來源：市場資訊

（來源：伏白的交易筆記）

一. 半導(dǎo)體制造工序

1.1 前道工藝（晶圓制造）

（1）目的：在晶圓上完成晶體管、互連線路制造，生成裸芯片（Die）。

（2）主要步驟：薄膜沉積→光刻顯影→刻蝕→離子注入→CMP拋光，需重復(fù)循環(huán)來完成結(jié)構(gòu)的層層構(gòu)建。

1.2 后道工藝（封裝測試）

（1）目的：將前道產(chǎn)出的裸芯片封裝為標(biāo)準(zhǔn)化成品，并完成功能、可靠性測試，確保符合出廠要求。

（2）主要步驟：晶圓中測（CP）→晶圓減薄→晶圓切割→固晶貼裝→引線鍵合→塑封成型→成品終測（FT）。

二. CP測試概覽

CP測試是在前道晶圓制造完成、后道封裝之前的核心環(huán)節(jié)，目的是測試晶圓上每顆裸片（Die）性能參數(shù)，標(biāo)記并剔除不良品。

2.1 測試目的

（1）降本增效：在封裝前提前篩除不良品，避免將缺陷芯片送入封裝環(huán)節(jié)，降低成本。

（2）工藝反饋：通過測試數(shù)據(jù)反饋前道工藝偏差，反向優(yōu)化工藝參數(shù)。

（3）商業(yè)價值最大化：按測試數(shù)據(jù)對裸片進(jìn)行分級，匹配不同定位產(chǎn)品（如CPU旗艦版/標(biāo)準(zhǔn)版）。

2.2 核心設(shè)備

（1）探針臺：負(fù)責(zé)晶圓的承載固定、光學(xué)對準(zhǔn)與自動化流程執(zhí)行。

（2）探針卡：連接測試機(jī)與晶圓裸片，其探針與焊墊接觸，傳輸電信號。

（3）測試機(jī)（ATE）：生成測試信號（如電壓、電流）并接收芯片反饋，判斷其性能是否合格。

2.3 工作流程

（1）裝載與校準(zhǔn)：將晶圓放置在探針臺上，真空吸附固定并校準(zhǔn)位置，確保探針精準(zhǔn)對準(zhǔn)。

（2）扎針與接觸：探針臺驅(qū)動晶圓抬升，讓裸片焊盤與探針卡形成物理接觸，建立電氣連接。

（3）測試與標(biāo)記：測試機(jī)發(fā)送測試信號并接收反饋，記錄測試結(jié)果、打點標(biāo)記不良裸片。

三. 探針卡概覽

探針卡通過微米級探針陣列實現(xiàn)測試機(jī)與晶圓裸片的電氣連通，直接決定CP測試的精度、效率、良率。

3.1 組成結(jié)構(gòu)

（1）基板載體：PCB多層板，負(fù)責(zé)內(nèi)部布線、信號傳輸，上端對接測試機(jī)，下端固定探針陣列。

（2）探針陣列：由微米級金屬探針（錸鎢、鈹銅）組成，按芯片焊盤的位置、間距精準(zhǔn)排布；單卡可集成數(shù)萬根探針。

3.2 主要特點

（1）定制化：不同芯片的制程、焊盤布局、引腳數(shù)量、測試需求完全不同，探針卡必須一對一設(shè)計，無通用型產(chǎn)品。

（2）精度要求：先進(jìn)制程芯片的焊盤間距在50μm以內(nèi)，針尖位置精度要求2μm以內(nèi)，對工藝要求極高。

（3）耗材屬性：針尖有固定使用壽命，達(dá)到扎針次數(shù)上限后，針尖磨損、接觸電阻超標(biāo)，需更換或返修。

3.3 供應(yīng)格局

（1）海外頭部：FormFactor（美）、Technoprobe（意）、JEM（日）、MJC（日）、電產(chǎn)（日）。

（2）國內(nèi)頭部：強(qiáng)一股份（MEMS探針卡全球第六、國內(nèi)第一）、和林微納（MEMS探針卡國內(nèi)第二）、精智達(dá)（存儲芯片探針卡）。