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鎧俠控股于 2 月 12 日在公布 2025 財(cái)年第三季度財(cái)報(bào)時(shí)，將全年業(yè)績預(yù)期上調(diào)為：銷售額2.1797 萬億～2.2697 萬億日元（同比增長 28％～33％），營業(yè)利潤7095 億～7995 億日元（同比增長 57％～77％）。

這一數(shù)值大幅超出此前市場平均預(yù)期，有力地表明，該公司的盈利能力已不只是停留在復(fù)蘇階段，而是在 AI 需求爆發(fā)的背景下，邁入了新的增長階段。

受此影響，該公司股價(jià)也呈現(xiàn)出創(chuàng)紀(jì)錄的暴漲。相較于 2024 年 12 月重新上市時(shí)的發(fā)行價(jià) 1455 日元，目前股價(jià)已突破 2 萬日元大關(guān)，在一年多的時(shí)間里上漲至約15 倍這一驚人水平。市值一度突破 10 萬億日元規(guī)模，市場評價(jià)急劇提升。

因東芝 “經(jīng)營危機(jī)” 成為出售對象……

鎧俠是生產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品之一 “NAND 閃存”（以下簡稱 NAND）、如今成為唯一一家日本大型存儲廠商。

據(jù)臺灣調(diào)查公司集邦咨詢（TrendForce）數(shù)據(jù)，截至 2025 年第三季度，鎧俠在全球 NAND 市場占據(jù)15.3％的份額，位居韓國三星電子、SK 集團(tuán)（SK 海力士 + Solidigm）之后，位列全球第三。

與競爭對手均為同時(shí)開展 DRAM 與 NAND 業(yè)務(wù)的綜合存儲廠商不同，鎧俠的一大特征是專注 NAND 單一業(yè)務(wù)。

追溯鎧俠的歷史，其源頭可追溯至綜合電機(jī)制造商東芝。1987 年，在世界上率先發(fā)明 NAND 的，正是當(dāng)時(shí)任職于東芝的研究員舛岡富士雄。這種斷電后數(shù)據(jù)不會丟失、具備適合大容量化結(jié)構(gòu)的存儲器，應(yīng)用范圍逐步擴(kuò)展至數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)、數(shù)據(jù)中心，成為現(xiàn)代數(shù)據(jù)存儲的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)。

然而，與技術(shù)上的成功相反，母公司東芝在 2010 年代中期因美國核電業(yè)務(wù)的巨額虧損陷入經(jīng)營危機(jī)。為避免資不抵債，集團(tuán)內(nèi)盈利能力最強(qiáng)的存儲業(yè)務(wù)成為出售對象。2017 年以 “東芝存儲器” 名義分拆獨(dú)立，2018 年出售給以美國貝恩資本為主導(dǎo)的財(cái)團(tuán)，2019 年更名為現(xiàn)在的 “鎧俠”，作為獨(dú)立企業(yè)重新起步。

存儲市場不景氣、上市延期的迷茫

然而，重新起步后的鎧俠所走過的道路絕非一帆風(fēng)順。甚至可以說，在重新上市之前的數(shù)年里，它是一段被半導(dǎo)體市場行情波動(dòng)所左右的 “苦難歷史”。

原定 2020 年 10 月實(shí)施的首次上市計(jì)劃，以中美貿(mào)易摩擦激化、市場前景不明朗為由，在上市前夕被迫中止。此后鎧俠雖一直在等待重新上市的機(jī)會，但 2022 年下半年至 2023 年，存儲市場遭遇了史上最嚴(yán)重的不景氣。

智能手機(jī)與 PC 需求下滑，再加上數(shù)據(jù)中心投資暫時(shí)放緩，NAND 價(jià)格大幅下跌。2023 財(cái)年公司出現(xiàn)巨額最終虧損，經(jīng)營環(huán)境十分嚴(yán)峻。

象征這一困境的，是圍繞巖手縣北上市 “北上工廠第二生產(chǎn)棟（K2 棟）” 所做的決策。當(dāng)初這座新工廠以 2023 年內(nèi)投產(chǎn)為目標(biāo)推進(jìn)建設(shè)，但受上述市場惡化影響，投產(chǎn)時(shí)間大幅推遲。當(dāng)時(shí)，外界不乏將此類投產(chǎn)延期與屢次上市延期批評為 “經(jīng)營迷?！?的聲音，看空公司前景的意見也不在少數(shù)。

一舉打破這種閉塞局面的契機(jī)，正是當(dāng)前正在發(fā)生的 AI 市場需求結(jié)構(gòu)變化。

曾被視為 “站在 AI 熱潮之外”

在生成 AI 熱潮初期的 2023—2024 年前后，以 “訓(xùn)練” 階段為主體的時(shí)代里，主角是英偉達(dá)的 GPU（圖形處理半導(dǎo)體）以及與之搭配的被稱為 “HBM（高帶寬內(nèi)存）” 的高性能 DRAM。

這一時(shí)期，在 HBM 供應(yīng)上領(lǐng)先的 SK 海力士等作為 “時(shí)代寵兒” 受到市場追捧，而專注 NAND 業(yè)務(wù)的鎧俠則被市場冷淡評價(jià)為 “站在 AI 熱潮之外”。

但進(jìn)入 2025 年，隨著 AI 階段從 “訓(xùn)練” 快速轉(zhuǎn)向 “推理”，形勢發(fā)生劇變。

在已訓(xùn)練完成的 AI 回答用戶提問、生成內(nèi)容的推理階段，需要高速訪問過去海量的學(xué)習(xí)數(shù)據(jù)以及通過被稱為 RAG（檢索增強(qiáng)生成）技術(shù)所參照的外部數(shù)據(jù)庫。在這里需求爆發(fā)式增長的，正是可實(shí)現(xiàn)大容量、高速數(shù)據(jù)讀取的 “企業(yè)級 SSD（eSSD）”，也就是 “NAND 的集合體”。

“AI 推理需求” 成為東風(fēng)

受這一市場環(huán)境變化影響，此前被視為 “苦肉計(jì)” 的 K2 棟投產(chǎn)延期，結(jié)果反而成為極為有效的戰(zhàn)略。

三星、SK 海力士等競爭對手直到最近都將設(shè)備投資集中在利潤率更高的 HBM 擴(kuò)產(chǎn)上，相對抑制了對 NAND 的投資。結(jié)果，在全球 NAND 供應(yīng)能力增長乏力的情況下，AI 推理需求急增，供需關(guān)系趨于緊張。而此時(shí)，一直暫緩?fù)懂a(chǎn)的 K2 棟于 2025 年 9 月如期投產(chǎn)。

盡管正式量產(chǎn)與出貨預(yù)計(jì)在 2026 年上半年，但在其他廠商需要時(shí)間建設(shè)新 NAND 生產(chǎn)線的情況下，鎧俠將此前待命的最先進(jìn)工廠立即投入使用，正在構(gòu)建向市場投放最尖端產(chǎn)品的體制。

可以說，為熬過市場惡化而采取的對策，最終轉(zhuǎn)化為在競爭對手供應(yīng)能力不足的時(shí)期發(fā)起攻勢的伏筆。

長年打磨的獨(dú)有技術(shù)

當(dāng)然，鎧俠的飛躍并非僅由外部環(huán)境變化帶來。

作為 NAND 的發(fā)明者，長年打磨而成的獨(dú)有技術(shù)戰(zhàn)略，也是其競爭力的源泉。

尤其值得關(guān)注的是，在 “3D NAND” 開發(fā)中，該公司采取了與其他競爭對手不同的路線。近年來，NAND 行業(yè)不斷推進(jìn)將存儲單元垂直堆疊的 “堆疊層數(shù)競賽”，200 層、300 層等數(shù)字常被作為性能指標(biāo)提及。

但是，增加堆疊層數(shù)會提高制造工序中的加工難度，也存在導(dǎo)致良品率下降與成本上升的風(fēng)險(xiǎn)。對此，鎧俠并不一味追求堆疊層數(shù)，而是重視通過縮小存儲單元本身尺寸來提高配置密度的 “橫向微細(xì)化”。

目前主力產(chǎn)品被稱為 “第 8 代 BiCS FLASH” 的產(chǎn)品，也以少于競爭對手的堆疊層數(shù)實(shí)現(xiàn)了同等存儲容量，具備高成本競爭力。

鎧俠技術(shù)的另一關(guān)鍵，是被稱為CBA（CMOS 直接鍵合陣列）的技術(shù) —— 將存儲單元與控制電路在不同晶圓上分別制造后進(jìn)行貼合。

在以往制造方式中，需要在存儲單元的旁邊或下方集成控制電路，難以形成高性能電路。而通過 CBA 技術(shù)，存儲單元與控制電路可分別在不同晶圓上制造后再貼合。

由此，控制電路可采用最先進(jìn)的邏輯工藝實(shí)現(xiàn)高速化，同時(shí)存儲單元可專注于高密度化。也就是說，通過制造工序分離，在較高水平上同時(shí)實(shí)現(xiàn)了 “高速化” 與 “大容量化” 這兩個(gè)容易相互矛盾的要素，成為相對于其他公司的重大技術(shù)優(yōu)勢。

從 “NAND 專一業(yè)務(wù)” 中脫身，邁向新領(lǐng)域

此外，為擺脫對市場波動(dòng)脆弱的 “NAND 專一業(yè)務(wù)” 狀態(tài)，鎧俠也正著力研發(fā)下一代新型存儲器。在 2024 年 12 月國際學(xué)會 “IEDM2024” 上，該公司發(fā)表的一系列研究內(nèi)容便可見一斑。

首先值得一提的是，對被稱為 “存儲級內(nèi)存（SCM）” 的新領(lǐng)域的布局。這一概念介于速度快但容量小、易失性且成本高的 DRAM，與大容量、非易失性、低成本但速度慢的 NAND 這兩種性能與成本差距巨大的存儲器之間。

作為實(shí)現(xiàn) SCM 的有力候選，鎧俠正在推進(jìn)研發(fā)的是MRAM（磁阻存儲器）。MRAM 同時(shí)具備斷電不丟失數(shù)據(jù)的非易失性與接近 DRAM 的高速運(yùn)行特性。在 IEDM2024 上，該公司展示了面向大容量化的技術(shù)成果，被定位為將給現(xiàn)有存儲層級帶來變革的產(chǎn)品。

尤其備受關(guān)注的研究，是采用氧化物半導(dǎo)體的新型 DRAM——OCTRAM的開發(fā)。這意味著，以 NAND 專一業(yè)務(wù)為特征的鎧俠，試圖以全新技術(shù)路線，重新進(jìn)入日本企業(yè)曾退出的 DRAM 領(lǐng)域。

OCTRAM 采用與硅不同的 “氧化物半導(dǎo)體” 材料，可將漏電流（斷電時(shí)的電流泄漏）降至極低，具備相比現(xiàn)有硅制 DRAM 大幅降低功耗的特性。此外，鎧俠還將應(yīng)用在 NAND 領(lǐng)域積累的 “3D 堆疊技術(shù)”，通過垂直堆疊存儲單元，同步實(shí)現(xiàn)大容量化與低成本化。

若 OCTRAM 實(shí)現(xiàn)實(shí)用化，在 AI 服務(wù)器中，作為配置在處理器附近的大容量、低功耗存儲器，有望替代或補(bǔ)充現(xiàn)有 DRAM?；钣?NAND 專一業(yè)務(wù)經(jīng)驗(yàn)的這一獨(dú)有路線，可以說是日本企業(yè)再次參與 DRAM 市場主流的重要舉措。

日本半導(dǎo)體并未落幕

當(dāng)然，未來的道路并非不存在風(fēng)險(xiǎn)。半導(dǎo)體市場有著被稱為 “硅周期” 的劇烈行情反復(fù)波動(dòng)的歷史，當(dāng)前的繁榮并無永遠(yuǎn)持續(xù)下去的保證。

特別是目前的局面，很大程度上得益于三星電子、SK 海力士等競爭對手將資源集中于 HBM。今后若它們再次積極加大對 NAND 的設(shè)備投資，供需關(guān)系或?qū)⒕徍?，價(jià)格競爭重新燃起的可能性也無法否定。

正因處于業(yè)績向好的當(dāng)下，公司才比以往更需要構(gòu)建難以被行情變化左右的穩(wěn)健財(cái)務(wù)體質(zhì)，以及為不錯(cuò)過未來增長機(jī)會而做出冷靜的經(jīng)營判斷。

即便如此，在曾被視為 “日本半導(dǎo)體衰落” 象征的存儲領(lǐng)域，鎧俠的崛起，無異于證明了：只要能抓住市場變化的潮流，日本企業(yè)在全球市場中依然擁有足夠的競爭力。

在享受 AI 推理需求這一結(jié)構(gòu)性東風(fēng)的同時(shí)，正視自身風(fēng)險(xiǎn)，通過對下一代技術(shù)的投資描繪下一階段增長藍(lán)圖 —— 該公司的挑戰(zhàn)，值得我們滿懷期待地關(guān)注。

（來源：yahoo）

*免責(zé)聲明：本文由作者原創(chuàng)。文章內(nèi)容系作者個(gè)人觀點(diǎn)，半導(dǎo)體行業(yè)觀察轉(zhuǎn)載僅為了傳達(dá)一種不同的觀點(diǎn)，不代表半導(dǎo)體行業(yè)觀察對該觀點(diǎn)贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯(lián)系半導(dǎo)體行業(yè)觀察。

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