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隨著 SoC 設(shè)計(jì)向先進(jìn)節(jié)點(diǎn)發(fā)展，以及人工智能、新型傳感器技術(shù)和嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)帶來(lái)的新需求，非易失性存儲(chǔ)器的選擇變得越來(lái)越復(fù)雜。

2025 年第二份年度 NVM 調(diào)查報(bào)告于 12 月完成，該報(bào)告反映出，市場(chǎng)仍然依賴于現(xiàn)有技術(shù)，但為了應(yīng)對(duì)這些新的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)限制，市場(chǎng)正在越來(lái)越多地嘗試替代方案。

超過(guò)80%的受訪者表示他們正在使用或評(píng)估嵌入式非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)。20%的受訪者目前正在尋找NVM，近30%的受訪者預(yù)計(jì)將在未來(lái)一年內(nèi)選擇NVM IP?？偠灾@表明該市場(chǎng)既成熟又活躍。相當(dāng)一部分近期決策尚未做出，這意味著各種競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)之間仍存在很大的發(fā)展空間。

圖：受訪者計(jì)劃何時(shí)選擇非易失性存儲(chǔ)器

嵌入式閃存在技術(shù)認(rèn)知度方面仍然占據(jù)主導(dǎo)地位，超過(guò) 80% 的受訪者對(duì)其有所了解，這反映了其長(zhǎng)期以來(lái)作為默認(rèn)選擇的地位。盡管如此，調(diào)查顯示人們對(duì)閃存以外的其他技術(shù)也越來(lái)越熟悉。FRAM、MRAM 和 ReRAM 的認(rèn)知度均超過(guò)四分之一，表明其他非易失性存儲(chǔ)器 (NVM) 技術(shù)如今也已成為主流認(rèn)知的一部分。

供應(yīng)商的知名度也遵循類似的模式。少數(shù)幾家供應(yīng)商因其知名度而脫穎而出，依次為SST（嵌入式閃存）、英飛凌（SONOS）和Weebit Nano（ReRAM）。

當(dāng)被問(wèn)及嵌入式非易失性存儲(chǔ)器（NVM）選擇標(biāo)準(zhǔn)的重要性時(shí)，結(jié)果強(qiáng)調(diào)了實(shí)用性?？煽啃?、耐久性和數(shù)據(jù)保持能力均名列前茅，加權(quán)平均分均遠(yuǎn)高于3.0（滿分4.0），證實(shí)它們?nèi)匀皇乔度胧絅VM選擇的基礎(chǔ)要求。工藝可擴(kuò)展性緊隨其后，得分也超過(guò)3.0，反映出將傳統(tǒng)嵌入式NVM擴(kuò)展到嵌入式閃存無(wú)法擴(kuò)展的先進(jìn)幾何結(jié)構(gòu)中變得越來(lái)越困難。電源效率的得分也超過(guò)3.0。集成風(fēng)險(xiǎn)和長(zhǎng)期可預(yù)測(cè)性僅略遜一籌，表明制造準(zhǔn)備和生命周期穩(wěn)定性現(xiàn)在幾乎與原始技術(shù)性能同等重要。這表明市場(chǎng)正在走向成熟；人們認(rèn)識(shí)到新型NVM的原始技術(shù)能力是存在的，但集成的風(fēng)險(xiǎn)和成本正成為真正的擔(dān)憂，尤其是在閃存集成不可行的情況下。

風(fēng)險(xiǎn)和痛點(diǎn)數(shù)據(jù)強(qiáng)化了這一觀點(diǎn)?？蓴U(kuò)展性限制和功耗性能權(quán)衡最為突出，二者的加權(quán)平均分均超過(guò) 3.0 分（滿分 4.0 分），表明它們被視為當(dāng)前非易失性存儲(chǔ)器 (NVM) 部署的關(guān)鍵制約因素，尤其是在先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)中。可靠性問(wèn)題和成本不確定性緊隨其后，同樣位列評(píng)分較高的位置，表明長(zhǎng)期可預(yù)測(cè)性和經(jīng)濟(jì)風(fēng)險(xiǎn)仍然是許多設(shè)計(jì)方案尚未解決的問(wèn)題。綜上所述，這些壓力有助于解釋為什么人們對(duì)替代 NVM 技術(shù)的認(rèn)知度不斷提高，即使在采用方面仍然持謹(jǐn)慎態(tài)度。

圖. 按重要性排序的痛點(diǎn)

設(shè)計(jì)壓力似乎增長(zhǎng)速度超過(guò)了傳統(tǒng)存儲(chǔ)器的適應(yīng)能力。與去年的調(diào)查相比，變化的并非人們對(duì)嵌入式閃存信心的喪失，而是其面臨的壓力明顯加劇。如今，越來(lái)越多的團(tuán)隊(duì)開(kāi)始評(píng)估替代方案，并非出于好奇，而是因?yàn)閿U(kuò)展性、功耗和長(zhǎng)期可預(yù)測(cè)性正成為未來(lái)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵制約因素。

總體而言，2025 年的調(diào)查并未顯示嵌入式閃存將被突然棄用，但它確實(shí)表明，從傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)向新型非易失性存儲(chǔ)器 (NVM) 的過(guò)渡正進(jìn)入一個(gè)更為關(guān)鍵的階段，并且隨著設(shè)計(jì)開(kāi)始向出于技術(shù)原因需要新型 NVM 的節(jié)點(diǎn)過(guò)渡，這一進(jìn)程可能會(huì)加速。人們對(duì)替代 NVM 的認(rèn)知度正在提高，評(píng)估范圍也在擴(kuò)大，相當(dāng)一部分團(tuán)隊(duì)預(yù)計(jì)將在未來(lái)一年內(nèi)做出具體的 IP 選擇。

圖：規(guī)劃設(shè)計(jì)從節(jié)點(diǎn)開(kāi)始

外部預(yù)測(cè)也指向同一方向：Yole Group 的展望表明，到 2030 年，嵌入式新興 NVM 的市場(chǎng)規(guī)模可能達(dá)到 33 億美元，這主要得益于下一代 MCU 和 SoC 中 MRAM、PCM 和 ReRAM 等技術(shù)的采用。

與去年的結(jié)果相比，發(fā)展方向更加明確：?jiǎn)栴}不再是嵌入式閃存能否進(jìn)一步擴(kuò)展，而是它能夠持續(xù)滿足擴(kuò)展性、能效、可靠性和成本可預(yù)測(cè)性的綜合需求多久。

對(duì)于許多 SoC 團(tuán)隊(duì)來(lái)說(shuō)，NVM 的選擇正在從一種背景假設(shè)轉(zhuǎn)變?yōu)橐豁?xiàng)緊迫的架構(gòu)決策，這將影響下一代設(shè)計(jì)的產(chǎn)品可行性。

https://semiwiki.com/ip/366930-memory-matters-signals-from-the-2025-nvm-survey/

（來(lái)源：編譯自semiwiki）

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