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全球微影設(shè)備龍頭艾司摩爾（ASML）宣布，已找到方法強(qiáng)化芯片制造設(shè)備的光源功率，預(yù)計可在2030年底前讓芯片產(chǎn)量提升最多五成，凸顯盡管美國和中國都想改變ASML幾近獨(dú)占地位，它仍與競爭者保持極大技術(shù)差距，不僅其最大客戶臺積電是最大受益者，對于渴望取得更強(qiáng)大效率的AI兩大關(guān)鍵芯片、AI加速器和高頻寬記憶體（HBM）廠商而言也是好消息。

ASML研究員發(fā)現(xiàn)方法，能將全球最先進(jìn)的極紫外光（EUV）微影設(shè)備的光源功率，從現(xiàn)今的六百瓦特提高至一千瓦特，最大好處是光源功率愈強(qiáng)，每小時能生產(chǎn)更多芯片，有助降低每顆芯片的成本。芯片印制方法類似相片，用EUV光線照在涂有光阻劑的矽晶圓上；光源功率愈強(qiáng)，芯片曝光時間愈短。

ASML宣布這項消息之所以引發(fā)半導(dǎo)體市場震撼，在于提升EUV的光源輸出功率后，能提高EUV產(chǎn)出晶圓的效率，從每小時約220片提升至330片。

目前一臺最貴的EUV設(shè)備要價高達(dá)三億到四億美元（約臺幣九十四億至一二五億元），晶圓廠買來的目的就是要生產(chǎn)更高效能的芯片，但為什么得花這么多錢去買這么昂貴的設(shè)備？原因就是芯片設(shè)計愈來愈復(fù)雜，相同的面積得放入數(shù)百億顆甚至千億顆電晶體，意謂曝光在矽晶圓上的線寬愈做愈小，傳統(tǒng)光源已經(jīng)「畫不出來」。

EUV就是要讓芯片內(nèi)的線路更細(xì)且要盡快縮短曝光時間，專程打造出來的微影設(shè)備，波長比原本的深紫外光（DUV）更短，只有13.5納米，波長等于只有DUV的十四分之一，解析度卻能夠大幅提高。

EUV的曝光原理即利用極高強(qiáng)度的雷射光源，透過雷射放大器形成雷射光束，以每秒五萬次速度擊中約三分之一人類發(fā)寬的錫滴，產(chǎn)生EUV光源，之后再經(jīng)過精密的反射鏡組引導(dǎo)到需要曝光的晶圓上。

ASML宣布透過提升關(guān)鍵芯片制造設(shè)備的光源功率，預(yù)計可在2030年底前讓芯片產(chǎn)量提升最多百分之五十。無疑將讓目前生產(chǎn)這些重要AI關(guān)鍵芯片的臺積電、三星、英特爾、SK海力士和美光，將在現(xiàn)有EUV生產(chǎn)系統(tǒng)上，提高這些重要AI芯片和記憶體的產(chǎn)量，對AI由云端向邊緣端快速發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，帶來決定性的貢獻(xiàn)。

從另一個層面看，ASML在半導(dǎo)體先進(jìn)制程設(shè)備市場幾近獨(dú)占，在這場AI賽局，愈來愈多國家想得到這款尖端設(shè)備，甚至扭轉(zhuǎn)ASML獨(dú)占局面。

美國也注資扶植發(fā)展可取代ASML獨(dú)占地位的EUV曝光技術(shù)公司如Substrate及Xlight等。雖然美中扶持的公司還未能威脅ASML，卻已促使ASML加速技術(shù)前進(jìn)腳步，而未來進(jìn)入AI全面化的時代，要有更強(qiáng)的生產(chǎn)設(shè)備，才能生產(chǎn)更強(qiáng)大的AI芯片。

（來源：工商時報）

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