廣東
去年英偉達已經(jīng)與存儲器制造商交換SOCAMM（Small Outline Compression Attached Memory Module）原型進行了測試，原計劃用在Blackwell Ultra GB300產(chǎn)品線。不過隨后由于技術(shù)原因，英偉達決定放棄第一代SOCAMM內(nèi)存，轉(zhuǎn)移到名為“SOCAMM2”的新版本，推遲到今年的Rubin產(chǎn)品線才引入。JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會已經(jīng)確認，很快會帶來基于LPDDR5/5X的SOCAMM2內(nèi)存模塊標準，這意味著扶正只是時間問題。
據(jù)Wccftech報道，AMD和高通打算跟隨英偉達步伐，在下一代人工智能（AI）產(chǎn)品中也使用SOCAMM類型內(nèi)存，因為代理式AI使得內(nèi)存成為了當前系統(tǒng)里的主要瓶頸。不過AMD和高通似乎沒有直接選擇現(xiàn)成方案，而且探索一種與英偉達不同的方案。
AMD和高通采用的是類似“方形”的模塊，將DRAM分列在兩行，通過將PMIC集成至模塊內(nèi)部來實現(xiàn)電源控制，從而構(gòu)建更高效的調(diào)節(jié)機制，確保SOCAMM在極端速度下穩(wěn)定運行。另外還能省去主板供電電路的設計，從而降低主板制造的復雜度。
隨著SOCAMM技術(shù)的普及，該內(nèi)存類型的DRAM利用率也將隨之提升。考慮到AI應用需要在HBM外配備短期存儲，SOCAMM能為每個CPU提供TB級內(nèi)存容量。雖然相較于HBM，SOCAMM的速度較慢，但仍然是一種可行的方案，而且具備節(jié)能特性。
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