芯片，這個曾長期扼住我們發(fā)展咽喉的關鍵部件，始終是無數(shù)國人深藏心底的隱痛。

可偏偏就有一家企業(yè)，咬緊牙關投入408億元真金白銀，硬是在近五十年持續(xù)虧損與外界質(zhì)疑中逆流而上、寸步不退。

今天，這口憋了太久的氣終于吐了出來——他們以自主創(chuàng)新為利刃，在堅不可摧的技術壁壘上硬鑿出一道突破口，一舉撼動了長期由他人主導的產(chǎn)業(yè)格局。

從一個高光起點說起

不少人誤以為我國芯片研發(fā)是近年才起步的事業(yè)，實則不然。這條布滿荊棘的征途，我們已默默跋涉整整半個世紀。

把時光撥回到1975年，那一年，我國成功研制出首顆1K容量的DRAM芯片。

彼時這一成果堪稱驚艷，與國際前沿水平之間的代際差距并不懸殊，僅落后三至五年左右。

遺憾的是，后續(xù)因多重現(xiàn)實制約，實驗室里誕生的突破性成果，遲遲未能跨越產(chǎn)業(yè)化鴻溝，轉(zhuǎn)化為規(guī)模化量產(chǎn)能力。一步遲滯，步步受制，最終被全球領先者越甩越遠，直至望塵莫及。

待我們重新審視存儲芯片這片戰(zhàn)場，昔日的追趕者早已成長為三大國際巨頭：技術迭代速度驚人，專利布局密不透風，制造基地星羅棋布——每一項都構筑起難以逾越的護城河。

時間來到2016年，形勢已迫在眉睫。在先進內(nèi)存領域，我們的自主供給幾乎歸零；若再無實質(zhì)性動作，整個數(shù)字基建都將面臨系統(tǒng)性風險。

正是這一年，國家啟動重大專項戰(zhàn)略部署，集中優(yōu)勢資源攻堅克難。長江存儲、長鑫存儲等一批本土存儲企業(yè)應運而生，正式吹響國產(chǎn)替代的沖鋒號角。

虧損砸出的未來

闖入半導體行業(yè)，從來不是一場溫柔的旅程，它注定是一場資本、人才與時間的三重豪賭。

作為DRAM領域的排頭兵，長鑫存儲累計投入高達408億元。這筆巨資注入后，企業(yè)賬面連續(xù)多年只寫著一個字——“虧”。

但若僅將這408億視作財務報表上的負數(shù)，未免太過淺薄。它更像一張價值連城的“通行證”，一張通往全球半導體核心圈層的入場憑證。

這些資金流向何方？投向縮短技術代差的攻關周期，投向自主培養(yǎng)千余名高端芯片工程師的搖籃，投向建設具備國際一流標準的潔凈廠房與產(chǎn)線。

尤為關鍵的是，它支撐起一種信念：哪怕面對層層封鎖與極限施壓，也要牢牢攥緊屬于自己的飯碗。

正因如此，我國DRAM產(chǎn)業(yè)才真正實現(xiàn)從無到有、從弱到強的歷史性躍遷，擁有了與世界頂級玩家平等對話的話語權。

令人振奮的是，這份沉甸甸的投入開始結出碩果——長鑫存儲不僅啟動IPO籌備工作，更于去年迎來關鍵拐點：單季度凈利潤突破13.2億元。

這意味著，我國DRAM產(chǎn)業(yè)已初步具備自我造血能力，徹底告別單純依賴政策輸血的初級階段。

一次絕地反擊的機會

當下，全球正加速邁入人工智能深度應用時代，對高性能內(nèi)存的需求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長，猶如山洪奔涌、勢不可擋。

供需嚴重失衡直接引發(fā)全球內(nèi)存缺貨潮，市場價格日日刷新紀錄。業(yè)內(nèi)普遍預計，本輪緊張局面將持續(xù)至2027年；多家海外頭部廠商公開披露，其2026年高端內(nèi)存產(chǎn)能已被客戶提前鎖定一空。

表面看是嚴峻挑戰(zhàn)，實則為我們打開了一扇歷史性窗口。

為何如此？因為國際巨頭正全力押注HBM（高帶寬內(nèi)存）這一AI專屬賽道，大幅削減傳統(tǒng)DDR內(nèi)存產(chǎn)能?？陀^上，為國產(chǎn)廠商騰出了寶貴的市場空間與發(fā)展時間。

敏銳捕捉這一契機，國內(nèi)企業(yè)迅速展開戰(zhàn)略布局升級。

長鑫存儲在上海新建超級工廠，整體規(guī)模達合肥總部的兩倍以上，產(chǎn)品線全面覆蓋PC、智能手機、數(shù)據(jù)中心服務器乃至新能源汽車電子系統(tǒng)，并同步加快HBM技術研發(fā)與產(chǎn)線建設步伐。

另一支勁旅長江存儲亦同步發(fā)力：原本專注NAND閃存的它，新建基地規(guī)劃中明確將50%產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DRAM制造，同樣瞄準HBM這一下一代AI基礎設施的核心組件。

看清現(xiàn)實，也看到希望

當然，我們必須保持清醒認知，既不妄自菲薄，也不盲目樂觀。目前我國存儲芯片在全球市場份額尚不足4%，國內(nèi)市場九成以上仍依賴進口供應。

在尖端工藝層面，例如最新一代DDR5內(nèi)存芯片，與三星、SK海力士等頭部企業(yè)相比，仍存在一定代際差距；同時，光刻機、特種氣體、高端靶材等關鍵設備與材料，仍有大量核心技術亟待攻克。

但積極信號正在加速匯聚：長鑫存儲市占率穩(wěn)步提升，今年有望突破5%大關；其自主研發(fā)的DDR5內(nèi)存已進入韓國主流終端供應鏈，開始參與國際訂單競爭。

長江存儲方面，NAND閃存全球份額由5%躍升至10%，增速位居全球前列，彰顯出強勁的追趕動能與體系化創(chuàng)新能力。

一場“非對稱”的芯片戰(zhàn)爭

這場關乎國家戰(zhàn)略安全的突圍之戰(zhàn)，走的是一條極具中國特色的“非對稱突破路徑”。

我們并未選擇正面硬剛技術最高峰，而是依托超大規(guī)模內(nèi)需市場換取寶貴成長期。

先在成熟制程與主流產(chǎn)品上扎穩(wěn)根基，再借勢人工智能浪潮帶來的技術換道機遇，實現(xiàn)跨越式躍升。

那408億元的巨額投入，收獲的不只是幾條晶圓生產(chǎn)線，更是一整套涵蓋芯片設計、晶圓制造、封裝測試、系統(tǒng)集成與生態(tài)適配的完整產(chǎn)業(yè)閉環(huán)。

這從根本上扭轉(zhuǎn)了過去我國長期處于全球半導體價值鏈底端、僅能承接低附加值環(huán)節(jié)的被動局面。

尤為值得重視的是，當前兩大龍頭企業(yè)均已啟動HBM研發(fā)與量產(chǎn)計劃，表明我國存儲產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略視野已超越滿足基本需求層面，主動切入未來十年AI算力基礎設施的核心賽道，準備與國際巨頭展開新一輪競合博弈。

這步落子，兼具戰(zhàn)略定力與戰(zhàn)術銳度，直接關系到我們在全球科技版圖中的長遠定位。

回望這波瀾壯闊的五十年征程，從零基礎起步到今日初具規(guī)模，背后是數(shù)代科研人員焚膏繼晷的堅守，是無數(shù)工程師夜以繼日的調(diào)試，更是國家意志在關鍵時刻的堅定托舉。

408億元的階段性虧損，五十年的漫長守望，最終凝結為一個沉甸甸的答案：中國完全有能力、有路徑，在事關國運的核心技術領域?qū)崿F(xiàn)自主可控。

打破壟斷，只是萬里長征邁出的第一步。前路依然崎嶇，技術深水區(qū)尚待穿越，但東方既白，曙光已現(xiàn)。

那么，問題來了，大伙兒覺得，我國芯片產(chǎn)業(yè)最終能否真正躋身全球第一梯隊，與國際巨頭同臺競技？抑或在最尖端的幾項底層技術上，仍將長期面臨難以逾越的天花板？歡迎在評論區(qū)分享你的見解。

信息來源：中文科技資訊 2026-02-20——韓媒：長鑫存儲或?qū)⒔K結內(nèi)存“三巨頭霸權”！