拜登擔任總統(tǒng)的時候，就開啟了對我國芯片產(chǎn)業(yè)的全面打壓。因為他們看到了一個極其可怕的局面，中國的閃存芯片制造，只用了不到10年的時間，就完全超越了外國的同行。確切一點說，我國的長江儲存只用了7年時間，在技術(shù)上就完成了追趕和超越。

2023年，長江儲存甚至在美國起訴美光侵犯其專利。而在今年初，長江儲存又向三星授權(quán)了關(guān)鍵的技術(shù)專利。明明是一個后起之秀，卻能在關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)彎道超車，所用時間還非常短。美國人看了豈能不害怕？

長江儲存憑借什么快速發(fā)展？

做大做強芯片產(chǎn)業(yè)一直是我國長期以來的發(fā)展規(guī)劃。在中部城市武漢，這里類似于長江儲存的同行企業(yè)，可不僅僅只有幾個、幾十個，而是一個可以達到萬億規(guī)模的產(chǎn)業(yè)集群。

你可能會覺得，我國在芯片制造工藝上不是還有短板嗎？確實有短板，但是那僅僅是邁向高端技術(shù)領(lǐng)域的臨門一腳。但是在整個芯片產(chǎn)業(yè)上，我國的發(fā)展非但沒有短板，而且整體的產(chǎn)值規(guī)模還做到了最大。

還在20多年前，國家關(guān)于集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展就提出了若干政策。具體到地方，在武漢市當?shù)匾渤雠_了地方性的意見法規(guī)。政策上的引導為后來的發(fā)展起到了領(lǐng)航掌舵作用。在這個前提下，人才被不斷吸引過來，各種優(yōu)惠政策也使得大量企業(yè)快速發(fā)展上道。

時間來到2016年，長江儲存正式發(fā)展起步。一開始負責的項目主要是國家存儲器基地的發(fā)展方向。而且從起步伊始，我們在技術(shù)層面走的就是獨創(chuàng)性的道路。

2018年后使用的新技術(shù)提升了產(chǎn)品性能，尤其是在開發(fā)層面更是大大縮短時間，最終使得產(chǎn)品的生產(chǎn)周期縮短了20%。

正是憑借這一點，我國在芯片領(lǐng)域迎來了蓬勃發(fā)展。短短幾年的時間，那些壟斷了全球產(chǎn)業(yè)幾十年的企業(yè)，都紛紛敗在我們之下。

2019年后，長江儲存的芯片生產(chǎn)能力進一步提升，不但邁入了高端市場，企業(yè)的技術(shù)研發(fā)也推進到了更高堆疊層數(shù)。我們的發(fā)展絕不是無的放矢，而是從研發(fā)，再到產(chǎn)業(yè)體系的構(gòu)建，都在圍繞著長期規(guī)劃來完成。

但也正因為發(fā)展太穩(wěn)太快，立刻就引來了美國的“關(guān)注”。

美國的制裁是為了扼殺

美國不僅僅在制裁長江儲存，而是想通過系統(tǒng)的技術(shù)管控，一方面扼殺住我國芯片產(chǎn)業(yè)的進一步升級，另一方面，美國還想從整個產(chǎn)業(yè)體系入手，把我們排除在全球芯片產(chǎn)業(yè)鏈之外。

在推動上述步驟的過程中，美國人還想著盜取我們的專利技術(shù)。這就是為什么美國企業(yè)美光隨后被長江儲存告到了法院的緣故。而他們侵犯的專利就包括了長江儲存獨創(chuàng)性的232層3D NAND產(chǎn)品。

美國的制裁是為了扼殺，是不想我國在芯片領(lǐng)域能夠形成獨立于美國體系之外的新優(yōu)勢。像長江儲存這樣發(fā)展很快的中國企業(yè)，自然是美國制裁名單上的優(yōu)先項。

但是讓美國沒有料到的是，他們開啟的系統(tǒng)制裁非但沒有起到預(yù)想的效果，反倒加速了我國芯片產(chǎn)業(yè)的進一步提升。因為在系統(tǒng)制裁之前，在整個產(chǎn)業(yè)體系中，還有一些技術(shù)，包括一些環(huán)節(jié)，都跟國外的企業(yè)有著千絲萬縷聯(lián)系。

制裁開啟以后，所有的外聯(lián)通道都被堵死了，國內(nèi)的企業(yè)只能使用國產(chǎn)產(chǎn)品來替代相關(guān)進程，這在客觀上自然又進一步提高了國產(chǎn)設(shè)備乃至技術(shù)的迭代。

這下子美國有些傻眼了，想要采取補救措施，卻發(fā)現(xiàn)手上能夠遏制中國產(chǎn)業(yè)的牌已經(jīng)沒有了。另一方面，如果繼續(xù)在芯片高端技術(shù)領(lǐng)域加大攔阻門檻，同樣也起不到好的效果。

不得不說，美國只看到了我國的長江儲存發(fā)展很快，但是卻沒有看到這家企業(yè)的背后，還有更多的同類型企業(yè)，都在采取一樣的發(fā)展態(tài)勢。這是集群化的發(fā)展規(guī)模，也是美國人沒辦法只用一兩種方式就可以封鎖得了的。

后起之秀教授的新技術(shù)

今年2月，長江儲存向三星授權(quán)了關(guān)鍵的技術(shù)專利。一個后起之秀在教授一家已經(jīng)處于壟斷地位的企業(yè)技術(shù)，這本身就讓外界很驚異，對我們來說更是一種鼓勵。

這項技術(shù)就是3D NAND混合鍵合專利技術(shù)，這屬于將晶圓和晶圓直接鍵合的尖端封裝技術(shù)，而三星因為工藝流程的問題，完全無法繞開長江儲存的專利，所以獲得我們的授權(quán)就很關(guān)鍵。

具體來看，這項專利技術(shù)相比于傳統(tǒng)芯片連接所需的凸塊，縮短了電路，而且提高了儲存性能和散熱，同時在效率方面也具有重大優(yōu)勢。像三星這樣在全球的領(lǐng)頭羊企業(yè)，他們要想持續(xù)保證優(yōu)勢，在接下來的生產(chǎn)中勢必就得采用新的技術(shù)。而要使用新的技術(shù)，就得獲得長江儲存的授權(quán)。

這就是核心技術(shù)不斷迭代研發(fā)的優(yōu)勢。不管在哪個環(huán)節(jié)，只要自己的技術(shù)走在了前列，后面的企業(yè)就繞不開這些關(guān)鍵節(jié)點。未來，其他企業(yè)如果想繼續(xù)生產(chǎn)，要提高效率和優(yōu)勢，就得接受掌握技術(shù)一方的制約。

在技術(shù)專利領(lǐng)域，長江儲存此前就已經(jīng)建立了全面的風險預(yù)警機制。要保證的就是我們的技術(shù)不會被隨意侵犯，同時還要確保我們自身技術(shù)的進一步落地。

向三星授權(quán)相關(guān)專利以后，其他的一些國外的企業(yè)，他們?nèi)绻朐谶@一領(lǐng)域提高效率和量產(chǎn)，同樣也得跟我們接洽談判，獲得我們的授權(quán)。比如另一家巨頭SK海美斯，此前也在計劃著使用新的技術(shù)進行量產(chǎn)。

所以在這種局面下，長江儲存走在了前面，掌握著技術(shù)的絕對節(jié)點，就可以教授其他企業(yè)。而對整個行業(yè)而言，只要核心技術(shù)不斷掌控，未來的發(fā)展圍繞產(chǎn)能和效率，也可以打開更廣闊的天地。

參考資料：
《歷史一幕！長江儲存向三星授權(quán)關(guān)鍵技術(shù)專利》 觀察者網(wǎng) 2025年2月25日
《長江儲存背后的武漢“芯”時代》 觀察者網(wǎng) 2023年12月20日
《中國儲存芯片“悄然崛起”，讓三星、SK海力士震驚》 電子工程專輯 2025年2月13日