高通面向筆記本電腦市場推出的首批 3nm 平臺 Snapdragon X2 Elite 系列中，旗艦款 X2 Elite Extreme 被曝并未采用常見的 N3E 或 N3P 制程，而是轉向以極限性能為目標的臺積電 3nm N3X 工藝，希望在高電壓與高頻率下榨干單核與多核表現(xiàn)，以支撐其最高可達 5.00GHz、最多 18 核的高性能配置。

來自 Moor Insights & Strategy 的技術拆解顯示，Snapdragon X2 Elite Extreme 采用類似蘋果“統(tǒng)一內存”的 SiP 封裝方案，把 RAM、存儲等多種元件與 SoC 封裝在同一模塊中，通過 192 位內存總線、128GB 內存上限以及最高 9523 MT/s 的內存頻率，將帶寬拉高至 228GB/s，這一數(shù)字雖超過蘋果 M5，但仍低于 M4 Pro 約 273GB/s 的水平。 整顆芯片集成晶體管數(shù)量約 310 億個，N3X 相比 N3P 在高性能計算場景下可額外帶來約 5% 的性能增幅，不過代價是晶體管密度和能效相對吃虧，高通也將 X2 Elite Extreme 設計在超過 1.0V 的工作電壓上運行，以換取更高的頻率空間。

在實際功耗設定上，這顆芯片在解鎖功耗限制時可沖破 100W 閾值，在部分散熱條件較好的筆電機身中則可長時間維持 40W 級別，以支撐高負載下的持續(xù)性能輸出。 然而，目前公開的 Cinebench 2024 單核與多核測試結果顯示，在同等條件下，X2 Elite Extreme 仍落后于蘋果 M4 Max；在 GPU 端，面對 M4 Pro 在 3DMark Steel Nomad Light Unlimited、3DMark Solar Bay Unlimited 等合成基準中最高可達約 45% 的領先優(yōu)勢，高通這顆新旗艦同樣處于下風，令業(yè)界對 N3X 帶來的“極限性能紅利”是否物有所值產(chǎn)生疑問。

從節(jié)點策略上看，高通此次選擇 N3X，意味著首度有商用大規(guī)模芯片偏離 TSMC 目前主流的 N3P 路線，優(yōu)先追求高頻與峰值性能，而非面積和能效最優(yōu)解。 報道認為，至少從目前有限的公開基準測試來看，這一選擇尚未兌現(xiàn)預期中的“碾壓式”領先，高通押注的極限性能路線是否能在更廣泛的實際應用與整機設計中發(fā)揮優(yōu)勢，還需要后續(xù)更多機型與實測數(shù)據(jù)給出答案。