半導(dǎo)體行業(yè)迎來(lái)歷史性時(shí)刻！

英特爾正式宣布，全球首臺(tái)套刻精度達(dá)0.7納米的第二代High-NA EUV光刻機(jī)完成安裝調(diào)試，這臺(tái)被寄予厚望的ASML TWINSCAN EXE:5200B設(shè)備，不僅打破了先進(jìn)制程的技術(shù)瓶頸，更直接點(diǎn)燃了亞1納米時(shí)代的競(jìng)爭(zhēng)戰(zhàn)火。

對(duì)普通消費(fèi)者而言，這意味著未來(lái)AI芯片、高端手機(jī)處理器將更快實(shí)現(xiàn)性能躍升，而對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)，格局或?qū)⒂瓉?lái)顛覆性重構(gòu)。

可能有人會(huì)問(wèn)，0.7納米精度到底有多牛？簡(jiǎn)單說(shuō)，這相當(dāng)于把兩層芯片圖案的對(duì)準(zhǔn)誤差控制在頭發(fā)絲直徑的十萬(wàn)分之一以內(nèi)。在半導(dǎo)體制程進(jìn)入1納米以下的“埃米時(shí)代”，這種精度是繞不開(kāi)的核心門檻——此前傳統(tǒng)EUV光刻機(jī)的套刻精度僅能達(dá)到數(shù)納米級(jí)別，無(wú)法支撐高密度晶體管的穩(wěn)定量產(chǎn)。

英特爾此次突破，直接將層間對(duì)準(zhǔn)誤差壓縮到0.7納米，為其14A（約1.4nm）工藝量產(chǎn)掃清了最大障礙。

這臺(tái)“精度怪獸”的實(shí)力遠(yuǎn)不止于此。它搭載了更高功率的EUV光源，單次曝光分辨率達(dá)到8納米，不僅能減少多重曝光次數(shù)，還能降低芯片邊緣粗糙度，大幅提升良率；產(chǎn)能方面更是實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵突破，每小時(shí)可處理175片晶圓，目標(biāo)直指200片/小時(shí)，徹底解決了初代High-NA EUV設(shè)備產(chǎn)能不足的痛點(diǎn)。要知道，先進(jìn)制程的產(chǎn)能直接決定了芯片廠商的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，英特爾這一步相當(dāng)于為14A工藝的規(guī)?；慨a(chǎn)鋪好了快車道。

此次突破背后，是英特爾絕地反擊的野心。在晶圓代工市場(chǎng)，臺(tái)積電長(zhǎng)期占據(jù)64.9%的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，三星緊隨其后，英特爾則一度游離在前十之外。但隨著14A工藝的推進(jìn)，戰(zhàn)局正在生變。據(jù)悉，已有兩家潛在代工客戶對(duì)14A節(jié)點(diǎn)給出正面反饋，更有消息稱英特爾有望在2028年為蘋果非Pro版iPhone代工芯片，從臺(tái)積電手中分走關(guān)鍵訂單。而這一切的基礎(chǔ)，正是這臺(tái)0.7納米精度光刻機(jī)帶來(lái)的工藝自信。

更關(guān)鍵的是，這一進(jìn)展標(biāo)志著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正式邁入High-NA EUV量產(chǎn)時(shí)代。在此之前，英特爾于2023年底接收的初代EXE:5000設(shè)備僅用于技術(shù)研發(fā)，而此次EXE:5200B的驗(yàn)收，證明了High-NA EUV技術(shù)從實(shí)驗(yàn)室走向工廠的可行性。對(duì)整個(gè)行業(yè)而言，這將推動(dòng)1納米以下工藝的普及，讓AI芯片、量子計(jì)算等前沿領(lǐng)域的技術(shù)落地速度加快，最終惠及新能源汽車、智能終端等萬(wàn)千產(chǎn)業(yè)。

當(dāng)然，還是會(huì)有不少的爭(zhēng)議與挑戰(zhàn)。有觀點(diǎn)認(rèn)為，0.7納米是套刻精度而非制程節(jié)點(diǎn)，英特爾14A工藝本質(zhì)是1.4nm級(jí)別，與臺(tái)積電、三星的2nm制程處于同一競(jìng)爭(zhēng)維度。且單臺(tái)High-NA EUV設(shè)備成本超3億美元，巨額投入能否轉(zhuǎn)化為市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)仍需時(shí)間檢驗(yàn)。但不可否認(rèn)的是，英特爾通過(guò)率先掌握第二代High-NA EUV技術(shù)，已經(jīng)在亞1nm時(shí)代的競(jìng)爭(zhēng)中搶占了先機(jī)。

接下來(lái)的幾年，將是半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵決戰(zhàn)期。英特爾計(jì)劃2027年啟動(dòng)14A工藝風(fēng)線生產(chǎn)，2028年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；臺(tái)積電則將A14節(jié)點(diǎn)量產(chǎn)鎖定在2028年左右，三星也在全力推進(jìn)2nm制程。而這臺(tái)0.7納米精度光刻機(jī)的落地，絕對(duì)會(huì)讓英特爾在這場(chǎng)“精度與速度”的較量中，多了一張王牌。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的格局是否會(huì)因此改寫(xiě)？讓我們拭目以待。

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