據(jù)路透社援引知情人士消息，美國(guó)政府已批準(zhǔn)三星電子和 SK 海力士的年度出口許可，允許兩家企業(yè)在 2026 全年向其位于中國(guó)的制造工廠運(yùn)送芯片制造設(shè)備。此次許可獲批的時(shí)間節(jié)點(diǎn)十分關(guān)鍵 —— 距離一項(xiàng)長(zhǎng)期豁免機(jī)制在 12 月 31 日到期僅差一天。該豁免到期后，外資在華晶圓廠將被納入更為嚴(yán)格的許可監(jiān)管框架。

在舊有政策體系下，三星、SK 海力士以及臺(tái)積電均享有 “認(rèn)證終端用戶” 資質(zhì)。憑借這一資質(zhì)，三家企業(yè)的在華合規(guī)工廠可直接獲取受美國(guó)管控的半導(dǎo)體設(shè)備，無(wú)需為每一批次的設(shè)備交付單獨(dú)申請(qǐng)出口許可。但這一資質(zhì)將于 12 月 31 日失效，此后，任何產(chǎn)自美國(guó)的芯片制造設(shè)備輸往中國(guó)，均需獲得美國(guó)政府的明確授權(quán)。

此次新獲批的許可覆蓋三星與 SK 海力士 2026 自然年的設(shè)備運(yùn)輸需求，且采用年度審批制。有知情人士向路透社透露，美國(guó)政府已正式將對(duì)華芯片制造設(shè)備出口的監(jiān)管模式切換為年度審批，取代了此前沿用的豁免政策—— 美方官員認(rèn)為，舊豁免政策的限制力度過于寬松，已不符合當(dāng)前的政策導(dǎo)向。

對(duì)這兩家韓國(guó)半導(dǎo)體巨頭而言，此次許可獲批至關(guān)重要，因?yàn)橹袊?guó)仍是其存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)的核心產(chǎn)能基地。三星在西安布局了大型 NAND 閃存芯片工廠，SK 海力士則在無(wú)錫運(yùn)營(yíng)一座大型 DRAM 芯片廠，并在大連設(shè)有 NAND 閃存芯片生產(chǎn)基地。這些在華工廠的產(chǎn)能，在全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)占據(jù)相當(dāng)大的份額，尤其是在成熟制程的 DRAM 和 NAND 產(chǎn)品領(lǐng)域。加之過去一年，人工智能數(shù)據(jù)中心的爆發(fā)式需求引發(fā)存儲(chǔ)芯片供應(yīng)趨緊，推動(dòng)產(chǎn)品價(jià)格大幅上漲，維持各地工廠的穩(wěn)定運(yùn)營(yíng)對(duì)兩家企業(yè)的戰(zhàn)略重要性進(jìn)一步提升。

值得注意的是，新政策下的年度許可僅用于保障工廠的日常運(yùn)營(yíng)與維護(hù)，并非允許企業(yè)無(wú)限制擴(kuò)產(chǎn)。美國(guó)政府官員曾多次強(qiáng)調(diào)，出口管制的核心目的是阻止中國(guó)獲得先進(jìn)芯片制造能力；即便是在舊豁免政策下，極紫外光刻機(jī)（EUV）等最敏感的設(shè)備，也始終被列入對(duì)華禁運(yùn)清單。

與此同時(shí)，監(jiān)管模式轉(zhuǎn)向年度審批，也為芯片制造商帶來了新的不確定性。許可的每一次續(xù)期，都讓美國(guó)政府得以根據(jù)整體貿(mào)易環(huán)境和其所謂的國(guó)家安全形勢(shì)，調(diào)整審批條件，甚至直接駁回申請(qǐng)。市場(chǎng)分析推測(cè)，美國(guó)政府預(yù)計(jì)這一收緊的監(jiān)管框架，或?qū)?duì)應(yīng)用材料、泛林集團(tuán)、科磊等美國(guó)設(shè)備廠商的營(yíng)收造成影響—— 這些企業(yè)是存儲(chǔ)芯片廠刻蝕、薄膜沉積等核心設(shè)備的主要供應(yīng)商。

目前來看，此次許可獲批確保了三星和 SK 海力士在 2026 年可繼續(xù)向中國(guó)工廠進(jìn)口關(guān)鍵制造設(shè)備。而美國(guó)政府未來將如何逐年強(qiáng)化對(duì)相關(guān)設(shè)備流向的審查力度，仍有待進(jìn)一步觀察。

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