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隨著行業(yè)對邏輯芯片和存儲芯片的需求持續(xù)旺盛，ASML繼續(xù)加大對人工智能驅(qū)動型基礎(chǔ)設(shè)施的投資。

ASML表示，在可預(yù)見的未來，先進(jìn)邏輯和存儲芯片的供應(yīng)仍將受到限制。

在 2026 年第一季度財報電話會議上，ASML 總裁兼首席執(zhí)行官 Christophe Fouqet 強(qiáng)調(diào)，隨著 AI 工廠規(guī)模擴(kuò)大到下一個階段，對先進(jìn)邏輯和存儲芯片的需求呈指數(shù)級增長，公司加大了對必要工具的投資，以加快 AI 生態(tài)系統(tǒng)中先進(jìn)邏輯和存儲芯片的生產(chǎn)。

客戶正在積極增加產(chǎn)能，其背后的原因是解決包括人工智能、移動設(shè)備和個人電腦在內(nèi)的終端市場面臨的產(chǎn)能限制。

該公司公布了2026年第一季度按系統(tǒng)劃分的銷售額，其中51%的市場份額來自存儲器相關(guān)終端應(yīng)用系統(tǒng)，其余49%的銷售額來自邏輯設(shè)計。EUV光刻技術(shù)仍保持領(lǐng)先地位，收入份額達(dá)66%，而DUV光刻機(jī)（ArF浸沒式）的收入份額為23%。

韓國半導(dǎo)體工廠是全球最繁忙的地區(qū)，占比45%，其次是臺灣（23%）和中國大陸（19%）。美國位列第四，占比12%（2026年第一季度）。ASML的大部分EUV/DUV系統(tǒng)供應(yīng)給三星、臺積電、中芯國際和英特爾。ASML目前被限制向中國大陸銷售其高端EUV光刻設(shè)備，但DUV設(shè)備的銷售不受限制。然而，由于美國立法者正計劃禁止向中國大陸出口DUV技術(shù)，這種情況可能會發(fā)生變化。

ASML總裁兼首席執(zhí)行官Christophe Fouqet表示：展望未來市場，半導(dǎo)體行業(yè)的增長前景持續(xù)穩(wěn)固，這主要得益于人工智能相關(guān)基礎(chǔ)設(shè)施的投資。這些投資正在推動諸多領(lǐng)域?qū)ο冗M(jìn)邏輯芯片和存儲芯片的需求增長。在可預(yù)見的未來，需求將繼續(xù)超過供應(yīng)。這將對從人工智能到移動設(shè)備和個人電腦等終端市場造成供應(yīng)緊張，并促使我們的客戶積極擴(kuò)充產(chǎn)能。

隨著DRAM制造商向更新的工藝節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)型，存儲器領(lǐng)域?qū)舛薊UV和DUV光刻機(jī)的需求也在持續(xù)增長。ASML的訂單量持續(xù)增加，并表示正與合作伙伴攜手滿足其需求，同時提供“生產(chǎn)力升級”方案，以在短期內(nèi)優(yōu)化生產(chǎn)效率。

內(nèi)存芯片需求的增長主要來自SK海力士、三星和美光等HBM廠商，他們依賴EUV光刻技術(shù)來制造HBM3E、HBM4和HBM4E等新一代標(biāo)準(zhǔn)芯片。這些新標(biāo)準(zhǔn)對于NVIDIA和AMD即將推出的加速器至關(guān)重要，而這些加速器的需求量將非常旺盛。

ASML總裁兼首席執(zhí)行官強(qiáng)調(diào)，除了擴(kuò)大產(chǎn)能外，先進(jìn)的DRAM和邏輯器件客戶在新工藝節(jié)點(diǎn)上持續(xù)采用EUV和浸沒式深紫外光刻技術(shù)，這進(jìn)一步增加了他們對光刻技術(shù)的需求。因此，ASML的訂單量持續(xù)強(qiáng)勁，我們與客戶保持緊密聯(lián)系，以滿足他們的需求。同時，我們還為客戶提供現(xiàn)有設(shè)備的產(chǎn)能升級方案，以滿足其短期產(chǎn)量需求。

展望未來，ASML正致力于研發(fā)升級版低數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)，其每小時產(chǎn)量至少可達(dá)330片晶圓。該系統(tǒng)預(yù)計將于下一個十年之初交付。ASML還發(fā)布了新款NXE:3800E PEP-E光刻機(jī)，在套刻精度相近的情況下，晶圓產(chǎn)量從每小時220片提升至每小時230片。

ASML表示，在技術(shù)方面，我們持續(xù)取得顯著進(jìn)展，并在今年二月于圣何塞舉行的SPIE先進(jìn)光刻和圖案化會議上重點(diǎn)展示了多項(xiàng)最新成果。會上，我們發(fā)布了更新后的低數(shù)值孔徑EUV產(chǎn)品路線圖，其中體現(xiàn)了我們對這些產(chǎn)品短期和長期計劃的改進(jìn)。這包括在下一個十年之初實(shí)現(xiàn)低數(shù)值孔徑EUV每小時至少330片晶圓的加工能力，這主要得益于我們持續(xù)改進(jìn)光源功率，正如我們近期演示的1000瓦光源所證明的那樣。

根據(jù)ASML的路線圖，該公司預(yù)計將在2029-2030年推出其先進(jìn)的NXE:4200G低數(shù)值孔徑系統(tǒng)，晶圓輸出能力至少為300瓦/小時。與此同時，高數(shù)值孔徑EVU系統(tǒng)將推出EXE:5200D，提供2納米以下級芯片（A14及以下），晶圓輸出能力至少為175瓦/小時。

ASML計劃到下一個十年初將其芯片產(chǎn)量提高50%，方法是將其設(shè)備中光源的功率提高66%。雖然這要到2030年才能實(shí)現(xiàn)，但該公司正致力于通過升級現(xiàn)有和即將推出的設(shè)備，提高晶圓產(chǎn)量，來解決供應(yīng)緊張的問題。

（來源：wccftech）

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