新 聞一： 三星HBM4已通過最終資格測試，計劃下個月開始向英偉達(dá)與AMD供貨

據(jù)TrendForce報道，三星在HBM4方面似乎取得了非常大的進(jìn)展，預(yù)計在下一代DRAM競爭中將重新具備競爭力。有消息人士透露，三星的HBM4已經(jīng)通過了最終資格測試，計劃下個月開始向英偉達(dá)與AMD正式發(fā)貨。這標(biāo)志著很可能是量產(chǎn)訂單，而非僅供測試的樣品量。

有報告顯示，三星HBM4的數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)到了11.7Gb/s，高于英偉達(dá)和AMD設(shè)定的10Gb/s標(biāo)準(zhǔn)，也遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了JEDEC制定的8Gb/s行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，成為了目前業(yè)界的最高規(guī)格。值得注意的是，三星還是在未進(jìn)行任何重新設(shè)計的情況下通過了驗證，即便客戶提高了性能要求。

三星采用了1cnm（第六代10nm級別）工藝制造DRAM芯片，領(lǐng)先競爭對手一代。同時三星結(jié)合了自家代工廠的4nm工藝制造基礎(chǔ)裸片（Base Die），相比于SK海力士要依賴于合作伙伴臺積電（TSMC），有更長的生產(chǎn)準(zhǔn)備時間，生產(chǎn)安排上更靈活，且更好地控制生產(chǎn)成本。

隨著Vera Rubin平臺全面投產(chǎn)，英偉達(dá)正敦促供應(yīng)商提升響應(yīng)速度，預(yù)計三星將于今年6月全面供應(yīng)HBM4。展望未來，三星計劃利用其從邏輯芯片設(shè)計到封裝的全整合HBM能力，強(qiáng)化自身在HBM4E和定制HBM解決方案等未來產(chǎn)品中的領(lǐng)導(dǎo)地位。

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在HBM3時代遇冷，在HBM4時代逆襲了嗎？其實在去年底，就有消息稱三星已經(jīng)向包括NVIDIA在內(nèi)的多家目標(biāo)用戶提交了測試，而最近，終于傳出了三星已經(jīng)通過測試的消息。如果消息屬實，三星將在下個月開始正式向NVIDIA、AMD出貨HBM4內(nèi)存。這絕對算是最早出貨的廠家，三星這下子算是把HBM3上吃的虧賺回來了，等看更正式的結(jié)果吧！

新 聞2： 三星加快定制HBM開發(fā)，打算在基礎(chǔ)裸片引入2nm工藝

AMD和英偉達(dá)都將在2026年的下一代AI加速器中首次采用定制HBM，均為基于HBM4的設(shè)計，以提升性能，降低延遲。過去HBM的基礎(chǔ)裸片（Base Die）都是使用DRAM工藝制造，不過從HBM4時代開始將轉(zhuǎn)移到代工廠，改用邏輯芯片的工藝，以解決高性能計算中的熱量、信號延遲和能效問題。

據(jù)TrendForce報道，近日有消息人士透露，三星打算采用最先進(jìn)的2nm工藝來制造定制HBM所需要的基礎(chǔ)裸片。

隨著定制HBM時代的到來，自身擁有代工廠的三星，比起要尋求臺積電幫助的SK海力士和美光，預(yù)計會從內(nèi)部生產(chǎn)中獲得潛在的成本優(yōu)勢，而且產(chǎn)能分配上也更為靈活，早早就確定以4nm工藝生產(chǎn)基礎(chǔ)裸片�，F(xiàn)在三星更為激進(jìn)，直接提供2nm的解決方案。

SK海力士很早就宣布與臺積電合作共同開發(fā)HBM產(chǎn)品，早期規(guī)劃基礎(chǔ)裸片采用5nm和12nm制造。隨著高性能計算（HPC）需求飆升，對人工智能（AI）工藝負(fù)載提出了更高的要求，促使臺積電再進(jìn)一步，在定制HBM的基礎(chǔ)裸片上導(dǎo)入3nm工藝。傳聞英偉達(dá)已開始開發(fā)自己的HBM基礎(chǔ)裸片，打算采用的就是臺積電的3nm工藝，計劃在2027年下半年進(jìn)行小批量試產(chǎn)。

將基礎(chǔ)裸片轉(zhuǎn)換到代工廠將對HBM產(chǎn)品帶來成本壓力，美光打算推遲到HBM4E時代才轉(zhuǎn)成臺積電，暫時還不清楚制造工藝的選擇。

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另外，三星也在進(jìn)一步擴(kuò)大自己的另一個優(yōu)勢——自有的新進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)�，F(xiàn)階段，三星已經(jīng)可以生產(chǎn)2nm芯片了，隨著NVIDIA自研HBM基板之后，對先進(jìn)制程HBM基板的需求就不是空談了，而三星正可以用醉的的成本完成這種先進(jìn)制程基板。而今，三星也確實有在基礎(chǔ)裸片引入2nm工藝，不知道有多少客戶有興趣了。

新 聞3： 三星準(zhǔn)備新一輪存儲器價格上漲，消費端DRAM和NAND閃存漲幅或超50%

很快三星將公布最新一個季度的財務(wù)報告，并召開財報電話會議。過去幾個月里，存儲器價格的大幅上漲大概率將推動三星的業(yè)績增長。有數(shù)據(jù)顯示，三星內(nèi)存和SSD在過去兩個月里，價格已漲至原來的二倍到三倍，而且2026年第一季度預(yù)計還會繼續(xù)上漲。

據(jù)TrendForce報道，消費端產(chǎn)品價格上漲主要原因來自于三星的戰(zhàn)略，更側(cè)重于將產(chǎn)品分配給企業(yè)客戶，因為企業(yè)級存儲產(chǎn)品通常比消費端產(chǎn)品價格高出40%以上，這反映了對可靠性、穩(wěn)定性、以及更高材料成本的嚴(yán)格要求。

有報告稱，三星的DRAM庫存僅維持在6周左右的供應(yīng)鏈，大約是6至12周正常水平的一半。作為三大原廠里產(chǎn)能最大的一家，三星有望在這一由供應(yīng)商主導(dǎo)的細(xì)分市場中獲得更高的利潤。近期有傳言稱，三星會將全部存儲產(chǎn)品的價格上調(diào)80%以上，不過官方已經(jīng)對此否認(rèn)，并未對所有存儲產(chǎn)品全面漲價80%。

與DRAM的情況類似，NAND閃存也處于價格上漲的浪潮中。傳聞去年末，三星與主要客戶簽訂了供應(yīng)合同，從今年1月起開始執(zhí)行更高的采購價格。盡管外界猜測2026年第一季度漲幅超過100%，但是有業(yè)內(nèi)人士透露，三星還沒有正式公布價格，不過預(yù)計漲幅也會在50%以上。除了三星以外，其他NAND閃存制造廠商也將提高報價，預(yù)計漲幅在50%至80%。

無論如何，存儲器的這次漲價潮仍然在繼續(xù)，相比于第一季度的大幅跳漲，第二季度趨勢有可能相對緩和。

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不過，它強(qiáng)大了也不全都是好事……消息稱三星正在策劃新一輪存儲器價格上漲，雖然沒有此前傳言的80%那么離譜，但預(yù)計漲幅也會在50%以上。這輪漲價潮看來是停不下來了，不知道大家怎么看呢？

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