導讀：挑戰(zhàn)英偉達！國產芯片發(fā)現(xiàn)新路徑，2年就能大規(guī)模商用

算力的天花板，終于要被打破了？

近日，存儲芯片價格陡然上揚，DDR4、LPDDR4X等產品較年初漲幅近達50%，推動芯片交易型開放式指數(shù)基金（ETF）單日漲幅達3.58%，資本市場呈現(xiàn)出一片活躍景象。

從表面來看，這是供需關系失衡所導致的結果。一方面，AI大模型對存儲的需求如洶涌洪水般急劇增長；另一方面，存儲芯片原廠仍在實施減產策略，致使供給難以與需求相匹配，價格自然隨之大幅攀升。然而，若將這種價格上漲簡單地視為普通的價格波動，無疑是對其影響的輕描淡寫。

真正令市場高度緊張的是，單純依賴GPU堆疊的發(fā)展模式已然走到盡頭。GPU猶如一座高速運轉的工廠，但若數(shù)據(jù)無法及時輸入，或者存儲空間不足，即便擁有再先進的設備，也只能陷入停工等待的困境。這種“存儲墻”問題，已成為整個行業(yè)共同面臨的嚴峻挑戰(zhàn)。

即便像英偉達這樣的行業(yè)巨頭，也不得不從架構層面探尋新的解決方案。英偉達一方面采用將光模塊與芯片直接封裝在一起的方式，以降低數(shù)據(jù)傳輸損耗；另一方面大規(guī)模應用HBM高帶寬存儲技術，以追求更快的數(shù)據(jù)傳輸速度，同時積極嘗試近存計算技術，使數(shù)據(jù)處理盡可能在存儲設備附近完成。

但問題在于，美國早早就將先進工藝和高端技術列入“實體清單”，不僅通過一紙禁令切斷了相關產品的出口渠道，即便有部分產品勉強流入市場，大多也是經過閹割的版本，性能大幅降低。在高帶寬存儲芯片領域，更是被三星和SK海力士牢牢掌控，二者產能占比高達90%，且價格往往是普通內存的5倍之多。

正因如此，我們已無其他選擇。然而，也正是在這種外部壓力的逼迫之下，國內高校與企業(yè)在多個領域齊頭并進，奮力探索出了一系列全新的解決方案。

清華大學與復旦大學的科研團隊率先成功研制出近存計算原型芯片，其能耗較傳統(tǒng)芯片直接降低一半以上；長鑫存儲的HBM樣品已進入客戶驗證階段，性能直逼國際先進水平；清華大學團隊研發(fā)的憶阻器芯片在圖像識別方面，能效比傳統(tǒng)GPU高出數(shù)十倍。曾經被視為難以跨越的技術障礙，如今正被我們逐一攻克，這無疑是最為有力的回應。

當前，自研自強的浪潮已在全行業(yè)范圍內蓬勃興起，國內眾多企業(yè)積極投身創(chuàng)新實踐，努力突破“卡脖子”技術瓶頸。如今，國產芯片領域已有眾多企業(yè)積極開展戰(zhàn)略布局。更為關鍵的是，我們不再是零星的單點突破，而是逐步構建起了涵蓋設計、制造到應用的完整產業(yè)鏈條。

華為在昇騰、鯤鵬領域持續(xù)投入研發(fā)資源，中芯國際與華虹在制程工藝方面穩(wěn)步推進技術革新，長鑫存儲和壁仞科技在存儲與算力領域加速探索創(chuàng)新路徑，多方力量正共同推動國產解決方案走向成熟。誠如華為董事長徐直軍所言：“最多2年，即可實現(xiàn)大規(guī)模商用?！?這并非空洞的口號，而是整個產業(yè)上下游協(xié)同合作、凝聚合力所賦予的充足底氣。

與此同時，國內大型企業(yè)也以實際行動表明了自身態(tài)度。字節(jié)跳動和阿里巴巴已停止相關產品測試，并取消了英偉達專為中國市場定制的RTX Pro 6000D訂單。對于那些經過性能閹割的產品，我們毅然決然地選擇摒棄，而非一味妥協(xié)退讓。

盡管未來或許仍充滿諸多挑戰(zhàn)，但可以明確的是，任何形式的封鎖都無法真正阻擋中國人追求突破與發(fā)展的堅定步伐。