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英特爾率先打造了由 47 個(gè)芯片組成的顯式解耦式芯片設(shè)計(jì)，其面向人工智能和高性能計(jì)算應(yīng)用的 Ponte Vecchio 計(jì)算 GPU 便是其中之一。該產(chǎn)品至今仍保持著多芯片設(shè)計(jì)數(shù)量最多的紀(jì)錄，但英特爾晶圓代工計(jì)劃推出一款更為極致的產(chǎn)品：一款多芯片封裝，在八個(gè)基本芯片上集成至少 16 個(gè)計(jì)算單元、24 個(gè) HBM5 內(nèi)存堆棧，其尺寸可擴(kuò)展至市面上最大 AI 芯片的 12 倍（光罩尺寸為 12 倍，超過(guò)了臺(tái)積電的 9.5 倍）。當(dāng)然，我們不禁要問(wèn)，如此強(qiáng)大的處理器需要怎樣的功耗和散熱？

英特爾的概念性 2.5D/3D 多芯片封裝展示了 16 個(gè)大型計(jì)算單元（AI 引擎或 CPU），這些單元采用英特爾 14A 甚至更先進(jìn)的 14A-E 工藝技術(shù)（1.4nm 級(jí)、增強(qiáng)功能、第二代 RibbonFET 2 環(huán)柵晶體管、改進(jìn)的 PowerVia Direct 背面供電）制造。

這些芯片位于八個(gè)（大概是光罩大小的）計(jì)算基礎(chǔ)芯片之上，這些芯片采用 18A-PT 工藝（1.8nm 級(jí)，通過(guò)硅通孔 (TSV) 和背面供電增強(qiáng)性能），可以執(zhí)行一些額外的計(jì)算工作，或者為“主”計(jì)算芯片提供大量的 SRAM 緩存，正如英特爾在其示例中所展示的那樣。

技術(shù)與計(jì)算單元連接，利用超高密度 10 微米以下銅對(duì)銅混合鍵合技術(shù)，為頂層芯片提供最大帶寬和功率。英特爾的 Foveros Direct 3D 技術(shù)目前是英特爾晶圓代工封裝創(chuàng)新的巔峰之作，彰顯了其精湛的設(shè)計(jì)。

基礎(chǔ)芯片采用 EMIB-T（增強(qiáng)型嵌入式多芯片互連橋，帶有 TSV），頂部采用UCIe-A，用于彼此之間以及與采用 18A-P（1.8nm 級(jí)，性能增強(qiáng)型）和定制基礎(chǔ)芯片制造的 I/O 芯片之間的橫向（2.5D）互連，最多可支持 24 個(gè) HBM5 內(nèi)存堆疊。

值得注意的是，英特爾提議使用基于 UCIe-A 的 EMIB-T 接口來(lái)連接定制的 HBM5 模塊，而不是使用符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)的、采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)接口的 HBM5 堆棧，這可能是為了獲得更高的性能和容量。鑒于此次演示的性質(zhì)，使用定制的 HBM5 堆棧并非設(shè)計(jì)要求；這僅僅是為了展示英特爾也能夠集成此類器件。

整個(gè)封裝還可以容納 PCIe 7.0、光引擎、非相干結(jié)構(gòu)、224G SerDes、用于安全等的專用加速器，甚至還可以容納 LPDDR5X 內(nèi)存以增加 DRAM 容量。

請(qǐng)注意，Intel Foundry 在 X 上發(fā)布的視頻展示了兩種概念設(shè)計(jì)：一種是“中等規(guī)?！痹O(shè)計(jì)，包含四個(gè)計(jì)算單元和 12 個(gè) HBM 顯存；另一種是“極端規(guī)?！痹O(shè)計(jì)，包含 16 個(gè)計(jì)算單元和 24 個(gè) HBM5 顯存堆棧，本文重點(diǎn)介紹后者。即使是中等規(guī)模的設(shè)計(jì)，以今天的標(biāo)準(zhǔn)來(lái)看也相當(dāng)先進(jìn)，但 Intel 現(xiàn)在就可以量產(chǎn)。

至于這種極致封裝概念，可能會(huì)在本十年末出現(xiàn)，屆時(shí)英特爾不僅會(huì)完善其Foveros Direct 3D封裝技術(shù)，還會(huì)完善其18A和14A生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)。如果英特爾能在本十年末生產(chǎn)出這種極致封裝，將使其與臺(tái)積電并駕齊驅(qū)。臺(tái)積電也計(jì)劃推出類似產(chǎn)品，甚至預(yù)計(jì)至少部分客戶會(huì)在2027-2028年左右使用其晶圓級(jí)集成產(chǎn)品。

在短短幾年內(nèi)將這種極致設(shè)計(jì)變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)對(duì)英特爾來(lái)說(shuō)是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)，因?yàn)樗仨毚_保組件在安裝到主板上時(shí)不會(huì)變形，即使在極小的公差范圍內(nèi)，也不會(huì)因長(zhǎng)時(shí)間使用后的過(guò)熱而發(fā)生形變。除此之外，英特爾（以及整個(gè)行業(yè)）還需要學(xué)習(xí)如何為尺寸堪比智能手機(jī)（最大可達(dá) 10,296 平方毫米）的巨型處理器提供充足的熱量和散熱，而這些處理器的封裝尺寸還會(huì)更大，但這又是另一個(gè)話題了。

https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/intel-displays-tech-to-build-extreme-multi-chiplet-packages-12-times-the-size-of-the-largest-ai-processors-beating-tsmcs-planned-biggest-floorplan-the-size-of-a-cellphone-armed-with-hbm5-14a-compute-tiles-and-18a-sram

（來(lái)源：編譯自tomshardware）

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