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國(guó)際記憶體原廠退出2D NAND快閃記憶體將成定局，受到供貨稀缺已推升低容量2D NAND價(jià)格快速飆升，近期市場(chǎng)傳出，聯(lián)電可能接獲SLC、MLC Flash的代工訂單，或?qū)⒋蚱莆磥?lái)2D NAND寡占供貨的局面。

不過(guò)相關(guān)業(yè)者向DIGITIMES透露，過(guò)去數(shù)個(gè)月來(lái)，確實(shí)曾與聯(lián)電討論快閃記憶體的代工機(jī)會(huì)，但人力、制程整合與開(kāi)發(fā)能力以及設(shè)備等「三大關(guān)鍵因素」欠缺，成為最重要的卡關(guān)限制。

據(jù)供應(yīng)鏈人士指出，NAND Flash價(jià)格從2026年以來(lái)漲勢(shì)兇猛，漲幅甚至已超過(guò)DRAM，但相比于MLC NAND或SLC NAND的供貨缺口更為龐大，導(dǎo)致舊制程的低容量產(chǎn)品價(jià)格幾乎翻漲10倍，近期下游業(yè)者傳出，MLC NAND價(jià)格于4月約調(diào)漲近3成左右。

對(duì)于近期市場(chǎng)傳出，有亞洲客戶(hù)向聯(lián)電提出快閃記憶體的代工訂單，外界普遍認(rèn)為，目前MLC、SLC NAND價(jià)格強(qiáng)勢(shì)，確實(shí)相比成熟邏輯制程更有獲利空間。

但考量到機(jī)臺(tái)本身的設(shè)備并不能直接使用，若要調(diào)整建置產(chǎn)線(xiàn)或新購(gòu)機(jī)臺(tái)，預(yù)計(jì)可能也要1~2年左右，加上目前2D NAND產(chǎn)能缺口龐大，對(duì)于供應(yīng)鏈缺口難以達(dá)到緩解效果。

不過(guò)實(shí)際執(zhí)行的瓶頸，卻比外界預(yù)估得更復(fù)雜。

相關(guān)業(yè)者私下表示，為了解決MLC及SLC NAND供應(yīng)困難，內(nèi)部確實(shí)曾經(jīng)向聯(lián)電提議快閃記憶體的代工可行性，但無(wú)論在人才、技術(shù)或設(shè)備等多方面，均存在高難度的瓶頸。

首先，潛在IP供應(yīng)商或NAND原廠并不排斥進(jìn)行授權(quán)合作，但考量到必須由具有實(shí)際量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)的原廠提供支援，包括調(diào)派技術(shù)團(tuán)隊(duì)協(xié)助來(lái)導(dǎo)入制程。

然而，過(guò)去負(fù)責(zé)調(diào)校2D NAND機(jī)臺(tái)設(shè)備的工程人員幾乎已退休或離職，或轉(zhuǎn)向到3D NAND技術(shù)量產(chǎn)，而現(xiàn)階段NAND原廠將重心投入于3D NAND研發(fā)，以爭(zhēng)取AI伺服器應(yīng)用的成長(zhǎng)商機(jī)，在人力吃緊下，根本無(wú)法額外負(fù)擔(dān)2D NAND技術(shù)支援。

其次，盡管聯(lián)電曾在多年前進(jìn)行記憶體相關(guān)研發(fā)，且現(xiàn)階段的廠房空間仍有余裕提供代工訂單，但如今的核心技術(shù)已與記憶體領(lǐng)域相差甚遠(yuǎn)，若要重新投入的資源耗費(fèi)龐大，并需要一段時(shí)間來(lái)重新建立制程微調(diào)或良率調(diào)校等能力。

若只有提供產(chǎn)能空間而缺乏技術(shù)的情況下，無(wú)法自行協(xié)助客戶(hù)進(jìn)行制程開(kāi)發(fā)、串接等環(huán)節(jié)，對(duì)于聯(lián)電帶來(lái)的實(shí)質(zhì)獲利，也將非常有限。

第三，設(shè)備問(wèn)題也無(wú)解，由于國(guó)際原廠的老舊設(shè)備，在產(chǎn)線(xiàn)升級(jí)過(guò)程中已變賣(mài)或拆解，即使能找到舊機(jī)臺(tái)，相關(guān)設(shè)備的維修零件或人力都將難以取得；先前日系大廠鎧俠（Kioxia）亦曾向DIGITIMES表達(dá)，2D NAND等舊產(chǎn)品停產(chǎn)，并非是受到AI排擠產(chǎn)能效應(yīng)，而是考量到維持舊設(shè)備生產(chǎn)的成本極高，且設(shè)備老化等因素。

但假使聯(lián)電接獲快閃記憶體的代工訂單，改以購(gòu)買(mǎi)新設(shè)備重建，其導(dǎo)入流程與良率將與過(guò)去模式不同，可能需要重新嘗試與研發(fā)。這意味著，投資回收將充滿(mǎn)不確定性，而相關(guān)IC設(shè)計(jì)業(yè)者對(duì)于晶圓廠實(shí)際制程與量產(chǎn)并不熟悉，雖然合作的興趣濃厚，但綜合考量下，透過(guò)技術(shù)移轉(zhuǎn)進(jìn)行代工的構(gòu)想，在短期內(nèi)恐都缺乏可行的解決方案。

聯(lián)電發(fā)言體系對(duì)于代工快閃記憶體的市場(chǎng)傳言并不評(píng)論，但日前已向客戶(hù)與合作伙伴發(fā)出漲價(jià)信函，確定2026年下半調(diào)漲報(bào)價(jià)。

聯(lián)電指出，2026年上半以來(lái)，觀察到多元應(yīng)用領(lǐng)域的需求展現(xiàn)出強(qiáng)勁韌性，包括通訊、工業(yè)、消費(fèi)性電子以及AI相關(guān)領(lǐng)域，加上原物料、能源及物流等關(guān)鍵成本驅(qū)動(dòng)因素的上升，故將于2026年下半實(shí)施晶圓價(jià)格調(diào)整。

相關(guān)供應(yīng)鏈業(yè)者表示，此次聯(lián)電在8吋及12吋產(chǎn)品線(xiàn)均提出調(diào)整，依照3.5個(gè)月周期推算，4月已投片的訂單可望執(zhí)行新價(jià)格，而8吋晶圓產(chǎn)線(xiàn)漲幅較高，可望達(dá)10~15%，12吋產(chǎn)線(xiàn)的80納米、55納米、40納米等約有5~10%漲幅，不過(guò)仍將依照各家體量進(jìn)行調(diào)整。

由于價(jià)格主要回補(bǔ)先前成熟制程的降價(jià)幅度，且部分IC業(yè)者已簽訂LTA長(zhǎng)約，此次影響有限，未來(lái)將陸續(xù)轉(zhuǎn)嫁至下游客戶(hù)。

（來(lái)源：編譯自digitimes）

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