據(jù)韓國媒體 The Elec 報道，三星電子計劃于今年正式停止2D NAND閃存存儲的生產(chǎn)，并對相關(guān)老舊生產(chǎn)線進(jìn)行全面改造，以順應(yīng)快速增長的人工智能算力與高帶寬存儲（HBM）需求。

報道指出，三星位于韓國華城基地的12號生產(chǎn)線目前主要用于生產(chǎn)2D NAND，這一工藝已屬于“老舊技術(shù)”。 該產(chǎn)線具備每月約8萬至10萬片12英寸晶圓的產(chǎn)能，但在3D NAND全面取代平面NAND的大趨勢下，其原有用途已不再符合市場方向。 三星并未選擇簡單關(guān)停該設(shè)施，而是將其中大量仍具價值的晶圓制造設(shè)備轉(zhuǎn)用于DRAM金屬化工序，即在DRAM芯片內(nèi)部形成連接存儲單元的金屬導(dǎo)線通路。

完成改造后，華城12號線將用于生產(chǎn)三星第六代10 nm級1c DRAM，這一工藝節(jié)點被用于下一代HBM4產(chǎn)品。 三星預(yù)計，到今年下半年，其1c DRAM總月產(chǎn)能可提升至約20萬片晶圓，華城改造產(chǎn)線將與平澤的P3、P4生產(chǎn)線協(xié)同運(yùn)作，為HBM4提供更多產(chǎn)能支撐。

2D NAND閃存最早在上世紀(jì)90年代末被引入，并持續(xù)量產(chǎn)多年，但近幾年各大存儲廠商已陸續(xù)將重心轉(zhuǎn)向堆疊結(jié)構(gòu)的3D NAND。 相比傳統(tǒng)平面NAND，3D NAND在容量密度、可靠性以及整體性能方面都有明顯優(yōu)勢，適合應(yīng)對數(shù)據(jù)中心與高端終端設(shè)備的需求。 三星計劃在今年3月徹底停止2D NAND生產(chǎn)，為3D NAND及其他高附加值存儲產(chǎn)品騰出更多制造空間。

業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，通過將原2D NAND產(chǎn)線改造為DRAM及HBM相關(guān)產(chǎn)能，三星有望在全球高帶寬存儲市場中進(jìn)一步鞏固地位。 在當(dāng)前存儲器供應(yīng)趨緊的大背景下，增加先進(jìn)DRAM與HBM的有效產(chǎn)能，亦有助于在一定程度上緩解存儲供應(yīng)緊張和價格上行壓力。