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1月13日消息，韓國存儲(chǔ)巨頭 SK 海力士（SK Hynix）宣布，將在韓國忠清北道清州投資約19萬億韓元（約合人民幣900億元），建設(shè)一座新的芯片封裝工廠，重點(diǎn)服務(wù) AI 相關(guān)存儲(chǔ)產(chǎn)品。

SK 海力士表示，此次投資旨在應(yīng)對(duì) AI 帶動(dòng)下的 HBM 需求激增。公司預(yù)計(jì)，2025年至2030年間，HBM 市場年復(fù)合增長率將達(dá)到33%，提前布局封裝與測試能力已成為保障 AI 存儲(chǔ)穩(wěn)定供應(yīng)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。項(xiàng)目計(jì)劃于今年4月啟動(dòng)建設(shè)，并于2027年底完工。

韓國存儲(chǔ)巨頭SK海力士將投資約19萬億韓元（約合人民幣900億元）建設(shè)一座新的芯片封裝工廠

新建工廠將成為清州園區(qū)的重要組成部分，主要承擔(dān) HBM 及其他 AI 存儲(chǔ)產(chǎn)品的先進(jìn)封裝任務(wù)。項(xiàng)目完成后，SK 海力士將在利川、清州以及美國西拉法葉形成三大先進(jìn)封裝基地，進(jìn)一步強(qiáng)化從晶圓制造到封裝測試的垂直整合能力。

目前，清州已是 SK 海力士在韓國的重要生產(chǎn)樞紐，園區(qū)內(nèi)集中了 M11、M12、M15等多座晶圓廠，以及現(xiàn)有的封裝與測試設(shè)施。公司預(yù)計(jì)，即將投產(chǎn)的 M15X 晶圓廠將與新規(guī)劃的封裝設(shè)施形成協(xié)同效應(yīng)，使清州具備覆蓋 NAND、DRAM 及 HBM 全流程的生產(chǎn)能力。SK 海力士亦強(qiáng)調(diào)，此次投資不僅出于短期效率考量，也希望在中長期層面強(qiáng)化韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，并推動(dòng)區(qū)域產(chǎn)業(yè)均衡發(fā)展。

在宣布擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃前，SK 海力士已在 CES 2026上集中展示面向 AI 的下一代存儲(chǔ)解決方案，并明確將 AI 視為未來技術(shù)與業(yè)務(wù)布局的核心方向。公司表示，將通過與關(guān)鍵客戶的更緊密合作，在 AI 時(shí)代探索新的商業(yè)價(jià)值空間。

SK 海力士的動(dòng)作，也折射出整個(gè)存儲(chǔ)行業(yè)的競爭態(tài)勢。其主要競爭對(duì)手三星電子同樣在加速擴(kuò)充 HBM 產(chǎn)能，以滿足包括英偉達(dá)在內(nèi)的大客戶需求。三星此前披露，計(jì)劃在2026年將 HBM 產(chǎn)能提升約50%，并正在評(píng)估新增生產(chǎn)線的可行性。

此外，三星還宣布將在平澤建設(shè)新的半導(dǎo)體工廠集群，相關(guān)投資規(guī)模達(dá)415億美元，預(yù)計(jì)2028年投產(chǎn)，顯著高于其此前在當(dāng)?shù)氐耐顿Y水平。市場機(jī)構(gòu)預(yù)測，三星在 DRAM 及 HBM 領(lǐng)域的月產(chǎn)能將在2026年前持續(xù)提升，并在新一代 HBM4技術(shù)上加大投入。

整體來看，隨著 AI 計(jì)算需求持續(xù)推高算力與內(nèi)存門檻，HBM 正從高端產(chǎn)品演變?yōu)?AI 生態(tài)中的基礎(chǔ)性資源。SK 海力士此次近130億美元的封裝擴(kuò)產(chǎn)，不僅是對(duì)短期訂單的回應(yīng)，更是其在 AI 存儲(chǔ)長期競爭中搶占主動(dòng)權(quán)的重要布局。（AI普瑞斯編譯）