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隨著人工智能（AI）產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，對NAND閃存的需求激增，三星電子、SK海力士和鎧俠等全球NAND閃存制造商正在加速產(chǎn)能擴張。然而，三星電子和SK海力士優(yōu)先考慮的是DRAM產(chǎn)能的提升，而鎧俠的產(chǎn)能擴張預(yù)計短期內(nèi)無法滿足市場需求，因此大多數(shù)分析師認(rèn)為NAND閃存價格的上漲趨勢在短期內(nèi)仍將持續(xù)。

據(jù)市場研究公司DRAMeXchange 17日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，上月標(biāo)準(zhǔn)NAND閃存產(chǎn)品（128Gb 16Gx8 MLC，用于存儲卡和U盤）的平均合約價為17.73美元，較上月的12.67美元上漲了39.95%。與去年1月的2.18美元相比，漲幅約為八倍。盡管以人工智能數(shù)據(jù)中心為中心的市場需求迅速增長，但NAND閃存廠商的供應(yīng)卻未能跟上。

隨著人工智能產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，NAND閃存的供應(yīng)短缺問題日益嚴(yán)峻，其供應(yīng)短缺問題也與DRAM一樣日益嚴(yán)重。在訓(xùn)練人工智能模型和提升推理能力的過程中，用于存儲海量數(shù)據(jù)的基于NAND閃存的企業(yè)級固態(tài)硬盤（eSSD）的需求激增。此外，數(shù)據(jù)中心服務(wù)器4至6年的更換周期也與NAND閃存重疊，進一步推高了需求。

然而，在經(jīng)歷了兩三年的NAND市場低迷之后，全球NAND制造商紛紛減產(chǎn)，難以滿足市場需求。尤其是三星電子、SK海力士和美光等公司，已將重心轉(zhuǎn)向DRAM生產(chǎn)，DRAM的需求增長速度遠超NAND，導(dǎo)致NAND產(chǎn)能擴張的優(yōu)先級降低。

市場研究公司 TrendForce 預(yù)測：“由于短期內(nèi) NAND 閃存產(chǎn)能增長有限，而人工智能需求激增，今年價格將持續(xù)強勁上漲?！?/p>

三星電子和SK海力士計劃今年重點擴建其位于中國的NAND閃存工廠。據(jù)悉，三星電子已完成西安一廠的工藝改造投資，并計劃在下半年提高產(chǎn)量。西安二廠據(jù)稱正在考慮擴建，計劃每月增加約4萬片晶圓的產(chǎn)能。SK海力士據(jù)稱正在推進新的投資，計劃將其大連二廠的產(chǎn)能擴建至每月5萬片晶圓。

據(jù)稱，他們也在全力以赴地在國內(nèi)新的生產(chǎn)線上尋找空間。據(jù)報道，三星電子位于平澤園區(qū)5號工廠（P5）和SK海力士位于龍仁半導(dǎo)體集群一期工廠（Y1）的新生產(chǎn)基地正在研究如何擴大NAND閃存生產(chǎn)線。

一位半導(dǎo)體行業(yè)官員表示：“韓國存儲半導(dǎo)體企業(yè)優(yōu)先擴大DRAM和高帶寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)能，但NAND的需求也在激增，因此應(yīng)對措施迫在眉睫?！彼a充說：“我們正在努力確保海內(nèi)外工廠有足夠的空間來擴大生產(chǎn)線?！?/p>

包括鎧俠（Kioxia）和美光（Micron）在內(nèi)的海外NAND閃存制造商也在加大力度擴大產(chǎn)能。日本鎧俠自去年以來一直在進行擴建投資，并計劃今年在其位于四日市的工廠每月增加約3萬片晶圓的產(chǎn)能。總部位于美國的美光在新加坡投資建設(shè)的新NAND閃存工廠預(yù)計將于今年全面破土動工，并于2028年開始量產(chǎn)。

（來源：編譯自chosun）

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