2月9日消息，據(jù)韓聯(lián)社報道，業(yè)內(nèi)人士爆料稱，三星電子將于2月下旬（農(nóng)歷新年假期后）開始量產(chǎn)全球首款第六代高帶寬存儲器HBM4，并將被集成在英偉達一代AI加速器Vera Rubin當中。

業(yè)內(nèi)人士指出，三星擁有全球最大的生產(chǎn)能力和最廣泛的內(nèi)存產(chǎn)品線，并且通過成為首家量產(chǎn)最高性能HBM4的公司，顯示出其內(nèi)存技術(shù)競爭力的恢復(fù)。雖然，當前全球HBM市場主要由第五代HBM3E芯片主導(dǎo)，但業(yè)界觀察家預(yù)計，HBM4很快將會成為新一代AI加速器的標配。

目前，三星的HBM4已通過英偉達的質(zhì)量認證流程并獲得訂單，生產(chǎn)計劃也已根據(jù)英偉達的Vera Rubin推出計劃進行了調(diào)整。根據(jù)最新的訂單，三星供應(yīng)的HBM4樣品數(shù)量也顯著增加，以便客戶進行模塊測試。

三星HBM4生產(chǎn)計劃的啟動正值全球內(nèi)存供應(yīng)危機的加劇，該危機是由于生成式AI服務(wù)的爆炸性增長所驅(qū)動。隨著2022至2023年期間的內(nèi)存的戰(zhàn)略性減產(chǎn)，三星、SK海力士和美光等主要內(nèi)存制造商將產(chǎn)能重新導(dǎo)向?qū)Ｓ玫母邘拑?nèi)存，用于AI加速器和數(shù)據(jù)中心GPU，特別是隨著AI需求的爆炸式增長，這個轉(zhuǎn)變導(dǎo)致傳統(tǒng)DDR4和DDR5內(nèi)存的嚴重短缺。到2025年9月，三星已將其1c DRAM產(chǎn)能擴展至每月60,000片晶圓，專門針對HBM4的生產(chǎn)。該公司還確認計劃將HBM4的產(chǎn)能提高70%，以滿足來自英偉達和AMD的需求。

目前，內(nèi)存芯片的短缺已對消費電子行業(yè)造成連鎖反應(yīng)。比如，高通已經(jīng)報告了顯著的生產(chǎn)延遲。高通首席執(zhí)行長克里斯蒂亞諾·安蒙（Cristiano Amon）將預(yù)測的手機部門13%的收入下降歸因于內(nèi)存的缺乏，并表示這“100%與內(nèi)存有關(guān)”。

包括谷歌、亞馬遜AWS、微軟和Meta等科技巨頭已向內(nèi)存供應(yīng)商下達無限期的訂單，無論價格如何，愿意接受任何可用的供應(yīng)。OpenAI在2025年10月也與三星和SK海力士達成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系（主要針對其“星際之門”AI基礎(chǔ)設(shè)施項目），可能會消耗全球DRAM產(chǎn)量的40%。

內(nèi)存供應(yīng)的短缺和價格上漲，推動了三星電子和SK海力士的獲利的大幅增長。即使是通常能確保充足供應(yīng)的英偉達，也要求三星加快HBM4的交付，盡管質(zhì)量測試尚未完成，這突顯了需求壓力的嚴重性。

編輯：芯智訊-林子