封裝技術(shù)對(duì)計(jì)算的未來(lái)至關(guān)重要，我們現(xiàn)在需要非常復(fù)雜的先進(jìn)封裝技術(shù)，才能將多個(gè)芯片組裝成一個(gè)巨大的芯片。面向下一代AI訓(xùn)練/推理AI GPU/AI ASIC，追求一次封裝更大規(guī)模Chiplet芯粒、更高HBM堆疊數(shù)，以實(shí)現(xiàn)指數(shù)級(jí)性能提升并且降低成本提升產(chǎn)能。

-全球全新的封裝技術(shù)正加速迭代，海外先進(jìn)封裝產(chǎn)能遭遇瓶頸，國(guó)內(nèi)正在起步加速，但新工藝（如更高的2.5D/3D堆疊與混合鍵合、FOPLP/CoPoS、玻璃基板/混合基板以及系統(tǒng)級(jí)集成）以及初步流片與整個(gè)制造到封裝環(huán)節(jié)的成本問(wèn)題亟待解決。

第26屆電子封裝技術(shù)國(guó)際會(huì)議（ICEPT 2025）8月5-7日在上海嘉定區(qū)喜來(lái)登酒店盛大開(kāi)幕。預(yù)計(jì)將吸引全球近20個(gè)國(guó)家和地區(qū)的超1000名封裝界頂尖專家、學(xué)者、企業(yè)代表及相關(guān)技術(shù)供應(yīng)商積極參與。作為亞太地區(qū)最具影響力的學(xué)術(shù)會(huì)議，ICEPT 2025將推動(dòng)電子封裝技術(shù)的前沿發(fā)展，促進(jìn)人才培養(yǎng)與課程培訓(xùn)，協(xié)同跨學(xué)科合作與產(chǎn)業(yè)鏈，最終服務(wù)新興應(yīng)用場(chǎng)景。

# 關(guān)于ICEPT

電子封裝技術(shù)國(guó)際會(huì)議（ICEPT）創(chuàng)立于1994年，目前已開(kāi)展為亞洲規(guī)模最大、凝聚力最強(qiáng)的封裝技術(shù)會(huì)議之一。會(huì)議固定在中國(guó)舉辦，內(nèi)容涵蓋電子封裝設(shè)計(jì)、制造、測(cè)試，以及光電子、MEMS、系統(tǒng)級(jí)封裝等領(lǐng)域。

ICEPT 2025將集中展示全球最新研究成果，涵蓋先進(jìn)封裝技術(shù)（如3D/異構(gòu)集成、Chiplet、硅光互連等）、材料創(chuàng)新（高導(dǎo)熱、低介電材料）、以及工藝優(yōu)化（如微納制造、熱管理）。這些技術(shù)是延續(xù)摩爾定律、提升芯片性能的關(guān)鍵，對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突破物理極限至關(guān)重要。

# 專業(yè)培訓(xùn)課程促進(jìn)人才培養(yǎng)

該課程為學(xué)術(shù)界（高校、研究所）、產(chǎn)業(yè)界（芯片設(shè)計(jì)、封裝制造、設(shè)備供應(yīng)商）及下游應(yīng)用（AI、5G、汽車(chē)電子）提供交流平臺(tái)。通過(guò)整合設(shè)計(jì)-材料-工藝-應(yīng)用全鏈條資源，可加速技術(shù)轉(zhuǎn)化。

該議題涉及當(dāng)前最熱門(mén)的玻璃基板、硅中介層、硅橋、量子力學(xué)、納米材料以及異構(gòu)集成可靠性與翹曲、散熱的解決方案等，課程數(shù)量遠(yuǎn)超以往ICEPT。這些培訓(xùn)將為行業(yè)輸送高端人才。此外，國(guó)際專家對(duì)封裝可靠性標(biāo)準(zhǔn)、測(cè)試方法的討論，將為行業(yè)規(guī)范提供參考，降低技術(shù)商業(yè)化風(fēng)險(xiǎn)。

ICEPT2025專業(yè)培訓(xùn)課程講師與議題來(lái)自來(lái)自廈門(mén)云天半導(dǎo)體科技有限公司創(chuàng)始人、廈門(mén)大學(xué)特聘教授于大全博士《算力芯片的先進(jìn)封裝技術(shù)》；國(guó)際電氣電子工程師協(xié)會(huì)封裝分會(huì)當(dāng)選主席、奧本大學(xué)教授、ASME Fellow Jeffrey C. Suhling教授《無(wú)鉛焊點(diǎn)的性能和可靠性》；新加坡國(guó)立大學(xué)教授、IEEE Fellow Andrew Tay教授《微電子封裝斷裂與分層分析》；韓國(guó)江南大學(xué)教授Gu-Sung Kim教授《異構(gòu)集成封裝與基板的MEOL設(shè)計(jì)與工藝考量》；中國(guó)臺(tái)灣欣興電子股份有限公司科學(xué)家、IEEE Fellow劉漢誠(chéng)博士《用于小芯片和異構(gòu)集成的先進(jìn)基板》；日本東北大學(xué)教授、IEEE Fellow田中秀治教授《MEMS封裝及其先進(jìn)應(yīng)用》；美國(guó)Pacrim技術(shù)公司 創(chuàng)始人、IEEE Fellow葛維滬博士《先進(jìn)封裝技術(shù)的創(chuàng)新》；中國(guó)科學(xué)院院士、武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院執(zhí)行院長(zhǎng)、IEEE Fellow劉勝教授&武漢大學(xué)動(dòng)力與機(jī)械學(xué)院副院長(zhǎng)郭宇錚教授《量子力學(xué)與分子動(dòng)力學(xué)及在電子制造中應(yīng)用》；漢高公司副總裁、IEEE Fellow呂道強(qiáng)博士《用于電子封裝的納米材料與高分子復(fù)合材料》；中國(guó)炫純科技有限公司創(chuàng)始人、IEEE Fellow李寧成博士《半導(dǎo)體封裝中的高可靠性焊接技術(shù)》。

# 大會(huì)報(bào)告

ICEPT 2025大會(huì)演講專家來(lái)自海內(nèi)外具有幾十年封裝實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)的前輩，大會(huì)報(bào)告不僅是技術(shù)風(fēng)向標(biāo)，更是全球產(chǎn)業(yè)合作的成果展現(xiàn)，將加速封裝技術(shù)創(chuàng)新，強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)鏈韌性，并為后摩爾時(shí)代電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供核心驅(qū)動(dòng)力。

ICEPT2025大會(huì)報(bào)告和題目來(lái)自：國(guó)際電氣電子工程師協(xié)會(huì)封裝分會(huì)當(dāng)選主席、奧本大學(xué)教授Jeffrey C. Suhling教授《老化對(duì)無(wú)鉛焊料電子產(chǎn)品可靠性的影響》；中國(guó)科學(xué)院院士、武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院執(zhí)行院長(zhǎng)劉勝教授《芯片制造及集成多場(chǎng)跨尺度協(xié)同設(shè)計(jì)方法和技術(shù)》；荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授、Jiaco Instruments公司顧問(wèn)Kees Beenakker教授《從DIP到MIP:半導(dǎo)體封裝40年》；上海大學(xué)副校長(zhǎng)張建華教授《面向硅基微顯示的高密度凸點(diǎn)異質(zhì)集成技術(shù)》；臺(tái)灣欣興電子公司科學(xué)家劉漢誠(chéng)博士《基于微泵和Cu-Cu混合鍵合的玻璃芯基板倒裝芯片》；日本大阪大學(xué)菅沼克昭教授《人工智能和功率半導(dǎo)體的先進(jìn)封裝技術(shù)》；日本愛(ài)發(fā)科株式會(huì)社先進(jìn)技術(shù)研究所PE半導(dǎo)體技術(shù)研究部總監(jiān)半那拓博士《制造變革時(shí)代：半導(dǎo)體工藝技術(shù)驅(qū)動(dòng)的晶圓級(jí)與板級(jí)封裝解決方案》、中國(guó)臺(tái)灣日月光半導(dǎo)體資深工程副總經(jīng)理陳光雄先生的先進(jìn)封裝技術(shù)報(bào)告；美國(guó)Boss Precision公司總裁Kitty Pearsall博士《前道先進(jìn)封裝半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)鏈》；日本東北大學(xué)日暮栄治教授《異質(zhì)集成、先進(jìn)傳感器和電子器件的低溫鍵合技術(shù)最新發(fā)展》；北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司第一刻蝕事業(yè)單元副總經(jīng)理李國(guó)榮博士《TSV蝕刻技術(shù)應(yīng)用面臨的挑戰(zhàn)與新進(jìn)展》。

#iHBC 2025特別議題

混合鍵合（Hybrid Bonding）技術(shù)是先進(jìn)封裝領(lǐng)域的革命性突破，它通過(guò)直接銅-銅或介質(zhì)-介質(zhì)鍵合實(shí)現(xiàn)超高密度互連，成為2.5D/3D集成、Chiplet和異構(gòu)集成的關(guān)鍵技術(shù)。ICEPT2025帶來(lái)了特別專題——iHBC 2025國(guó)際混合鍵合研討會(huì)，旨在推動(dòng)半導(dǎo)體先進(jìn)封裝的技術(shù)突破、加速高密度三維堆疊商業(yè)化，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新，應(yīng)對(duì)全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈競(jìng)爭(zhēng)。

iHBC 2025的演講專家議題來(lái)自中國(guó)臺(tái)灣欣興電子公司科學(xué)家劉漢誠(chéng)博士《Cu-Cu混合鍵合的最新進(jìn)展和趨勢(shì)》；奧地利EVG公司首席科學(xué)家Viorel Dragoi博士《混合鍵合作為未來(lái)應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)》；拓荊科技股份有限公司副總經(jīng)理葉五毛博士《鍵合技術(shù)的進(jìn)步推動(dòng)器件結(jié)構(gòu)和封裝技術(shù)創(chuàng)新》；哈爾濱工業(yè)大學(xué)教授王晨曦博士《面向異質(zhì)異構(gòu)集成的低溫混合鍵合技術(shù)》；東南大學(xué)教授李力一博士《混合鍵合的界面問(wèn)題探討》；廣東星空科技裝備有限公司技術(shù)總監(jiān)《推進(jìn)突破鍵合精度與產(chǎn)能瓶頸》；芯慧聯(lián)芯（江蘇）科技有限公司總經(jīng)理任潮群先生《先進(jìn)鍵合工藝在前道制程中的應(yīng)用》；中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員金仁喜博士《混合鍵合互連表界面調(diào)控研究》；中科晶禾公司董事長(zhǎng)母鳳文博士《先進(jìn)混合鍵合技術(shù)與應(yīng)用》。

# ICEPT-ICEP中日封裝交流論壇

大會(huì)期間還舉辦ICEPT-ICEP中日封裝交流論壇，不僅能推動(dòng)雙方半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進(jìn)步，還能增強(qiáng)全球供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性和競(jìng)爭(zhēng)力。

中國(guó)優(yōu)勢(shì)在封裝產(chǎn)能（全球占比38%）、中端封裝技術(shù)（如Fan-out、SiP）及市場(chǎng)應(yīng)用（AI、5G、電動(dòng)汽車(chē)）方面具有競(jìng)爭(zhēng)力。日本在材料與設(shè)備全球領(lǐng)先、精密制造工藝全球領(lǐng)先。中國(guó)可借助日本的高端設(shè)備和材料提升先進(jìn)封裝良率，也有助于日本通過(guò)中國(guó)龐大的制造能力和市場(chǎng)需求加速技術(shù)商業(yè)化。

為達(dá)成以上目標(biāo)，我們請(qǐng)到了日本重量級(jí)的專家，帶來(lái)相關(guān)議題包括：日本九州大學(xué)副教授多喜川良博士《用于異質(zhì)光子集成的表面活化室溫鍵合技術(shù)》；日本東北大學(xué)助理教授竹內(nèi)魁博士《聚硅氮烷介導(dǎo)的室溫鍵合技術(shù)在電子封裝中的應(yīng)用》；JCU株式會(huì)社電子發(fā)展部研發(fā)中心山口敦也博士《RDL中介層酸性鍍銅工藝》；日本愛(ài)發(fā)科株式會(huì)社經(jīng)理森川泰宏博士《磁中性環(huán)路放電等離子體在共封裝光學(xué)器件低熱膨脹系數(shù)玻璃基板深度蝕刻中的應(yīng)用》。

ICEPT-R10亞太封裝交流論壇

會(huì)議期間還安排了ICEPT-R10亞太封裝交流論壇。除了接力日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的研發(fā)與技術(shù)優(yōu)勢(shì)，還對(duì)接了東南亞先進(jìn)的封裝工藝研究。

本論壇講師和議題來(lái)自馬來(lái)西亞恩智浦半導(dǎo)體首席工程師James Kim《探索銀燒結(jié)環(huán)氧樹(shù)脂功率封裝中芯片鍵合后環(huán)氧樹(shù)脂空洞與鍵合線厚度及其他因素之間的相關(guān)性》；新加坡國(guó)立大學(xué)Andrew TAY教授《先進(jìn)微電子器件的熱分析與失效分析》；日本琳得科株式會(huì)社助理總經(jīng)理Shinya Takyu《采用膠帶膨脹、自組裝和膠帶凍結(jié)分離技術(shù)的新型膨脹工藝及其在混合鍵合中的應(yīng)用》；以及中國(guó)科學(xué)院微電子研究所系統(tǒng)封裝與集成研發(fā)中心主任王啟東博士帶來(lái)的相關(guān)議題。

更多ICEPT 2025 議題交流、展覽、方案敬請(qǐng)登錄會(huì)議官方網(wǎng)站：www.icept.org，或發(fā)送Email：icept@fsemi.tech。