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3月31日消息，據(jù)報道，Rapidus總裁兼首席執(zhí)行官小池淳義表示，正在加速推進先進制程技術(shù)的研發(fā)，目標(biāo)是在1nm工藝節(jié)點上將與臺積電的技術(shù)差距縮小到大約6個月。

據(jù)了解，臺積電的1.4nm和1nm工藝可能會率先部署在中國臺灣中部科學(xué)園區(qū)，名為Fab 25，預(yù)計投資約490億美元，計劃建設(shè)四座晶圓廠。

其中第一階段的兩座晶圓廠專門用于1.4nm工藝，預(yù)計2028年下半年量產(chǎn)，第二階段再推進到1nm工藝。傳聞臺積電將在1nm工藝節(jié)點首次使用High-NA EUV光刻機，相關(guān)開發(fā)工作預(yù)計在2030年前完成，并大約在2030年實現(xiàn)量產(chǎn)。

與此同時，Rapidus計劃今年開始開發(fā)1.4nm工藝，量產(chǎn)時間預(yù)計為2029年，有可能與三星的時間點較為接近。若要在1nm工藝上將與臺積電的差距縮小至6個月，意味著Rapidus很可能需要在2030年下半年至2031年之間進入量產(chǎn)階段。

Rapidus是由索尼、豐田、NTT、三菱、NEC、鎧俠和軟銀等八家日本企業(yè)于2022年成立的合資企業(yè)，旨在實現(xiàn)本地化先進半導(dǎo)體工藝的設(shè)計和制造。

目前，Rapidus已在日本北海道千歲市建造了創(chuàng)新集成制造工廠（IIM-1），目標(biāo)是2027年量產(chǎn)2nm芯片。

此外，Rapidus還計劃在2027財年（2027年4月至2028年3月）開建第二座晶圓廠，并規(guī)劃更先進的1.4nm乃至1nm工藝。

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