文|海山

來源|博望財(cái)經(jīng)

十幾個交易日，20余只股票漲停，存儲板塊單月飆升50%，中國存儲產(chǎn)業(yè)迎來“價值重估”拐點(diǎn)！

兆易創(chuàng)新10天暴漲80%、北京君正走出5連板，瀾起科技年內(nèi)最大漲幅突破180%，長江存儲、長鑫存儲等8家存儲企業(yè)完成新一輪融資。

行業(yè)層面，1月中國存儲產(chǎn)業(yè)峰會，宣布成立國產(chǎn)存儲生態(tài)聯(lián)盟，設(shè)立專項(xiàng)基金50億元，聚焦DRAM、NAND Flash、存算一體等核心技術(shù)。存算一體芯片能效比提升10倍，HBM3e高帶寬存儲器已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，長江存儲232層3D NAND將單位存儲成本直降70%。

當(dāng)存儲芯片從“進(jìn)口依賴”變成“國產(chǎn)替代”，當(dāng)存算一體成為AI算力的“新引擎”，當(dāng)存儲芯片價格飆升創(chuàng)歷史紀(jì)錄，意味著存儲周期從“溫和上漲”到“超級牛市”！

01

存儲超級牛市來臨

而這種超級牛市，拐點(diǎn)來自于2025年第四季度，存儲芯片價格迎來顛覆性轉(zhuǎn)折。

據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，DRAM和NAND Flash價格單季度漲幅突破40%，2026年第一季度預(yù)計(jì)再漲40%–50%，第二季度仍將維持20%的漲幅。

業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，這一輪行情甚至超越2018年歷史高點(diǎn)，被業(yè)內(nèi)稱為“超級牛市”。而這背后，是存儲器的市場供需的極端失衡

256GB DDR5服務(wù)器內(nèi)存條價格突破5萬元，單條內(nèi)存價格能買上海一平米的房產(chǎn)。華強(qiáng)北的16GB DDR4內(nèi)存條從180元飆升至420元，商戶坦言“一天一個價”。與此同時，三星、SK海力士、美光三大原廠2026年產(chǎn)能均已“售罄”，長期協(xié)議（LTA）成為云巨頭鎖定供應(yīng)的新常態(tài)。

而本輪漲價的核心，與過往周期依賴消費(fèi)電子需求不同，關(guān)鍵在于其結(jié)構(gòu)性驅(qū)動，也即是于AI算力基建的“吞噬式需求”。

當(dāng)前單臺AI服務(wù)器的內(nèi)存需求為傳統(tǒng)服務(wù)器的8–10倍，直接消耗全球53%的內(nèi)存月產(chǎn)能，而供給端卻因巨頭將80%先進(jìn)產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高利潤的HBM和DDR5大幅收縮。這就導(dǎo)致本輪周期的持續(xù)性與強(qiáng)度均遠(yuǎn)超預(yù)期，而這背后是三大結(jié)構(gòu)性變革的共振。

首先是需求側(cè)的轉(zhuǎn)移，大模型“戰(zhàn)爭”進(jìn)入白熱化之后，不管是比模型參數(shù)，還是怎樣讓模型落地，都讓AI服務(wù)器、AIPC、邊緣計(jì)算等新興場景對存儲性能提出極端要求。

HBM作為AI加速器的“剛需配件”，其帶寬較傳統(tǒng)產(chǎn)品提升數(shù)倍，成為巨頭競逐的制高點(diǎn)。北美四大云廠商（Google、Meta、微軟、AWS）2026年AI基建投資規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)6000億美元，進(jìn)一步推高存儲需求。

而為追求更高毛利，原廠集體“棄低追高”，這就導(dǎo)致供給側(cè)主動縮容，三星停產(chǎn)DDR4、美光退出英睿達(dá)消費(fèi)級業(yè)務(wù)，導(dǎo)致成熟制程產(chǎn)能缺口擴(kuò)大。TrendForce數(shù)據(jù)顯示，2025年DRAM庫存周期已降至10周（安全閾值為12周），原廠庫存僅2–4周。

高利潤還帶來了技術(shù)的迭代加速，尤其是DDR5/LPDDR5X滲透率快速提升，其8000Mbps的速率和低功耗特性成為AI服務(wù)器標(biāo)配。而HBM3E等新一代產(chǎn)品尚未大規(guī)模量產(chǎn)，技術(shù)壁壘進(jìn)一步加劇供應(yīng)緊張。

所以，存儲芯片從電子設(shè)備的“成本項(xiàng)”升級為AI基建的“戰(zhàn)略資源”。這種地位的躍遷，使得價格波動直接傳導(dǎo)至終端產(chǎn)品。例如iPhone 17 Pro Max的存儲成本占比從2020年的8%躍升至2025年的15%以上，旗艦手機(jī)因存儲漲價普遍上調(diào)售價500–1000元。

而在存儲芯片的盛宴中，不同層級的參與業(yè)績也得到了釋放。SK海力士2025年第三季度凈利潤同比暴漲119%，三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營業(yè)利潤增長31.81%。

國內(nèi)模組廠業(yè)績“V型反轉(zhuǎn)”，江波龍第三季度凈利潤同比激增1994%，佰維存儲預(yù)增427%–520%。截至2025年三季度，江波龍存貨達(dá)85億元，佰維存儲存貨57億元。SK海力士國內(nèi)代理商香農(nóng)芯創(chuàng)營收增長但毛利率降至2.4%，而技術(shù)壁壘高的瀾起科技憑借內(nèi)存接口芯片毛利率達(dá)65.7%。

從我國整體市場來看，2026年中國存儲芯片市場規(guī)模預(yù)計(jì)近5000億元，國產(chǎn)廠商在成熟制程領(lǐng)域憑借成本優(yōu)勢快速補(bǔ)位，國產(chǎn)替代的窗口期已然打開。

例如長鑫科技發(fā)布8000Mbps的DDR5產(chǎn)品，并進(jìn)入小米、OPPO等頭部手機(jī)供應(yīng)鏈；通富微電募資44億元擴(kuò)產(chǎn)存儲封測產(chǎn)能，年新增84.96萬片等等。

那這個產(chǎn)業(yè)鏈具體哪里肉多？誰能吃到最大的蛋糕呢？

02

產(chǎn)業(yè)鏈細(xì)分價值幾何？

存儲芯片產(chǎn)業(yè)正從傳統(tǒng)的強(qiáng)周期行業(yè)，躍升為AI基礎(chǔ)設(shè)施的核心命脈，必將對產(chǎn)業(yè)鏈的全面重構(gòu)。

尤其對于中國存儲產(chǎn)業(yè)鏈而言，這既是應(yīng)對價格波動的生存之戰(zhàn)，更是邁向高端突破的價值反攻。

首先，上游材料與設(shè)備是存儲產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)制高點(diǎn)，也是國產(chǎn)替代空間最大的環(huán)節(jié)。

在AI驅(qū)動的超級周期下，高純度硅片、光刻膠、濺射靶材等關(guān)鍵材料的供應(yīng)緊張直接制約全球產(chǎn)能釋放。

寧波江豐電子的超高純金屬濺射靶材已廣泛應(yīng)用于全球半導(dǎo)體芯片制造環(huán)節(jié)，其韓國基地建設(shè)加速了國產(chǎn)材料的全球化布局。

北方華創(chuàng)的刻蝕、薄膜沉積等核心設(shè)備已覆蓋主流存儲類型，還有中微半導(dǎo)體針對先進(jìn)存儲器件制造的關(guān)鍵刻蝕和薄膜工藝實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

中游存儲芯片制造與模組生產(chǎn)是產(chǎn)業(yè)鏈的價值中樞，也是當(dāng)前超級周期中博弈最激烈的領(lǐng)域。

國際原廠憑借技術(shù)領(lǐng)先和產(chǎn)能控制成為最大受益者：SK海力士2026年全系列存儲訂單已售罄，HBM產(chǎn)能被AI大客戶提前鎖定；美光2025財(cái)年第三季度營收增長37%，HBM收入環(huán)比增長近50%。

而國產(chǎn)存儲勢力的崛起正在重塑全球格局，在NAND領(lǐng)域，3D堆疊技術(shù)已成主流，長江存儲232層3D NAND良率達(dá)95%，320層技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)驗(yàn)證階段，性能超越三星主流產(chǎn)品，單位比特成本比國際巨頭低20%。

在DRAM領(lǐng)域，長鑫存儲HBM3e良率已達(dá)75%，HBM4樣品通過華為昇騰910B驗(yàn)證，雖然性能略遜國際巨頭15%，但已能滿足國產(chǎn)AI芯片需求。

模組環(huán)節(jié)呈現(xiàn)量價齊升的爆發(fā)式增長。江波龍成功切入阿里、字節(jié)等頭部企業(yè)AI服務(wù)器供應(yīng)鏈。

佰維存儲則通過自研主控芯片構(gòu)建完整產(chǎn)品布局。中游企業(yè)的業(yè)績爆發(fā)凸顯了國產(chǎn)存儲從備胎轉(zhuǎn)向主力軍的價值重估進(jìn)程。

下游應(yīng)用環(huán)節(jié)是存儲芯片價值的最終實(shí)現(xiàn)場所，也是成本壓力的直接承受者。

AI服務(wù)器是存儲需求爆發(fā)的核心牽引力，其單機(jī)存儲配置是傳統(tǒng)服務(wù)器的數(shù)倍。北美四大云廠商2026年AI基建投資規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)6000億美元，形成了對存儲芯片的持續(xù)性、規(guī)模化需求。

與此同時，消費(fèi)電子領(lǐng)域則陷入兩難境地：手機(jī)和PC廠商一方面要應(yīng)對存儲成本飆升，另一方面要避免過度漲價抑制市場需求。聯(lián)想、戴爾等廠商已對產(chǎn)品提價500-1500元，以傳導(dǎo)成本壓力。

終端廠商從過去的準(zhǔn)時化生產(chǎn)轉(zhuǎn)向追求安全庫存，甚至通過長期供應(yīng)合同、期貨及戰(zhàn)略囤貨等方式保障供應(yīng)。這種買漲不買跌的心理進(jìn)一步加劇了供需緊張，形成價格上行的螺旋效應(yīng)。

在這種背景下，國產(chǎn)存儲產(chǎn)業(yè)正迎來政策+市場的雙重機(jī)遇。國家大基金三期3440億元注資落地，目標(biāo)將存儲芯片國產(chǎn)化率從15%提升至30%，重點(diǎn)扶持HBM、存算一體等卡脖子環(huán)節(jié)。

技術(shù)突破構(gòu)筑的護(hù)城河已成為國產(chǎn)存儲價值反攻的核心支撐。長鑫存儲HBM3進(jìn)入客戶驗(yàn)證，2026年小規(guī)模量產(chǎn)；瀾起科技PCIe 5.0 Retimer芯片在AI服務(wù)器滲透率超40%，CXL技術(shù)打開第二增長曲線。通富微電募資44億元擴(kuò)產(chǎn)存儲封測產(chǎn)能，年新增84.96萬片，滿足高端存儲的異構(gòu)集成需求。

盡管漲勢迅猛，但市場對本輪周期的持續(xù)性存在分歧。樂觀派認(rèn)為供需緊張將持續(xù)至2028年，理由包括AI需求剛性、產(chǎn)能建設(shè)周期長（新廠需2-3年投產(chǎn)）；謹(jǐn)慎派則預(yù)計(jì)2026年下半年出現(xiàn)拐點(diǎn)，依據(jù)是原廠產(chǎn)能逐步釋放、高價抑制消費(fèi)需求。

對于國產(chǎn)廠商而言，技術(shù)代差仍存，國產(chǎn)HBM尚未規(guī)模量產(chǎn)，3D NAND堆疊層數(shù)與國際巨頭有1-2代差距；供應(yīng)鏈安全挑戰(zhàn)，高端光刻膠、光刻機(jī)等仍依賴進(jìn)口，設(shè)備國產(chǎn)化率待提升。

但對于中國產(chǎn)業(yè)鏈而言，當(dāng)前機(jī)遇大于挑戰(zhàn)。當(dāng)前最大機(jī)會在于：誰能率先構(gòu)建覆蓋數(shù)據(jù)—存儲—計(jì)算閉環(huán)的解決方案，并綁定真實(shí)應(yīng)用場景，誰就能在AI推理、邊緣計(jì)算、智能終端等方向建立壁壘，成為存儲時代的終端入口與服務(wù)運(yùn)營商。

更深遠(yuǎn)的是，太空存儲概念興起：中國GW星座計(jì)劃中的算力衛(wèi)星搭載存儲模塊，在軌處理遙感數(shù)據(jù)，將傳輸延遲從8小時壓縮至5分鐘，開辟了萬億級新市場。

十五五規(guī)劃明確將存儲芯片列為戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)，工信部設(shè)立專項(xiàng)基金支持存儲產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)，全面打通從技術(shù)研發(fā)到規(guī)模應(yīng)用的最后一公里。

種種信號表明，2026年將成為中國存儲產(chǎn)業(yè)的價值反攻元年，最終勝出者，絕非僅掌握單一環(huán)節(jié)的玩家，而是那些真正兼具技術(shù)理解力、工程化能力與規(guī)模化落地經(jīng)驗(yàn)的全棧式整合者，他們將推動中國存儲產(chǎn)業(yè)從卡脖子環(huán)節(jié)躍升為戰(zhàn)略制高點(diǎn)，重塑全球數(shù)字經(jīng)濟(jì)權(quán)力結(jié)構(gòu)。

03

訂單為王時代下的硬核玩家

當(dāng)前存儲芯片產(chǎn)業(yè)技術(shù)路徑清晰，2026年有望成為國產(chǎn)存儲芯片的業(yè)績兌現(xiàn)年。在這場大浪淘沙中，誰能率先在“國產(chǎn)替代”剛性需求中實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破與規(guī)?；涞兀l就能鎖定未來十年的產(chǎn)業(yè)地位。

首先是長鑫存儲，作為國產(chǎn)DRAM的破局者，技術(shù)產(chǎn)能雙突破。作為國內(nèi)規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)、唯一實(shí)現(xiàn)通用型DRAM大規(guī)模量產(chǎn)的IDM企業(yè)，其發(fā)展打破了三星、SK海力士、美光對全球DRAM市場的長期壟斷。

其19nm工藝良率已超95%，并實(shí)現(xiàn)DDR5內(nèi)存最高速率8000Mbps、LPDDR5X速率10667Mbps的突破，躍居世界一流水平。

更關(guān)鍵的是其產(chǎn)能與訂單的實(shí)質(zhì)性放量。2025年底月產(chǎn)能已提升至28萬片晶圓，較年初增長21.7%。2025年第三季度，長鑫存儲營收突破120億元，同比增長52%，凈利潤同比增長43%。

其產(chǎn)品已進(jìn)入浪潮、曙光等國內(nèi)頭部服務(wù)器廠商供應(yīng)鏈，比亞迪、蔚來等車企也已開始批量采購其車規(guī)級DRAM。

作為科創(chuàng)板IPO進(jìn)程中備受矚目的“存儲第一股”，長鑫存儲憑借其IDM模式對供應(yīng)鏈的自主可控，已成為國產(chǎn)替代中最確定的龍頭之一。

其次是長江存儲，是國內(nèi)專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造一體化的IDM集成電路企業(yè)，是國產(chǎn)3D NAND閃存領(lǐng)域的基石企業(yè)。

其自主研發(fā)的Xtacking?架構(gòu)實(shí)現(xiàn)了3D NAND技術(shù)的跨越式發(fā)展，當(dāng)前232層產(chǎn)品良率已突破90%，連續(xù)讀寫速度超7000MB/s，達(dá)到國際一流水平。

其首條全國產(chǎn)化NAND產(chǎn)線于2025年下半年試產(chǎn)，設(shè)備國產(chǎn)化率達(dá)45%，刻蝕、沉積等核心環(huán)節(jié)已實(shí)現(xiàn)自主替代。

長江存儲2025年在全球NAND市場份額已達(dá)到約13%，與長鑫存儲共同構(gòu)成全球存儲市場的“第四極”。盡管尚未上市，但2026年快速上市，也是極有可能的。

其次是兆易創(chuàng)新，作為全球唯一一家在NOR Flash、SLC NAND Flash、利基型DRAM和MCU領(lǐng)域均排名全球前十的集成電路設(shè)計(jì)公司，采用Fabless模式。與長鑫存儲形成“兄弟協(xié)同”——前者沖鋒市場，后者攻堅(jiān)技術(shù)。

2025年，兆易創(chuàng)新預(yù)計(jì)向長鑫科技采購金額達(dá)11.61億元，承接國際廠商退出的DDR3/DDR4轉(zhuǎn)單需求。

公司利基型DRAM產(chǎn)品量價齊升，毛利率季度環(huán)比改善明顯。其業(yè)績增長極具彈性，2025年上半年，公司在存儲與計(jì)算、手機(jī)、汽車、消費(fèi)等多領(lǐng)域均實(shí)現(xiàn)收入和銷量的同比快速增長。

2026年1月，兆易創(chuàng)新已成功登陸港股，完成“A+H”雙平臺資本布局，為其后續(xù)發(fā)展提供了更強(qiáng)的資本支持。

還有瀾起科技，全球內(nèi)存接口芯片的領(lǐng)導(dǎo)者，按收入計(jì)算，2024年其全球市場份額達(dá)36.8%，是全球最大的內(nèi)存互連芯片供應(yīng)商，深度受益于AI服務(wù)器推動的DDR5滲透率提升。

公司的護(hù)城河在于其技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)主導(dǎo)權(quán)，其主導(dǎo)了HBM3E協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)，并布局PCIe Retimer、CXL MXC等匹配AI時代算力需求的新產(chǎn)品。

2025年上半年，公司實(shí)現(xiàn)凈利潤11.59億元，同比增長率達(dá)到95%，顯示出極強(qiáng)的盈利能力。瀾起科技也已通過港交所聆訊，即將實(shí)現(xiàn)“A+H”上市，有望獲得更高估值溢價。

最后是江波龍以及佰維存儲，作為模組環(huán)節(jié)黑馬，業(yè)績爆發(fā)式增長。江波龍2025年第三季度實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤6.98億元，同比增長近20倍，全年業(yè)績預(yù)告也十分亮眼。

佰維存儲則發(fā)布了存儲板塊首份亮眼的年報(bào)預(yù)告，預(yù)計(jì)2025年度實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤8.5億元至10億元，同比大幅增長427.19%至520.22%。

公司ePOP產(chǎn)品供貨Meta AI眼鏡，企業(yè)級SSD訂單暴增200%，顯示出在高端細(xì)分市場的突破。

這兩家企業(yè)代表了國產(chǎn)存儲模組廠商從“渠道販子”向“技術(shù)集成商”的升級，其業(yè)績高增長已驗(yàn)證了國產(chǎn)替代的邏輯正加速兌現(xiàn)。

2026年將是存儲芯片行業(yè)的大分化之年。缺乏核心技術(shù)、無法獲得穩(wěn)定訂單的企業(yè)將被出清。

而像長鑫存儲、長江存儲、兆易創(chuàng)新、瀾起科技、江波龍、佰維存儲這樣有技術(shù)、有產(chǎn)能、有訂單的硬核玩家，將穿越周期，成為國產(chǎn)存儲崛起之路上的第一批“登頂者”。

未來十年，誰掌控了數(shù)據(jù)存儲的“底層基座”，誰就握住了數(shù)字經(jīng)濟(jì)的命脈。