每年開年之際舉行的CES 國際消費電子展不僅是消費電子廠商的展示舞臺，也是芯片大廠之間的競技場。去年，英特爾、AMD、英偉達、高通、Arm這幾大芯片巨頭就輪番上場，吸足了目光。今年在內(nèi)存價格暴漲、2 納米工藝量產(chǎn)、AI軍備大戰(zhàn)延續(xù)等熱點話題催動下，芯片領(lǐng)域的動態(tài)依然占據(jù)著CES舞臺的中心。

AI芯片博弈，從云端走向邊緣

如果說2025年的AI芯片競爭聚焦于數(shù)據(jù)中心的算力比拼，2026年的CES則呈現(xiàn)“云端深耕+邊緣爆發(fā)”的雙重格局。英特爾、AMD、英偉達、高通等巨頭紛紛瞄準AI PC、AI座艙、物理AI（機器人、AR眼鏡）等落地場景，通過新品發(fā)布與生態(tài)協(xié)同，爭奪全場景AI算力主導(dǎo)權(quán)。

英偉達雖未占據(jù)CES官方核心演講位，卻依然是焦點所在。黃仁勛在密集的行程中，重點強調(diào)了人工智能的新趨勢，發(fā)展重心正從純粹的“數(shù)字智能”邁向與物理世界交互的“物理AI”。演講中，黃仁勛詳細闡述了AI能力演進的下一個關(guān)鍵階段：從大語言模型的“記憶與生成”邁向智能體（Agent）的“推理與行動”。他解釋，早期模型會產(chǎn)生“幻覺”，是因為它們?nèi)狈υ诨卮鹎斑M行“基礎(chǔ)研究”的能力。而現(xiàn)代智能體框架能夠進行思維鏈推理，主動規(guī)劃步驟、調(diào)用工具，從而解決從未被明確訓(xùn)練過的新問題。

AMD董事會主席兼CEO蘇姿豐發(fā)表了本屆CES的開幕主題演講。她表示，全球計算基礎(chǔ)設(shè)施的需求從2022年的月1 ZettaFLOPS增長到2025年的超100 ZettaFLOPS。未來需要將全球計算能力再增加100倍，也就是到Y(jié)ottaFLOPS級別，這也意味著每秒可完成10的24次方次浮點運算。

技術(shù)新品依然是CES的重點。英偉達在CES2026期間正式推出了最新的Rubin平臺。Rubin平臺由六款全新芯片組成，通過Vera CPU、Rubin GPU、NVLink 6交換器、ConnectX-9 SuperNIC、BlueField-4 DPU與Spectrum-6以太網(wǎng)絡(luò)交換器的協(xié)同設(shè)計，整合成一臺AI超級計算機，可大幅縮短AI訓(xùn)練時間并降低推理Token生成成本。黃仁勛表示這些產(chǎn)品“已經(jīng)全面投產(chǎn)”。

英特爾發(fā)布了首款基于Intel 18A制程（2nm級）的計算平臺——第三代酷睿Ultra系列處理器（代號Panther Lake）。其旗艦型號最高配備16個CPU核心、12個Xe核心和50TOPSNPU算力，帶來高達60%的多線程性能提升。

AMD同樣發(fā)布多款新品，包括新一代AI芯片MI455X GPU、Ryzen AI 400系列處理器、Ryzen AI Max+系列新款處理器、AI開發(fā)平臺Ryzen AI Halo等。蘇姿豐還透露了AMD未來兩年芯片路線圖：下一代MI500系列有望在2027年推出，基于CDNA 6架構(gòu)、搭載HBM4e、采用2nm工藝。

高通宣布推出面向主流商務(wù)本和輕薄本市場的X2 Plus平臺，搭載第三代 Oryon CPU（最高主頻4.0GHz），分為10核和6核兩個版本，并配備新一代Adreno GPU與Hexagon NPU。10核版本 CPU單核性能較前代平臺提升35%、多核性能提升17%，GPU性能提升29%，NPU性能提升78%。

量產(chǎn)啟動，2納米開啟爭霸賽

2026年的CES標志著半導(dǎo)體行業(yè)正式邁入“2納米時代”的量產(chǎn)競速戰(zhàn)。18A工藝是英特爾在本屆CES上的核心展示之一。英特爾表示，18A首家在?規(guī)模量產(chǎn)節(jié)點上結(jié)合了全柵極環(huán)繞與背?供電，將芯片的能效和密度推向新的高度。全柵極環(huán)繞讓架構(gòu)師能夠更精確地控制電流，背?供電提升了電力傳輸和信號完整性。相比Intel 3，Intel 18A每瓦性能提?15%以上，晶體管密度提升了30%。英特爾希望通過這款產(chǎn)品驗證其代工服務(wù)（IFS）的競爭力，爭取蘋果、亞馬遜等外部客戶，同時，英特爾也已經(jīng)開始研發(fā)更先進的14A等技術(shù)。

臺積電在2025年第四季度已啟動2納米（N2）工藝量產(chǎn)，成為首家基于全柵極環(huán)繞架構(gòu)提供代工服務(wù)的廠商。盡管臺積電并未披露具體客戶名單，但行業(yè)普遍推測，蘋果、高通等核心客戶的下一代產(chǎn)品將依托其2納米工藝落地。CES期間其合作伙伴的新品亦陸續(xù)釋出相關(guān)產(chǎn)品信號。

三星亦于2025年12月宣布基于2納米GAA工藝的移動應(yīng)用處理器Exynos 2600正式量產(chǎn)。但良率提升仍是其核心挑戰(zhàn)。行業(yè)消息顯示，高通、AMD正在評估三星2納米工藝，特斯拉等AI芯片需求大戶的訂單態(tài)度，將成為三星能否扭轉(zhuǎn)局勢的關(guān)鍵。CES2026上，三星或通過Exynos 2600的終端適配產(chǎn)品，展示其2納米工藝的商業(yè)化成果。

內(nèi)存漲價，存儲成關(guān)注重點

2026年消費電子市場的最大變量，莫過于內(nèi)存價格的暴漲。受AI服務(wù)器需求激增影響，三星、SK海力士等內(nèi)存廠商將70%產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高毛利的HBM、DDR5產(chǎn)品，導(dǎo)致消費級內(nèi)存結(jié)構(gòu)性缺貨，2025年DDR4在半年內(nèi)漲幅超過200%，移動端LPDDR5X內(nèi)存價格漲幅超40%。這一趨勢直接推高消費電子成本。存儲產(chǎn)品相關(guān)動態(tài)也成為本屆CES上的關(guān)注重點。

SK海力士在CES上設(shè)立專屬客戶展館，集中展示面向AI的下一代存儲器解決方案，包括下一代HBM產(chǎn)品“16層 48GB HBM4”。這是12層 36GB HBM4之后的后續(xù)版本，目前正根據(jù)客戶需求穩(wěn)步推進研發(fā)工作。除HBM之外，SK海力士還將重點展出面向AI服務(wù)器的低功耗內(nèi)存模組SOCAMM2，端側(cè)AI場景的LPDDR6、321層2Tb（太比特）QLC產(chǎn)品等。

芯片大廠則通過技術(shù)升級推動內(nèi)存效率提升。例如，英偉達 RTX 50 Super系列采用更高速率的GDDR7顯存，在提升帶寬的同時優(yōu)化能效；英特爾、AMD則通過Chiplet封裝技術(shù)，實現(xiàn)內(nèi)存資源的靈活分配，提升利用效率。CES2026上，這些技術(shù)方案的展示，將為行業(yè)指明內(nèi)存漲價周期下的技術(shù)破局方向。

從2納米工藝的量產(chǎn)競速，到AI芯片的全場景卡位，再到內(nèi)存漲價下的技術(shù)演變，都是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重構(gòu)的縮影。對于行業(yè)而言，本屆CES不僅是技術(shù)與產(chǎn)品的展示，更是尋找成本與創(chuàng)新、短期利益與長期布局平衡點的契機。