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2026年3月下旬，在EUV設備領域，半導體行業(yè)投下了一顆震動全球供應鏈的深水炸彈：SK海力士（SK hynix）正式宣布，將向荷蘭巨頭ASML訂購價值約80億美元（11.9萬億韓元）的極紫外（EUV）光刻設備。

與此同時，馬斯克正在推進的野心勃勃的“Terafab”項目，也開始試圖跨越傳統(tǒng)產業(yè)分工，將先進制程納入核心能力版圖，也是潛在EUV設備的購買者。

除了這些新的需求外，先進制程邏輯代工廠如臺積電、三星、英特爾仍在圍繞2nm及以下節(jié)點持續(xù)加碼，將EUV視為維持制程領先的標配。三星已組建專門1nm研發(fā)團隊，預計2029年前后量產，內部叫“Dream Process（夢想工藝）”，明確需要High-NA EUV。

在這場名為算力的盛宴上，ASML是唯一的廚師。而現在，門外的食客已經排到了2028年，且每個人的盤子都越換越大。EUV，真的不夠賣了。

80億美元，

一場鎖定未來的“船票”之爭

3月24日，SK海力士在一份監(jiān)管文件中表示，將購買價值 11.95 萬億韓元（大約79.7億美元）的ASML EUV光刻設備，預計將在2027年12月31日前采購相關設備，用于新產品的量產。伯恩斯坦公司的分析師大衛(wèi)·道估計，該訂單代表著兩年內新增30臺EUV設備，略高于他之前預測的26臺。

80億美元買30臺機器，這在十年前的存儲行業(yè)是不可想象的。但在這個2026年的時間節(jié)點，這只是AI競賽的起步價。

為什么SK海力士敢在此時拋出80億美元的豪賭？答案可能藏在它即將在美國進行的144億美元巨額IPO中。

SK海力士不再把自己看作一個受行業(yè)周期波動影響的內存廠，而是一個AI基建運營商。這形成了一個完美的商業(yè)閉環(huán)：

一個是向投資者展示這80億美元的EUV訂單，證明自己是AI時代最核心的“軍火商”，從而獲得遠超傳統(tǒng)存儲行業(yè)的估值。如果把自己定義為內存廠，市盈率可能只有10倍，但如果定義為 “AI必經之路的收費站”，估值就可以向英偉達（30-50 倍）靠攏；

另外一方面是以錢生錢，利用美國資本市場籌集的百億美金，支付ASML的賬單，并持續(xù)擴充產能。這種一邊狂買設備，一邊美股籌款的策略，反映了AI存儲競賽已進入資本密集度極高的階段。

這份價值80億美元的訂單不僅是SK海力士單筆支出的“天花板”，更是半導體行業(yè)從“產品競爭”轉向“產能/資本護城河競爭”的一個轉折點。

在這份監(jiān)管文件中，最讓人關注的一個點是“拉入條款”（Pull-in Clause）。該條款允許SK海力士在必要時優(yōu)先購買設備。要知道，30臺EUV幾乎占據了ASML未來兩年對應制程設備很大一部分產出。2025年，ASML的訂單積壓額就已經高達388億歐元，產能是全球半導體最稀缺的資源。

SK海力士不惜背負巨額債務也要提前鎖定這30臺設備，其實也是對競爭對手的最強力回應。三星雖然擁有更多的EUV總量，但在HBM3E的良率門檻前徘徊太久。SK海力士此舉意在通過“一代領先，代代領先”的資本投入，徹底封死三星翻盤的窗口。盡管美光在2025年憑借低能耗優(yōu)勢一度威脅到SK海力士，但SK海力士現在的策略是：用規(guī)模換取生存空間。

另外的兩個競爭對手也在加大研發(fā)支出。三星尚未確定2026年的支出，但指出設備解決方案部門（芯片部門）的支出將從2025 年的40.9萬億韓元（283 億美元）大幅增加。美光科技在去年12月表示，將把資本支出增加45%，達到約200億美元。

在AI基礎設施建設瘋狂推進的今天，這30臺EUV光刻機不僅是機器，更是SK海力士在HBM4時代保住霸主地位的“船票”。

HBM，把存儲推入“EUV時代”

在半導體制造的版圖中，EUV 光刻機正從邏輯芯片的“專屬王冠”，演變?yōu)?SK 海力士穩(wěn)坐 HBM 鐵王座的底層基石。這一轉變的核心驅動力，正是即將開啟存儲新紀元的 HBM4（第七代高帶寬存儲器）。

曾幾何時，存儲廠商對 EUV 的態(tài)度極為克制。受限于嚴苛的成本壓力，EUV 在 DRAM 生產中長期扮演著“手術刀”的角色——僅在 DUV 多重曝光（Multi-patterning）導致良率損耗觸及紅線、工藝復雜到難以承受時，才會被有限地引入極少數關鍵層。

盡管三星較早開啟了EUV DRAM 的量產先河，SK海力士在 2021 年后持續(xù)加碼，美光也明確將在 1δ 節(jié)點全面提升 EUV 滲透率，但整體而言，DRAM 的微縮（Scaling）路徑一直比邏輯芯片更為保守，對極紫外光的依賴尚處于“可控”階段。

然而，AI時代的降臨徹底打碎了這種循序漸進的節(jié)奏，強行改寫了DRAM 的運行法則。

長期以來，HBM的勝負手被認為在于后端封裝（如SK海力士引以為傲的MR-MUF技術）。但隨著步入2026年，競爭的維度再次發(fā)生了偏移。在HBM3時代，DRAM顆粒對EUV的需求尚在可控范圍。隨著第六代10nm級（1c）DRAM成為HBM4的基礎底座，EUV光刻的次數從之前的局部應用轉變?yōu)槿趾诵?。換句話說，單位容量的存儲芯片，現在正消耗比以往多得多的EUV機時。

總而言之，EUV設備不再僅僅是提高良率的輔助工具，而是決定HBM4產能上限的“戰(zhàn)略質押物”。存儲巨頭們未來將從EUV的輕度試用者，逐漸轉變?yōu)闉橹囟纫蕾囌摺?/p>

這30臺EUV將分別部署在兩個核心要塞：清州M15X和龍仁半導體集群。其中，清州M15X于去年10月啟用的潔凈室現在正加速部署，它將成為全球最大的HBM專業(yè)組裝與測試中心；另一邊，龍仁集群方面，SK海力士將首座晶圓廠的啟用時間從5月提前到2月，這種近乎瘋狂的基建速度，正是為了配合這批EUV的抵達。這不僅是SK海力士的企業(yè)決策，更是韓國國家戰(zhàn)略的延伸。通過在龍仁形成物理意義上的“EUV高密度區(qū)”，SK海力士正在構建一個外人難以逾越的技術圍堰。

馬斯克，也要搶EUV光刻機

如果說SK海力士的80億美元訂單是一場存儲老牌巨頭的“圈地自?！?，那么來自硅谷的另一股勢力，則正在試圖通過“暴力拆解”供應鏈邏輯，來跨界掠奪EUV緊缺資源。

這個攪局者，就是馬斯克。

隨著 FSD（全自動駕駛）進入端到端大模型時代，以及Optimus人型機器人的量產倒計時，馬斯克意識到：“我們需要的芯片，現有供應體系不夠?！瘪R斯克本人甚至在 1 月份的財報電話會議上暗示，由于傳統(tǒng)半導體廠（Fab）的建設邏輯太慢，特斯拉要用「制造機器的機器思維」，重新設計一套高效率的EUV潔凈室環(huán)境。

盡管特斯拉目前與三星有 AI6 芯片的代工協議（價值約165億美元），但全球先進制程產能（2nm/3nm）基本被蘋果、英偉達、高通等瓜分，特斯拉拿不到足夠的份額來支撐其百萬臺機器人的愿景。因此，就像當年自造4680電池一樣，特斯拉希望將邏輯芯片、內存和先進封裝全部整合在一個建筑下。

于是，2026年3月21日，馬斯克在德州奧斯汀正式公布了Terafab項目。奧斯汀晶圓廠將在單一建筑內，集齊邏輯芯片、存儲芯片、先進封裝、測試以及光刻掩模版（Mask）生產所需的全部設備。馬斯克聲稱，全球沒有任何其他設施具備這種綜合能力。這種‘全屋集成’模式將開啟極速迭代循環(huán)：制造芯片、進行測試、修改掩模版，然后立即重復這一過程，而無需在不同廠區(qū)之間跨境運輸晶圓。

該工廠預計將生產兩種芯片：一種將針對邊緣推理進行優(yōu)化，主要用于特斯拉汽車和Optimus人形機器人。另一種是專為太空環(huán)境設計的高功率芯片，馬斯克表示，為了最大限度地減少衛(wèi)星上的散熱器質量，這種芯片的運行溫度將高于“地面”設計。

Terafab項目投資額預估在 200億至 250億美元之間，每年產出 1 Terawatt的AI算力。1 Terawatt是什么概念呢？當前全球產出的算力約20GW/年，也就是大約50倍的差距。其野心是生產能滿足空間環(huán)境（SpaceX 衛(wèi)星）和地面邊緣側（Optimus、EV）的高端芯片。

（圖片來源：特斯拉/SpaceX）

馬斯克沒有給出TeraFab何時開始生產芯片或達到目標產量的具體時間表。特斯拉、SpaceX 和 xAI將繼續(xù)從現有供應商采購芯片，包括臺積電、三星和美光，并補充說他希望這些供應商“盡快擴大規(guī)?！?。

盡管Terafab尚未披露具體設備采購計劃，但如果其目標是實現先進制程芯片生產，那么EUV光刻機幾乎是不可繞開的核心環(huán)節(jié)。在發(fā)布會上，特斯拉明確Terafab 將鎖定 2nm甚至更先進的制程節(jié)點。在半導體物理中，7nm以下就必須要用EUV，5nm / 3nm / 2nm更是高度依賴EUV。2nm節(jié)點的制造必須使用ASML生產的高數值孔徑 EUV（High-NA EUV）。沒有這類設備，根本無法實現 2nm 晶體管的刻蝕。

著名分析師 Klein在3月23日的簡報中明確指出：“ASML將是Terafab計劃的核心受益者”。報告提到，特斯拉首期200億美元的設備預算中，很大一部分預留給了單價超過4億美元的High-NA EUV光刻機。

據彭博社援引行業(yè)知情人士消息，特斯拉已開始與ASML接觸，討論未來的交付席位。當這個擁有無限現金流的科技巨頭入場，原本就捉襟見肘的 EUV 產能，將面臨前所未有的“全球級大擠兌”。

ASML：訂單拿到手軟

需求已經失控，瓶頸只剩供給。問題最終落在一家公司：ASML。

在全球半導體產業(yè)鏈中，EUV一直是一種極端特殊的存在。它幾乎完全由ASML一家供應，單臺設備價格高達數億美元，制造復雜度極高，年出貨量長期維持在數十臺級別，而交付周期大約1-2年。換句話說，EUV從誕生之初，就不是一個可以通過簡單擴產來滿足需求的“標準工業(yè)品”。

那么ASML一年產多少臺EUV呢？目前缺口是怎樣的呢？

數據來源：ASML歷年財報數據

按照測算，當前ASML每年的EUV出貨能力大致在50至60臺之間。從中期來看，隨著AI基礎設施建設的持續(xù)推進，ASML也在嘗試提升產能。市場普遍預期，到2028年前后，其EUV年出貨量有望提升至約90臺。

但即便如此，這一數字在需求端面前，依然顯得頗為緊張。

在過去，EUV的主要需求幾乎完全由先進邏輯芯片廠商所主導，在2023年之前，EUV訂單中約 85% 是給臺積電這種邏輯代工廠的。臺積電、三星以及英特爾，它們?yōu)榱送七M先進制程節(jié)點，每年持續(xù)消化數十臺（預計40-50）EUV設備，基本構成了這一市場的“基本盤”。

但是在AI時代，一個新的變量正在快速放大——存儲廠。歷史上存儲廠對EUV的需求占比僅為10%-15%。從2025年開始，由于HBM4的強力驅動，DRAM廠商對EUV的消化量將占據接近50%。

據投資者的網站測算，到2028年，ASML預計出貨約92臺EUV設備，其中44臺用于 DRAM廠，剩下的給邏輯廠。SK海力士一家就需要30臺。如果將美光與三星的擴產計劃一并納入，整個存儲行業(yè)對EUV的需求正在從過去的“個位數”水平，迅速邁向“數十臺”的量級。

這就給了EUV光刻機供應商ASML很大的壓力。截至2025年底，該公司積壓訂單達到創(chuàng)紀錄的388億歐元，其中EUV系統(tǒng)占總量的65%。其產能排期甚至已經延伸至2027年。這意味著，對大多數客戶來說，現在的問題不是買不買，而是還能不能排到。

從歷年的數據可以看出，ASML的EUV產能提升是極其緩慢的線性增長（每年僅能多造10-15臺）。一臺EUV光刻機背后，涉及多個不可替代環(huán)節(jié)：光學系統(tǒng)來自德國蔡司（Zeiss），屬于全球唯一供應，極紫外光源來自ASML旗下Cymer，但核心部件仍依賴多家精密供應商，關鍵反射鏡需要原子級精度加工，良率極低。這意味著，EUV的擴產并不是增加一條產線就能解決的問題，而是需要整條高端制造鏈條同步爬坡。

與此同時，EUV本身也在發(fā)生一場代際躍遷。當前主流設備為Low-NA EUV，而面向2nm及以下節(jié)點，ASML正在推進新一代高數值孔徑（High-NA EUV）設備。相比現有設備，其分辨率提升約70%，但代價是：單臺價格提升至3億–4億美元以上，體積更大、復雜度更高，產能更受限制。更關鍵的是，High-NA EUV的早期產能極其有限，初期幾乎只會分配給少數頭部客戶。

面對AI人工智能芯片制造商激增的需求。最近ASML宣布計劃裁減1700人，約占其全球員工總數的4%。ASML 官方明確表示，這次裁員 90% 針對的是管理崗（Leadership roles）和 IT 支持崗位。過去五年，ASML 為了應對全球芯片荒經歷了瘋狂的人員擴張。但在 2nm 和 HBM4 的關鍵前夜，公司發(fā)現組織變得過于臃腫，內部溝通成本極高。首席執(zhí)行官傅恪禮（Christophe Fouquet）直言不諱：“工程師們反映，他們的大量時間不再花在研發(fā)上，而是消耗在了復雜的矩陣式管理中?！?裁撤 1700 個管理崗，本質上是去官僚化。ASML要通過裁減指揮的人，騰出預算和編制去招聘更多干活的人（核心設備工程師）。

結語

僧多粥少，當所有人都在搶EUV，結果是，原本集中于少數玩家之間的設備競爭，正在演變?yōu)橐粓龈鼜V泛的“資源爭奪”。而一個更扎心的事實是，SK海力士的這份訂單揭示了一個殘酷的未來：半導體行業(yè)的“入場費”已經上漲到了普通玩家無法承受的高度。

*免責聲明：本文由作者原創(chuàng)。文章內容系作者個人觀點，半導體行業(yè)觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業(yè)觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯系半導體行業(yè)觀察。

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