一粒成本不過3.7元的南極磷蝦油，終端售價竟能飆升至60元，可若將其置于DRAM內(nèi)存芯片的利潤版圖中審視，這般溢價便如螢火之光，難掩巨頭壟斷下灼灼燃燒的暴利烈焰。

縱覽全球動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）產(chǎn)業(yè)格局，每年超三千億美元的龐大產(chǎn)值，幾乎全數(shù)匯聚于三星電子、SK海力士與美光科技三座高峰之上，三方合計掌控著全球92.3%的產(chǎn)能與出貨份額，形成近乎牢不可破的技術(shù)—資本雙壁壘。

中國身為全球最大的DRAM消費國，年采購量占全球總量近38.6%，卻長期困守于“買得到、用得上、改不了、升不動”的被動局面。這種被卡住咽喉的壓抑感，并非近年新癥，而是自1975年我國首塊自主研制的1K DRAM芯片在中科院微電子所成功點亮起，便已悄然扎根，綿延整整五十年未解。

直到2026年元月，一份來自安徽合肥的上市申報文件悄然披露，其背后躍動的營收曲線與盈利拐點，如驚雷劃破沉寂多年的國產(chǎn)存儲長空，瞬間點燃全行業(yè)神經(jīng)。

半個世紀(jì)的首次盈利

2025年12月30日，上海證券交易所正式接收長鑫存儲技術(shù)股份有限公司提交的IPO申請，擬募集資金總額達(dá)295億元人民幣——這一數(shù)字不僅刷新科創(chuàng)板歷史單輪融資規(guī)模紀(jì)錄，穩(wěn)居第二位，更標(biāo)志著中國DRAM自主化征程邁入全新紀(jì)元。

這份厚重申報材料的主角，正是長鑫存儲。據(jù)其招股書披露的審慎財務(wù)預(yù)測，公司2025年度歸屬于母公司股東的凈利潤區(qū)間為20.1億至34.9億元，上下浮動均圍繞盈虧平衡點穩(wěn)健展開。

這組數(shù)字背后，是整整半個世紀(jì)的蟄伏與突圍：從1975年實驗室里那枚僅含1024個晶體管的雛形芯片，到如今實現(xiàn)全棧量產(chǎn)能力，中國DRAM產(chǎn)業(yè)終于跨越了持續(xù)虧損的深水區(qū)，迎來歷史性扭虧為盈。而支撐這一轉(zhuǎn)折的，是一份令人屏息的投入賬本——成立至今累計凈虧損達(dá)408.57億元；僅2022至2024三年間，研發(fā)投入總額即高達(dá)152.3億元。

在2022至2024這輪全球存儲行業(yè)深度調(diào)整期，受制于高額折舊攤銷、產(chǎn)線爬坡緩慢及前期設(shè)備投資集中釋放等多重壓力，企業(yè)連續(xù)三年錄得凈虧損，總金額逾308億元。

但2025年成為無可爭議的逆轉(zhuǎn)之年：前三季度營收達(dá)320.84億元，同比激增100.2%；其中第三季度單季營收同比暴漲148.8%，毛利率強勢回升至34.9%，創(chuàng)歷史新高；產(chǎn)能利用率由年初85.1%躍升至年末94.3%，全年營收預(yù)計鎖定在552億至578億元區(qū)間。這一連串躍升并非偶然躍遷，而是以真金白銀在凜冽寒潮中鍛造出的堅實暖流。

九死一生的荊棘征途

在半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)，DRAM賽道素有“帝國墳場”之稱——德國奇夢達(dá)轟然崩塌、日本爾必達(dá)被低價清算、臺灣茂德科技黯然退市……一具具昔日技術(shù)巨擘的殘骸，靜靜陳列于這條布滿尖刺的攀登之路上。

其殘酷本質(zhì)在于極致的標(biāo)準(zhǔn)化與規(guī)模剛性：內(nèi)存作為通用型基礎(chǔ)器件，參數(shù)趨同、功能一致，最終博弈簡化為成本控制力與交付規(guī)模的雙重比拼。市場景氣時訂單如雪片紛飛，一旦周期下行，價格便呈斷崖式跳水，跌幅常超六成。

更嚴(yán)峻的是，一座具備競爭力的12英寸DRAM晶圓廠，初始投資門檻早已突破百億美元大關(guān)；而技術(shù)代際迭代節(jié)奏愈發(fā)緊湊，工藝節(jié)點每延遲半年，便可能錯失整輪市場窗口，一步遲滯，滿盤皆輸。

回望2016年，彼時我國在先進(jìn)制程DRAM領(lǐng)域尚無自主產(chǎn)線，技術(shù)積累幾近空白。面對封鎖與質(zhì)疑，合肥市政府展現(xiàn)出罕見的戰(zhàn)略定力與資本魄力。

依托此前主導(dǎo)京東方項目落地所沉淀的產(chǎn)業(yè)組織經(jīng)驗，聯(lián)合兆易創(chuàng)新創(chuàng)始人朱一明團(tuán)隊，首期即撥付72億美元戰(zhàn)略引導(dǎo)資金；一期工程實際投入人民幣180.2億元，全部用于建設(shè)合肥經(jīng)開區(qū)12英寸DRAM制造基地。

長鑫敏銳捕捉奇夢達(dá)破產(chǎn)后的技術(shù)窗口，通過合規(guī)渠道獲得其遺留的完整知識產(chǎn)權(quán)包，涵蓋超1027萬份技術(shù)文檔、2.82TB核心設(shè)計數(shù)據(jù)庫及數(shù)百項關(guān)鍵專利授權(quán)。

人才攻堅同步啟動：面向日本、韓國、中國臺灣地區(qū)，以原薪資3.2倍至4.8倍的薪酬體系，成建制引進(jìn)超800名資深制程工程師與良率專家，組建起覆蓋研發(fā)、制造、封測全鏈條的核心骨干隊伍。

彼時福建晉華因?qū)＠m紛遭外部制裁而停擺，長鑫引以為戒，自創(chuàng)立首日起即構(gòu)建高強度專利攻防體系——2017年成立當(dāng)年即提交發(fā)明專利申請354件；截至2025年底，公司在境內(nèi)外累計擁有有效專利5521項，其中發(fā)明專利占比達(dá)86.4%，構(gòu)筑起縱深達(dá)七層的技術(shù)護(hù)城河。

在舊設(shè)備的廢墟上奇襲

站穩(wěn)生存基本盤后，真正的硬仗才剛剛開始：如何彌合與國際一線廠商長達(dá)5至7年的技術(shù)代差？當(dāng)時全球頭部企業(yè)已全面轉(zhuǎn)向DDR5標(biāo)準(zhǔn)，而長鑫首款量產(chǎn)產(chǎn)品仍處于DDR4成熟階段。

面對看似不可逾越的鴻溝，企業(yè)選擇了一條極富張力的“多代并行研發(fā)布局”路徑——同步推進(jìn)DDR4+、DDR5、LPDDR5及早期DDR5X四條技術(shù)路線，六年之內(nèi)完成對手耗時十年的演進(jìn)歷程。其研發(fā)強度達(dá)三星同期水平的2.03倍、SK海力士的3.11倍，六年累計研發(fā)投入188.4億元，占總營收比重常年穩(wěn)定在31.7%以上。

尤為震撼業(yè)界的是，在無法獲取EUV光刻機的嚴(yán)苛約束下，長鑫工藝團(tuán)隊創(chuàng)造性復(fù)用現(xiàn)有浸沒式DUV平臺，通過多達(dá)12次精密套刻的“多重圖形曝光疊加”工藝，在DDR5芯片上實現(xiàn)單位面積存儲密度提升19.6%，部分型號實測性能甚至小幅超越同期海外競品。

至2024年12月，DDR5與LPDDR5產(chǎn)品已實現(xiàn)全工藝鏈穩(wěn)定量產(chǎn)，各項電性參數(shù)、功耗指標(biāo)及可靠性測試結(jié)果均達(dá)到JEDEC國際標(biāo)準(zhǔn)，小米14系列、傳音Infinix Zero 40旗艦機型及阿里云新一代智算服務(wù)器集群，均已規(guī)?；捎瞄L鑫自研內(nèi)存模組。

短短五年，技術(shù)代際差距由最初的6.8年壓縮至當(dāng)前3.2年左右；從阿里巴巴、騰訊云到OPPO、vivo等主流終端品牌，過去只能被動接受境外廠商配額分配的國內(nèi)客戶，如今首次擁有了真正具備商業(yè)可行性的“國產(chǎn)替代選項”，議價權(quán)與供應(yīng)鏈彈性顯著增強。

反攻號角方才吹響

產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)折點于2024年三季度清晰浮現(xiàn)：全球存儲市場結(jié)束長達(dá)14個月的下行周期，疊加AI大模型訓(xùn)練對高帶寬內(nèi)存需求爆發(fā)式增長，DRAM現(xiàn)貨價格指數(shù)單季度上漲達(dá)73.5%。長鑫精準(zhǔn)把握節(jié)奏，在合肥、北京雙基地滿負(fù)荷運轉(zhuǎn)下，規(guī)模效應(yīng)加速釋放，單位制造成本同比下降22.8%，盈利空間迅速打開。

最新出貨數(shù)據(jù)顯示，長鑫存儲2025年第二季度全球市場份額已達(dá)3.97%，位列全球第四、中國第一；雖相較三星18.6%的市占率仍有明顯差距，產(chǎn)能亦僅為前者的32.4%，且在HBM3等高端異構(gòu)內(nèi)存領(lǐng)域尚未實現(xiàn)商用突破，但那道橫亙五十年的壟斷高墻，已被鑿開一道清晰可見的裂痕。

更具戰(zhàn)略意義的是，下一代3D堆疊式DRAM架構(gòu)對極紫外（EUV）光刻工藝依賴度大幅降低，更多轉(zhuǎn)向混合鍵合、TSV硅通孔及先進(jìn)封裝等技術(shù)路徑——這恰恰是中國企業(yè)相對具備追趕優(yōu)勢的新賽道，也為后續(xù)跨越式發(fā)展預(yù)留了關(guān)鍵時間窗口。

本次募集的295億元資金，將按既定規(guī)劃精準(zhǔn)投向1α納米級DRAM工藝研發(fā)、HBM3E高帶寬內(nèi)存試產(chǎn)線建設(shè)及三維集成存儲前瞻實驗室搭建，全部項目預(yù)計于2028年底前建成投產(chǎn)。據(jù)Yole Développement最新預(yù)測，至2029年全球DRAM市場規(guī)模將達(dá)1260億美元，年復(fù)合增長率11.3%，而中國有望貢獻(xiàn)其中42%的增量，本土企業(yè)的深度參與，已從產(chǎn)業(yè)選擇升維為國家安全級戰(zhàn)略支點。

這片曾吞噬無數(shù)豪情壯志的“帝國墳場”，終究沒有埋葬所有來者；它用五十年時光、408.57億元真金白銀、5521項專利構(gòu)筑的淬煉爐，鍛造出一個真正能與巨頭對坐談判的玩家。不到4%的全球份額，分量卻重逾千鈞——它不只是數(shù)字，更是主權(quán)意志在微觀晶體世界里的具象落子。

長鑫存儲的崛起，印證了一個樸素卻鋒利的真理：在芯片這場沒有終點的耐力賽中，只要始終保有入場資格，就永遠(yuǎn)握有改寫終局的底牌。

這個領(lǐng)域從不存在捷徑意義上的“彎道超車”，唯有在技術(shù)懸崖邊緣持續(xù)加壓、在資本寒冬之中保持奔跑、在每一次良率波動里校準(zhǔn)方向——才是穿越周期、抵達(dá)彼岸的唯一坐標(biāo)。

這一役的勝利，遠(yuǎn)不止于財務(wù)報表上的紅字轉(zhuǎn)綠；它是長期主義在周期律動中的悲壯凱旋，當(dāng)那筆408億元的虧損終于結(jié)痂成盾，新生的肌理，必將比過往任何時刻都更致密、更堅韌、更能抵御下一場風(fēng)暴。