最新消息，美國(guó)政府已經(jīng)放寬了美國(guó)制造的半導(dǎo)體設(shè)備出口至三星電子和SK海力士中國(guó)工廠的限制。

根據(jù)最新報(bào)道，美國(guó)商務(wù)部工業(yè)與安全局（BIS）已經(jīng)放寬了對(duì)韓國(guó)芯片巨頭三星電子（Samsung Electronics）和SK海力士（SK Hynix）向中國(guó)工廠出口美國(guó)制造的半導(dǎo)體設(shè)備的限制。

這一變化標(biāo)志著從嚴(yán)格的“逐次審批”轉(zhuǎn)向“年度批量審批”制度，旨在平衡國(guó)家安全考量與企業(yè)運(yùn)營(yíng)需求。該政策于 2025 年 12 月底正式生效。

這兩家公司據(jù)稱都已獲得美國(guó)方面對(duì)其 2026 年設(shè)備進(jìn)口計(jì)劃的批準(zhǔn)。

●三星電子：已獲得2026年年度許可，允許向中國(guó)西安工廠（主要生產(chǎn)DRAM）進(jìn)口指定設(shè)備。該許可覆蓋維護(hù)性進(jìn)口，但不包括產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃。

●SK海力士：同樣獲得2026年批準(zhǔn)，針對(duì)無錫和重慶工廠（NAND閃存生產(chǎn)）。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，兩家公司均已提交詳細(xì)進(jìn)口清單，并獲BIS初步通過。

有效期：許可直至 2026 年底，可根據(jù)企業(yè)需求申請(qǐng)續(xù)期，但需重新審查。

這是中美科技戰(zhàn)中的“精準(zhǔn)松綁”，針對(duì)盟友企業(yè)而非中國(guó)本土廠商（如中芯國(guó)際）。

此舉為三星和SK海力士提供了運(yùn)營(yíng)緩沖，避免了2026年初的設(shè)備短缺風(fēng)險(xiǎn)。韓國(guó)媒體稱，這讓韓企“松了一口氣”，有助于維持中國(guó)工廠的全球市場(chǎng)份額（三星中國(guó)產(chǎn)能占其總DRAM的約20%，SK海力士NAND占15%）。

政策回顧：

??原有VEU制度：自2023年起，三星電子和SK海力士的中國(guó)子公司（如三星中國(guó)半導(dǎo)體有限公司和SK海力士中國(guó)工廠）享有“經(jīng)核準(zhǔn)最終用戶”（Validated End-User, VEU）資格。這允許它們無時(shí)間限制、無需單獨(dú)許可地從美國(guó)進(jìn)口半導(dǎo)體制造設(shè)備（包括光刻機(jī)、蝕刻設(shè)備等），以支持在華工廠的成熟節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)。

??2025年收緊措施：2025年8月底至9月，美國(guó)BIS突然撤銷了包括三星、SK海力士及英特爾（Intel）在內(nèi)的多家企業(yè)的VEU資格，計(jì)劃于2025年12月31日起生效。這要求企業(yè)為每一筆設(shè)備進(jìn)口單獨(dú)申請(qǐng)出口許可，審查周期可能長(zhǎng)達(dá)數(shù)月，導(dǎo)致潛在的運(yùn)營(yíng)中斷和成本增加。原因是美國(guó)加強(qiáng)了對(duì)華先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的出口管制，以防止技術(shù)擴(kuò)散至中國(guó)本土企業(yè)。

??政策轉(zhuǎn)折：在企業(yè)強(qiáng)烈反對(duì)和政府協(xié)商后，BIS于 12 月下旬部分松綁，推出過渡性年度審批機(jī)制。這被視為“折衷方案”，但仍禁止用于中國(guó)工廠的擴(kuò)產(chǎn)或技術(shù)升級(jí)，僅限維持現(xiàn)有產(chǎn)能。

??操作流程：企業(yè)需提前提交年度設(shè)備進(jìn)口計(jì)劃（包括型號(hào)、數(shù)量、用途），經(jīng)BIS審查后獲得配額批準(zhǔn)。批準(zhǔn)后，當(dāng)年內(nèi)設(shè)備進(jìn)口無需額外許可，但必須嚴(yán)格遵守用途申報(bào)（如僅用于DRAM/NAND閃存的成熟制程生產(chǎn)）。

??受限設(shè)備：主要針對(duì)美國(guó)產(chǎn)或含美國(guó)技術(shù)的半導(dǎo)體設(shè)備，如應(yīng)用于蝕刻、沉積、測(cè)試的工具。先進(jìn)節(jié)點(diǎn)（7nm以下）設(shè)備仍受全面禁令。