山東
IT之家 1 月 6 日消息，SK 海力士今天（1 月 6 日）發(fā)布公告，宣布將在 CES 2026 展會(huì)（1 月 6~9 日）期間，舉辦“AI 技術(shù)創(chuàng)新賦能可持續(xù)未來”（Innovative AI，Sustainable Tomorrow）主題展覽，全面展示專為 AI 優(yōu)化的下一代存儲(chǔ)器解決方案。
在 HBM 方面，根據(jù)公告內(nèi)容，SK 海力士將在 CES 2026 展會(huì)期間，首次展示其下一代 HBM 產(chǎn)品“16 層 48GB HBM4”。該產(chǎn)品是繼此前實(shí)現(xiàn)業(yè)界最高速率 11.7Gbps 的 12 層 36GB HBM4 之后的后續(xù)版本，目前正根據(jù)客戶需求穩(wěn)步推進(jìn)研發(fā)工作。
IT之家援引博文內(nèi)容，SK 海力士為了展現(xiàn) HBM3E 在 AI 系統(tǒng)中的核心應(yīng)用價(jià)值，還將展示 12 層 36GB HBM3E 產(chǎn)品，并同步展出搭載該產(chǎn)品的全球客戶 AI 服務(wù)器 GPU 模塊。
除 HBM 之外，還將重點(diǎn)展出面向 AI 服務(wù)器的低功耗內(nèi)存模組 SOCAMM2，以及針對(duì) AI 應(yīng)用優(yōu)化的通用存儲(chǔ)器產(chǎn)品系列，其中代表性產(chǎn)品包括 LPDDR6，該產(chǎn)品專為端側(cè) AI 場(chǎng)景進(jìn)行深度優(yōu)化。
在 NAND 閃存方面，公司將展出 321 層 2Tb（太比特）QLC 產(chǎn)品，專為滿足 AI 數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)對(duì)超高容量企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤日益增長(zhǎng)的需求而打造。
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