受AI算力需求爆發(fā)影響，存儲芯片價格在2026年開年之后，繼續(xù)維持狂飆模式。

市場研究機構(gòu)Counterpoint Research發(fā)布報告顯示，存儲市場行情已經(jīng)超過2018年的歷史高點，供應(yīng)商議價能力已達到歷史最高水平，預(yù)計2026年第一季度市場價格還將上漲40%至50%，第二季度繼續(xù)上漲約20%。

有數(shù)據(jù)顯示，16GB DDR5筆記本內(nèi)存條價格在幾個月內(nèi)從380多元漲至1399元；256GB DDR5服務(wù)器內(nèi)存條價格已超過4萬元/條，一盒100根總價約400萬元，已超過上海部分中小戶型房產(chǎn)的價值。

TrendForce集邦咨詢調(diào)查報告則顯示，存儲芯片上漲帶動下游電子消費品價格上漲。終端產(chǎn)品面臨成本考驗，智能手機、個人電腦預(yù)計將上修產(chǎn)品價格、調(diào)降規(guī)格。

這意味著，2026年，可能成為消費電子的“最貴之年”。

AI需求激增，芯片廠商集體“向錢看”

存儲芯片價格上漲的直接原因，與AI服務(wù)器需求激增直接相關(guān)。

公開數(shù)據(jù)顯示，單臺AI服務(wù)器的內(nèi)存需求，是傳統(tǒng)服務(wù)器的8到10倍。隨著AI服務(wù)器需求的上漲，為了滿足不斷增長的內(nèi)存需求，手握巨量資金的AI巨頭鎖定了大量高帶寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)能。

相比于傳統(tǒng)內(nèi)存（如GDDR5）的2D平面形態(tài)，HBM不再將內(nèi)存芯片平鋪在電路板上，而是像搭積木一樣將它們垂直堆疊起來。

堆疊的各層芯片之間通過數(shù)以千計的“硅通孔”實現(xiàn)垂直互聯(lián)，這些TSV如同連接高樓各層的專用高速電梯，讓數(shù)據(jù)在芯片內(nèi)部直接上下傳輸，路徑大大縮短，以此提升數(shù)據(jù)傳輸效率。

據(jù)京東平臺顯示，部分256GB DDR5服務(wù)器內(nèi)存已超過4萬元/條

相比于傳統(tǒng)內(nèi)存，HBM的核心優(yōu)勢在于帶寬極高、功耗更低、占用物理空間小，成為了AI服務(wù)器的最佳內(nèi)存選擇。

不過，生產(chǎn)一片HBM晶圓所消耗的綜合產(chǎn)能，是生產(chǎn)一片同尺寸標(biāo)準(zhǔn)DRAM晶圓的3倍以上。

為了追求利潤最大化，全球三大存儲巨頭（三星、SK海力士、美光）將有限的、通用的高端產(chǎn)能（晶圓、制程、封裝），大規(guī)模轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)向利潤更高的服務(wù)器和HBM。這直接剝奪了傳統(tǒng)存儲產(chǎn)品（尤其是DDR4/LPDDR4X）的產(chǎn)能供給。

而市場另一端，傳統(tǒng)存儲領(lǐng)域的“長尾需求”依然存在。于是，尖銳的供需矛盾引發(fā)價格飆升，并通過產(chǎn)業(yè)鏈的恐慌備貨和投機行為被進一步放大。

目前，新的晶圓廠和封裝產(chǎn)能建設(shè)周期長達2-3年，存儲芯片的產(chǎn)能緊張局面在短期內(nèi)難以根本緩解。2026年全球存儲芯片供應(yīng)量預(yù)計僅增長7%-8%，遠(yuǎn)低于20%-25%的需求增速。

2026，消費電子的“最貴之年”

當(dāng)大量產(chǎn)能轉(zhuǎn)向利潤更高的高帶寬內(nèi)存（HBM）后，消費電子產(chǎn)品所使用的傳統(tǒng)DRAM和NAND Flash則因供應(yīng)嚴(yán)重不足而大幅漲價，繼而將持續(xù)推高包括智能手機、PC在內(nèi)的各類終端售價。

據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，2026年第一季度通用型DRAM合約價格環(huán)比漲幅將達55%至60%，NAND閃存產(chǎn)品價格也將上升33%至38%，其中消費級大容量QLC產(chǎn)品漲幅不低于40%。

“過去儲存芯片占終端產(chǎn)品成本約20%，經(jīng)過本輪價格暴漲，如今已普遍升至30%以上，部分高端機型甚至超過35%。終端市場如果不漲價，就無法消化成本壓力�！比褐亲稍儓�(zhí)行副總經(jīng)理兼首席分析師陳軍表示。

聯(lián)想官網(wǎng)售價顯示，其5000元以上筆記本年初價格較2025年年末漲價幅度在500元至1500元不等。另有多名聯(lián)想零售端商家表示，從2025年下旬便開始實施漲價方案，漲幅約在5%至10%。

戴爾、惠普等也都在計劃漲價，漲幅最高達20%。惠普CEO Enrique Lores警告稱，2026年下半年“可能尤其艱難”，必要時將上調(diào)價格。

聯(lián)想CFO鄭孝明同樣表示：“到2026年，由于內(nèi)存價格整體上行，漲價是必然趨勢�！彼嘎叮菊ㄟ^長期供應(yīng)合同、期貨及戰(zhàn)略囤貨等多種方式保障內(nèi)存供應(yīng)。

PC之外，IDC則表示，內(nèi)存半導(dǎo)體在智能手機的成本占比已從此前的10%至15%飆升至最近的20%以上。其中，中低端手機的存儲成本占比更是接近30%，部分千元手機已陷入負(fù)毛利區(qū)間。

IDC預(yù)測，2026年智能手機平均售價將升至465美元，整體市場營收將會達到5789億美元，創(chuàng)歷史新高。

最新的Counterpoint Research研究預(yù)計，受存儲成本上升影響，全球智能手機市場在2026年或?qū)⒊尸F(xiàn)“量減價升”的態(tài)勢。

該機構(gòu)預(yù)測2026年全球智能手機平均售價同比上漲6.9%，同全球智能手機出貨量將減少2.1%。其中，200美元以下低價位段受影響最為明顯，整體市場都將受到波及。

TrendForce集邦咨詢也下修了2026年全球智能手機生產(chǎn)出貨預(yù)期，從原先的年增0.1%調(diào)整為年減2%，且再度下修2026年全球筆記本電腦出貨為年減5.4%，不排除擴大至年減10.1%。

“如果2026年第二季存儲器價格漲幅未合理收斂，而品牌無法順利轉(zhuǎn)嫁成本，那么低階、消費型筆記本電腦需求可能會進一步走弱。”TrendForce稱。（文 | 科技潛線，作者| 饒翔宇 編輯 | 鐘毅）