去年英偉達(dá)已經(jīng)與存儲(chǔ)器制造商交換SOCAMM（Small Outline Compression Attached Memory Module）原型進(jìn)行了測(cè)試，原計(jì)劃用在Blackwell Ultra GB300產(chǎn)品線。不過隨后由于技術(shù)原因，英偉達(dá)決定放棄第一代SOCAMM內(nèi)存，轉(zhuǎn)移到名為“SOCAMM2”的新版本，推遲到今年的Rubin產(chǎn)品線才引入。JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)已經(jīng)確認(rèn)，很快會(huì)帶來基于LPDDR5/5X的SOCAMM2內(nèi)存模塊標(biāo)準(zhǔn)，這意味著扶正只是時(shí)間問題。

據(jù)Wccftech報(bào)道，AMD和高通打算跟隨英偉達(dá)步伐，在下一代人工智能（AI）產(chǎn)品中也使用SOCAMM類型內(nèi)存，因?yàn)榇硎紸I使得內(nèi)存成為了當(dāng)前系統(tǒng)里的主要瓶頸。不過AMD和高通似乎沒有直接選擇現(xiàn)成方案，而且探索一種與英偉達(dá)不同的方案。

AMD和高通采用的是類似“方形”的模塊，將DRAM分列在兩行，通過將PMIC集成至模塊內(nèi)部來實(shí)現(xiàn)電源控制，從而構(gòu)建更高效的調(diào)節(jié)機(jī)制，確保SOCAMM在極端速度下穩(wěn)定運(yùn)行。另外還能省去主板供電電路的設(shè)計(jì)，從而降低主板制造的復(fù)雜度。

隨著SOCAMM技術(shù)的普及，該內(nèi)存類型的DRAM利用率也將隨之提升。考慮到AI應(yīng)用需要在HBM外配備短期存儲(chǔ)，SOCAMM能為每個(gè)CPU提供TB級(jí)內(nèi)存容量。雖然相較于HBM，SOCAMM的速度較慢，但仍然是一種可行的方案，而且具備節(jié)能特性。