文|錢眼君

來源|博望財經(jīng)

2025年第四季度，全球半導(dǎo)體界被一則業(yè)績預(yù)告點燃：三星電子單季度營業(yè)利潤同比暴增208.2%，首次突破20萬億韓元（約合138億美元）的歷史性關(guān)口。與此同時，美國存儲巨頭閃迪股價單日暴漲超27%，韓國SK海力士、三星電子股價延續(xù)瘋狂漲勢，不斷刷新紀(jì)錄。

這一切瘋狂表現(xiàn)的背后，有一個共同的引爆點——人工智能（AI）。英偉達(dá)創(chuàng)始人黃仁勛在2026年國際消費電子展（CES）上斷言，AI對存儲的龐大需求將帶來“一個從未見過的市場”。他的話音剛落，資本市場便用真金白銀為存儲芯片的未來投下了信任票。

這不是一次普通的行業(yè)回暖，而是一場“超級周期”的史詩級行情。TrendForce集邦咨詢的數(shù)據(jù)顯示，2025年第三季度DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增30.9%，達(dá)414億美元；前五大NAND品牌商合計營收季增16.5%，逼近171億美元。領(lǐng)軍企業(yè)SK海力士更是發(fā)出預(yù)警：DRAM缺貨情況可能要持續(xù)到2028年。

其實當(dāng)存儲這個曾經(jīng)被視為“成本部件”的行業(yè)，升級為AI基礎(chǔ)設(shè)施的“戰(zhàn)略物資”時，一場關(guān)乎技術(shù)主權(quán)、產(chǎn)業(yè)安全與資本回報的深度變革早已拉開序幕。筆者將深入拆解存儲芯片“超級周期”的驅(qū)動邏輯，回溯其跌宕起伏的產(chǎn)業(yè)歷程，并在這場全球性的資源爭奪戰(zhàn)中，探尋中國本土力量的突圍路徑與投資價值。

01

數(shù)字世界的記憶之湖

如果把整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)比作海洋，那么存儲芯片就是匯聚成海洋的一片廣袤的湖泊。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主要包括集成電路、光電器件、傳感器件和分立器件四大類，其中集成電路占據(jù)約83%的市場規(guī)模。

圖：錢眼君

而在集成電路內(nèi)部，存儲芯片與邏輯芯片貢獻(xiàn)了最大價值量。根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織(WSTS)的統(tǒng)計，2024年，全球半導(dǎo)體市場銷售額約6305.49億美元，其中，邏輯電路銷售額約為2157.68億美元，存儲芯片銷售額約為1655.16億美元。

圖：2024年全球半導(dǎo)體市場細(xì)分品類銷售額(億美元)。綜合自WSTS、佰維存儲招股書、華金證券

存儲芯片又稱為半導(dǎo)體存儲器，是指利用電能方式存儲信息的半導(dǎo)體介質(zhì)設(shè)備，其存儲與讀取過程體現(xiàn)為電子的存儲或釋放。在數(shù)字化世界，我們的手機(jī)、電腦、汽車等等無不依賴數(shù)據(jù)的存與讀來執(zhí)行指令，可以說，存儲芯片是數(shù)字化世界的“記憶之湖”，其容量與速度，直接決定了數(shù)據(jù)洪流的承載與處理能力。

根據(jù)斷電后是否保留信息，存儲芯片可分為易失性存儲芯片（RAM）和非易失性存儲芯片（ROM）兩大家族。RAM是計算機(jī)的主內(nèi)存，用于臨時存儲正在運行的程序和當(dāng)前使用的數(shù)據(jù)。之所以“易失”，是因為一旦斷電，存儲在其中的數(shù)據(jù)就會丟失。在計算機(jī)運行過程中，RAM允許數(shù)據(jù)的快速讀寫操作，以便快速處理信息。市面上最主流的DRAM就是RAM家族的一種常見類型，其成本相對較低但集成度高，可以制造出較大容量的內(nèi)存模塊。

另一個ROM家族里，閃存芯片（FLASH）是最常見的類型。FLASH 可分為 NOR 和 NAND 兩種，兩者區(qū)別在于存儲單元連接方式不同，導(dǎo)致兩者讀取方式不同。

圖：結(jié)合東芯股份招股說明書、公開資料整理

NOR由于支持隨機(jī)訪問，讀取速度比NAND 快；而NAND 以塊為單位進(jìn)行擦除和寫入操作，其擦除和寫入速度比NOR快很多。NAND內(nèi)部電路更簡單，因此數(shù)據(jù)密度大、體積小，成本也低，市場上一些大容量的FLASH都采用NAND型，像大家常用的 SSD、U盤、SD卡等。小容量的2M - 12M的FLASH多是NOR型，NOR比較適合頻繁隨機(jī)讀寫的場合，通常用于存儲程序代碼并直接在閃存內(nèi)運行。相比于Flash，DRAM具有較高讀寫速度、存儲時間短等優(yōu)勢，但單位成本更高，主要用于PC內(nèi)存（如DDR）、手機(jī)內(nèi)存（如LPDDR）和服務(wù)器等設(shè)備。

圍繞存儲芯片的廣袤湖泊，產(chǎn)業(yè)鏈如上下游支流般地延展開來：上游參與者主要集中于芯片原材料方向，包括硅片、光刻膠、靶材、拋光材料、電子特種氣體等半導(dǎo)體材料供應(yīng)商和光刻機(jī)、PVD、CVD、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、封測設(shè)備等半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商；

產(chǎn)業(yè)鏈中游為存儲芯片制造商，主要負(fù)責(zé)存儲芯片的設(shè)計、制造和封測，常見的存儲芯片包括DRAM、NAND閃存芯片和NOR閃存芯片等；

產(chǎn)業(yè)鏈下游為應(yīng)用方向，包括消費電子、汽車電子、信息通信、人工智能等應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)的企業(yè)，各類電子化和智能化設(shè)備都離不開存儲芯片應(yīng)用。很長時期以來，存儲芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展一直由美、日、韓三國主導(dǎo)，國產(chǎn)存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展則經(jīng)歷了一個漫長的追趕過程。

02

歷史回響與國產(chǎn)足跡：存儲芯片的演進(jìn)之路

要深刻理解今日存儲芯片“超級周期”的意義與現(xiàn)今國產(chǎn)廠商的機(jī)遇，必須將其置于產(chǎn)業(yè)發(fā)展的長河之中審視。美國、日本、韓國的半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展史，在一定程度上也是世界半導(dǎo)體芯片的發(fā)展歷程。我國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)則是一部從無到有、從追趕到并跑的技術(shù)演進(jìn)史，也是一部后發(fā)者如何借勢破局、構(gòu)建自主體系的奮斗史。

1、浪潮之巔：一部跌宕起伏的產(chǎn)業(yè)進(jìn)化史

存儲芯片的故事，始于對“記憶”載體效率的永恒追求。在半導(dǎo)體存儲器問世前，計算機(jī)曾使用笨重的磁鼓存儲器，乃至更原始的穿孔紙卡。1949年，磁芯存儲器的發(fā)明統(tǒng)治了計算機(jī)存儲長達(dá)二十余年，但其體積龐大、速度緩慢。

圖：磁鼓存儲器，中科院半導(dǎo)體研究所公眾號

真正的革命發(fā)生在1968年。摩爾與諾伊斯創(chuàng)立英特爾（Intel），并將目光鎖定在計算機(jī)存儲器上。1970年，劃時代的1K容量DRAM產(chǎn)品1103誕生，它以10美元的售價、每個比特1美分的極致性價比，被冠以“磁芯存儲器殺手”的稱號，正式開啟了半導(dǎo)體存儲時代，英特爾也借此迅速崛起。

非易失性存儲的突破，則源于一位日本工程師的“叛逆”構(gòu)想。上世紀(jì)80年代，東芝的桀岡富士雄提出了一個在當(dāng)時看來反直覺的思路——刻意降低性能以削減成本，發(fā)明一種可以一次性快速擦除全部數(shù)據(jù)的存儲裝置，即“閃存（Flash）”。盡管最初不被公司理解，在上級的支持下，桀岡先后提出了NOR Flash和NAND Flash的概念。其中，NAND Flash因其在存儲密度、耐用性和成本上的巨大潛力，徹底改變了移動數(shù)據(jù)存儲的面貌。

產(chǎn)業(yè)的每一次代際更迭，都伴隨著慘烈的競爭與戰(zhàn)略豪賭。韓國三星的崛起便是經(jīng)典案例。在創(chuàng)始人李秉喆聽取“半導(dǎo)體勝負(fù)關(guān)鍵在于數(shù)量”的建議后，三星義無反顧地選擇了市場規(guī)模最大的存儲器作為突破口，并通過多次“逆周期投資”——在市場低谷時瘋狂擴(kuò)建產(chǎn)能、壓低價格，最終拖垮對手，從追趕者蛻變?yōu)槿蝾I(lǐng)導(dǎo)者。

進(jìn)入21世紀(jì)，存儲芯片的技術(shù)挑戰(zhàn)從平面逐步走向立體。當(dāng)2D NAND閃存因物理極限難以微縮時，3D NAND技術(shù)（如三星的V-NAND）應(yīng)運而生，通過垂直堆疊存儲單元來繼續(xù)提升容量與性能。

圖：從2D向4D演進(jìn)的示意圖--SK海力士官網(wǎng)、華金證券

我們可以理解為，2D是平鋪“建平房”，而3D則是向上突破“蓋高樓”。當(dāng)下，為滿足AI對超高帶寬的需求，將多個DRAM芯片垂直堆疊并通過硅通孔（TSV）連接的HBM（高帶寬內(nèi)存）技術(shù)成為新的戰(zhàn)略制高點。

存儲芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展史，宛然是一部“技術(shù)突破-規(guī)模量產(chǎn)-成本制勝”不斷循環(huán)的史詩。每一次技術(shù)路線的拐點，都是新舊勢力更替的窗口。

2、中國征程：從0到1的自主破局

中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)的起步，伴隨著巨大的市場落差與迫切的安全焦慮。長期以來，由于不掌握核心技術(shù)，中國每年花費巨額外匯進(jìn)口芯片。數(shù)據(jù)顯示，從2006年開始，中國集成電路產(chǎn)業(yè)產(chǎn)品的進(jìn)口超過石油成為中國最大宗進(jìn)口產(chǎn)品。2013年—2016年，中國每年芯片進(jìn)口額超過2000億美元。其中，2016年進(jìn)口金額為2270.26億美元，是同期原油進(jìn)口金額的兩倍，“缺芯之痛”催生了國家層面的戰(zhàn)略決心。（其實早在90年代，我國就已經(jīng)對發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要性有了認(rèn)識，并進(jìn)行了多種嘗試，比較著名的有“909工程”及華虹集團(tuán)、中芯國際等諸多代表性公司成立等等，篇幅有限我們不展開敘述）

2014年，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（“國家大基金”）成立，一期募資1387億元，二期超2000億元。與以往項目不同，大基金采取市場化運作：重點扶持行業(yè)龍頭，且不干預(yù)企業(yè)日常經(jīng)營。在這一背景下，長江存儲與長鑫存儲等領(lǐng)軍企業(yè)承載起中國在NAND和DRAM領(lǐng)域自主可控的希望。

長江存儲成立于2016年。其突圍的關(guān)鍵在于核心技術(shù)——晶棧?Xtacking?架構(gòu)。在該架構(gòu)推出前，市場上的3D NAND主要分為傳統(tǒng)并列式架構(gòu)和CuA（CMOSunderArray）架構(gòu)。通過創(chuàng)新布局和縝密驗證，長江存儲將晶圓鍵合這一關(guān)鍵技術(shù)在3D NAND閃存上得以實現(xiàn)。

長鑫存儲則主攻DRAM領(lǐng)域。2019年，其量產(chǎn)第一代19nm工藝DDR4芯片，標(biāo)志著中國自主研發(fā)的DRAM技術(shù)取得從“0”到“1”的突破。此后，長鑫穩(wěn)步推進(jìn)技術(shù)迭代，逐步構(gòu)建起覆蓋DDR4、LPDDR4X、DDR5、LPDDR5X的產(chǎn)品矩陣。

除了制造端的突破，產(chǎn)業(yè)鏈其他環(huán)節(jié)也在同步成長。例如，江波龍電子通過自研主控芯片、建設(shè)自有封測基地，能夠快速響應(yīng)本土客戶的定制化需求。佰維存儲構(gòu)筑了研發(fā)封測一體化的經(jīng)營模式，在存儲介質(zhì)特性研究、固件算法開發(fā)、存儲芯片封測、測試研發(fā)、全球品牌運營等方面具有核心競爭力，并積極布局芯片IC設(shè)計、先進(jìn)封測、芯片測試設(shè)備研發(fā)等技術(shù)領(lǐng)域。

中國存儲產(chǎn)業(yè)的崛起路徑，可以說是一條融合了國家戰(zhàn)略引導(dǎo)、聚焦核心技術(shù)突破、依托巨大內(nèi)需市場并逐步構(gòu)建完整生態(tài)的中國特色創(chuàng)新之路，那么站在當(dāng)前“三重共振”的機(jī)會節(jié)點上，有將有哪些機(jī)遇和挑戰(zhàn)？我們下篇再繼續(xù)聊