來源：市場資訊

（來源：晶豐明源）

當前第三代半導體產(chǎn)業(yè)迎來廣闊發(fā)展機遇，碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）憑借高頻、高功率、低損耗等優(yōu)異特性，已成為車載快充、數(shù)據(jù)中心及能源領(lǐng)域能效升級的核心關(guān)鍵材料。相較于傳統(tǒng)硅基 MOSFET，碳化硅器件更具備高頻低損耗、耐高溫、高耐壓、高功率密度及高可靠性等突出優(yōu)勢，在大功率電源應(yīng)用中可顯著提升轉(zhuǎn)換效率、縮小產(chǎn)品體積、降低系統(tǒng)成本，是新一代高效電源的理想技術(shù)方案。

晶豐明源結(jié)合碳化硅 SiC MOSFET 器件優(yōu)勢，率先推出 BP3532GC、BP3532HC 系列產(chǎn)品。方案在全功率范圍內(nèi)采用準諧振谷底導通與混合頻率調(diào)節(jié)模式，集成恒壓 + 恒流雙閉環(huán)反饋控制，實現(xiàn)高精度電壓輸出與穩(wěn)定的過載恒流控制；結(jié)合先進大貼片 EHSOP10 封裝，在 200W 反激恒壓電源應(yīng)用中，系統(tǒng)效率可達 93% 以上，體積縮減 30%，有效拓展終端應(yīng)用場景，進一步提升電源整體性能與可靠性。

大功率內(nèi)置碳化硅產(chǎn)品BP3532GC/BP3532HC

目標應(yīng)用：賦能多元恒壓照明場景

本系列方案主要針對高性能恒壓驅(qū)動市場，目標應(yīng)用包括：

• 恒壓燈帶照明

• 櫥衛(wèi)照明驅(qū)動

• 開關(guān)電源

圖1. 兩級高PF隔離恒壓應(yīng)用電路圖

圖2. 單級低PF隔離恒壓應(yīng)用電路圖（200W 24V/8.3A）

核心性能：效率提升

• 內(nèi)置直驅(qū)800V SiC MOSFET，支持高頻(<150KHz)工作，有效提升電源功率密度

• 全功率范圍內(nèi)QR CRM/DCM模式工作，單級低PF應(yīng)用，效率>93%

• 副邊輸出整流管尖峰低，可以用低耐壓MOSFET，提高系統(tǒng)效率

• BP3532GC集成恒壓+恒流雙反饋功能，雙重過功率保護

• 優(yōu)化滿載和空載Burst mode噪音，待機功耗低至<0.3W

• BP3532GC集成高壓啟動和輸入欠壓自動降功率保護

• 集成輸出開路保護，短路保護和系統(tǒng)異常過溫等多重保護功能

圖3. EHSOP-10封裝（BP3532GC）

全系列Demo方案

晶豐明源提供覆蓋100W至200W的完整參考方案，滿足不同功率段的設(shè)計需求：

200W方案：BP3532HC+BP62110S

150W方案：BP3532GC + BP62110S

（長寬高- 154mm x 30.5mm x 11mm）

108W方案：BP2632GC + BP3532GC + BP62110S

（長寬高：175mm x 56mm x 13mm）

方案實測數(shù)據(jù)

效率曲線

全功率范圍內(nèi)谷底導通模式工作，單級低PF應(yīng)用，系統(tǒng)效率>93%。BP3532GC在 200W /150w反激恒壓電源方案中實現(xiàn)了系統(tǒng)效率大于93% 的優(yōu)異表現(xiàn)。這得益于芯片內(nèi)置直驅(qū)800V SiC MOSFET，和全功率范圍內(nèi)，全程實現(xiàn) MOSFET準諧振谷底導通控制，顯著降低了開關(guān)損耗。

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輸出負載調(diào)整率曲線

BP3532GC集成恒壓+恒流雙反饋功能。當輸出功率從輕載逐漸增大滿載時，輸出電壓保持穩(wěn)定；當功率超過恒流設(shè)定點之后，芯片進入恒流反饋模式，輸出電流維持最大恒流值，輸出電壓開始平滑下降，當VCC電壓降至VCC_UVLO后停止輸出。整個過程線性過渡、無跳變，實現(xiàn)了電源在過載情況下保持輸出精準的恒流保護功能。

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空載功耗

優(yōu)化滿載和空載Burst mode噪音，待機功耗低至<0.3W

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輸入欠壓自動降功率保護

BP3532GC兼容寬輸入電壓應(yīng)用，當輸入電壓跌落時，芯片根據(jù)輸入電壓的降低程度，自動減小輸出電流。能夠保證在低輸入電壓時，確保電源仍能安全、可靠地運行。

過溫保護

BP3532GC 集成芯片內(nèi)部溫度檢測與保護機制。當系統(tǒng)工作溫度超過設(shè)定閾值時，芯片自動觸發(fā)過溫保護，及時關(guān)斷輸出，防止電源因過熱而損壞。待溫度回落至安全區(qū)間后，電源可自動恢復工作。可保證電源在高溫環(huán)境或異常情況下的可靠性與安全性。

短路保護

BP3532GC內(nèi)置多種保護功能，包括輸出開路/短路保護，VCC欠壓/過壓保護，CS開路保護、副邊二極管/副邊繞組短路保護。

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BP3532GC全程谷底開通，效率高

BP3532GC 在全功率范圍內(nèi), MOSFET 都在最低谷底電壓點開通，有效降低了開關(guān)損耗，從而顯著提升系統(tǒng)效率。同時，這一控制方式使副邊同步整流 MOS 管的電壓尖峰大幅降低，對 MOS 管的耐壓要求也隨之下降，允許選用更低耐壓、更低成本的同步整流管，在提升可靠性的同時優(yōu)化了系統(tǒng)成本。下圖圖1為帶輕載時BP3532GC的VDS波形，為谷底導通。圖2為同步整流DRAIN腳開機波形，無尖峰；圖3為同步整流DRAIN腳關(guān)機波形，無尖峰。

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晶豐明源恒壓電源選型

內(nèi)置碳化硅BP3532GC、BP3532HC恒壓系列產(chǎn)品，在大功率恒壓電源應(yīng)用中實現(xiàn)效率躍升和功率密度提升、同時減小產(chǎn)品尺寸、降低整機重量。使電源系統(tǒng)兼具高效率、低發(fā)熱、高可靠性三大特性，全面護航您的恒壓電源應(yīng)用。

BP3532GC/BP3532HC 應(yīng)用在終端電源產(chǎn)品系列