浙江
首爾中央地方法院4月22日表示，一名曾在三星電子任職的研究員因向一家中國企業(yè)泄露半導體技術(shù)，被判處七年監(jiān)禁。法院認定，這名僅以姓氏對外公布的被告違反了《產(chǎn)業(yè)技術(shù)保護法》，其泄露的數(shù)據(jù)被界定為“國家核心技術(shù)”，且他系與他人共謀實施泄密行為。
該名56歲的前研究員是韓國檢方去年起訴的10名嫌疑人之一，他們被指涉嫌向中國存儲芯片制造商長鑫存儲技術(shù)有限公司（CXMT）泄露存儲芯片制造工藝。韓方有關(guān)部門當時稱，該案幫助中國在開發(fā)高帶寬存儲器（HBM）方面“鋪平道路”，而HBM是人工智能計算的重要關(guān)鍵部件之一。三星電子對此拒絕發(fā)表評論，長鑫存儲則尚未就置評請求作出回應。
韓國聯(lián)合通訊社報道稱，這名研究員在離開三星電子后，與一名前三星高管一同投身長鑫存儲，并在此過程中向該公司提供了三星的DRAM工藝技術(shù)。據(jù)該社援引檢方消息人士的話稱，這名被告在六年間從長鑫存儲方面共計收取約29億韓元（約合196萬美元）報酬。首爾中央地方檢察廳在被路透社聯(lián)系時未能立即發(fā)表評論。
長鑫存儲去年表示，計劃通過在上海發(fā)行106億股股份進行首次公開募股，籌資295億元人民幣（約合43.3億美元）。該公司稱，募資所得將用于升級其生產(chǎn)線和相關(guān)技術(shù)，以擴大DRAM產(chǎn)能和提升工藝水平。報道同時援引當日匯率指出，1美元約合6.8204元人民幣，約合1477.45韓元。
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