱(chēng)：“我們將通過(guò) N2U 持續(xù)擴(kuò)展 2nm 平臺(tái)，借助設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化進(jìn)一步提升性能、功耗與密度。我們的戰(zhàn)略是在每個(gè)節(jié)點(diǎn)推出后持續(xù)迭代優(yōu)化，讓客戶(hù)最大化設(shè)計(jì)投資回報(bào)，同時(shí)獲得漸進(jìn)式的 PPA（性能、功耗、面積）收益?！?/p>

A16、A12與N2X：不計(jì)成本追求極致性能

盡管臺(tái)積電 N2 將同時(shí)面向消費(fèi)終端與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用，公司也正在研發(fā)搭載超級(jí)電源軌背面供電架構(gòu)的 A16 工藝，專(zhuān)為高性能數(shù)據(jù)中心場(chǎng)景定制。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，A16就是帶SPR的N2P，基于第一代 GAA 納米片晶體管，相比 N2、N2P 提供顯著的功耗、性能與密度優(yōu)勢(shì)，當(dāng)然成本也更高。

值得注意的是，臺(tái)積電目前將 A16 列為 2027 年量產(chǎn)工藝，較此前 2026 年的時(shí)間表有所推遲。

張曉強(qiáng)表示：“A16 將在 2026 年準(zhǔn)備就緒，但實(shí)際產(chǎn)品上量取決于客戶(hù)，我們預(yù)計(jì) 2027 年進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)。這也是我們將其時(shí)間線對(duì)齊至 2027 年的原因?！?/p>

有趣的是，A16 的推出并不會(huì)取代 N2X—— 后者是 N2P 的性能增強(qiáng)版，采用傳統(tǒng)正面供電，將 N2 系列設(shè)計(jì)頻率推至極限。

A16 之后將由 A12 接棒，后者計(jì)劃 2029 年問(wèn)世，預(yù)計(jì)將為臺(tái)積電數(shù)據(jù)中心級(jí)節(jié)點(diǎn)帶來(lái)全節(jié)點(diǎn)級(jí)代差優(yōu)勢(shì)。盡管臺(tái)積電未披露具體數(shù)據(jù)，A12 相對(duì)于 A16 的提升幅度，可對(duì)標(biāo) A14 相對(duì)于 N2 的水平，因其將采用第二代 GAA 納米片晶體管與 NanoFlex Pro 技術(shù)。

張曉強(qiáng)稱(chēng)：“A16 是我們第一代搭載超級(jí)電源軌（背面供電）的技術(shù)。A12 則是下一代…… 將同步微縮正面與背面結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)整體密度收益?！?/p>

高 NA EUV 短期內(nèi)不會(huì)登場(chǎng)

臺(tái)積電計(jì)劃 2029 年推出的 A13、A12 工藝有一個(gè)值得關(guān)注的共同點(diǎn)：均無(wú)需高NA EUV光刻設(shè)備。這與英特爾形成鮮明對(duì)比 —— 英特爾 14A 及后續(xù)節(jié)點(diǎn)計(jì)劃于 2027–2028 年開(kāi)始使用高 NA EUV 光刻機(jī)。

張曉強(qiáng)表示：“我必須說(shuō)，我對(duì)我們的研發(fā)團(tuán)隊(duì)感到驚嘆。他們持續(xù)找到不依賴(lài)高 NA EUV 就能實(shí)現(xiàn)工藝微縮的方法。或許未來(lái)某一天我們不得不使用它，但就目前而言，我們?nèi)阅軓默F(xiàn)有 EUV 中挖掘收益，不必轉(zhuǎn)向高 NA EUV—— 畢竟它極其昂貴?！?/p>

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