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從最新一份全球晶圓代工市場數(shù)據(jù)來看，臺積電在產(chǎn)業(yè)中的位置已經(jīng)不僅僅是“領(lǐng)先者”，而更像是整個代工體系的核心支點。市場研究機(jī)構(gòu)的統(tǒng)計顯示，2025 年第三季度，全球前十大晶圓代工商合計營收達(dá)到 450.86 億美元，較上一季度環(huán)比增長 8.1%。在整體需求回暖、各家廠商營收普遍回升的背景下，臺積電依舊拿走了其中最重要的一部分：當(dāng)季營收 330.63 億美元，環(huán)比增長 9.3%，市場份額進(jìn)一步提升至 71%。

這一數(shù)字本身已經(jīng)說明問題。超過 70% 的市場份額，意味著臺積電一家所覆蓋的產(chǎn)能規(guī)模、客戶結(jié)構(gòu)和技術(shù)層級，已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過其他所有競爭對手的總和。無論從先進(jìn)制程的推進(jìn)速度、頭部客戶的集中度，還是資本開支的持續(xù)強(qiáng)度來看，臺積電在當(dāng)前代工市場中的優(yōu)勢都呈現(xiàn)出明顯的“放大效應(yīng)”。市場整體在增長，但增長最直接、最充分地體現(xiàn)在臺積電身上。

與之形成對比的是，其他晶圓代工廠商雖然同樣實現(xiàn)了營收增長，卻在份額上難以縮小差距。三星電子仍位居第二，但三季度營收僅為 31.84 億美元，市場份額下降至 6.8%；中芯國際、聯(lián)華電子、格羅方德等廠商分列其后，更多是在各自擅長的工藝節(jié)點和應(yīng)用領(lǐng)域中穩(wěn)步推進(jìn)。整體來看，代工市場正在呈現(xiàn)出一種清晰的結(jié)構(gòu)：臺積電不斷向上擴(kuò)張，而其他廠商則被迫在不同層級、不同賽道中尋找位置。

也正是在這樣的背景下，一個值得關(guān)注的問題逐漸浮現(xiàn)——當(dāng)臺積電持續(xù)加快先進(jìn)制程量產(chǎn)節(jié)奏，并通過美國、日本等地的布局進(jìn)一步鞏固其全球制造網(wǎng)絡(luò)時，那些在正面競爭中逐漸拉開距離的“手下敗將”，正在如何調(diào)整各自的戰(zhàn)略？是繼續(xù)投入高風(fēng)險、高資本消耗的先進(jìn)制程競賽，還是選擇成熟工藝、特色制程、區(qū)域市場或特定客戶群體，構(gòu)建差異化的生存邏輯？

英特爾：押注先進(jìn)技術(shù)與生態(tài)重構(gòu)

在這些追趕者中，英特爾的轉(zhuǎn)型動作最為激進(jìn)，也最具系統(tǒng)性。作為曾經(jīng)的半導(dǎo)體霸主，英特爾在制程技術(shù)上的落后一度讓外界質(zhì)疑其代工業(yè)務(wù)的前景。但從2024年底到2025年，英特爾展現(xiàn)出的戰(zhàn)略調(diào)整清晰而堅決：不是放棄先進(jìn)制程競爭，而是通過技術(shù)突破、客戶爭取和生態(tài)整合，試圖在特定領(lǐng)域重新建立競爭力。

先進(jìn)制程：14A與High-NA EUV的技術(shù)豪賭

英特爾晶圓代工的核心籌碼是其14A制程節(jié)點。這一節(jié)點被定位為對外部客戶極具競爭力的選擇，預(yù)計在功耗效率和芯片密度方面實現(xiàn)顯著提升。更關(guān)鍵的是，14A將成為全球首個在關(guān)鍵層采用高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV光刻技術(shù)的制造節(jié)點。

英特爾已安裝ASML的Twinscan EXE:5200B，這是業(yè)界首款采用0.55數(shù)值孔徑投影光學(xué)系統(tǒng)的High-NA光刻設(shè)備。該設(shè)備能夠以8nm的分辨率打印芯片，在50 mJ/cm2的劑量下每小時可處理175片晶圓，并實現(xiàn)0.7納米的套刻精度。相比之下，臺積電和三星雖然也在測試High-NA設(shè)備的研發(fā)版本，但尚未將其用于商業(yè)規(guī)模生產(chǎn)。這意味著英特爾在這一代光刻技術(shù)的應(yīng)用上，率先完成了從實驗室到生產(chǎn)線的跨越。

英特爾表示，High-NA工具將帶來更靈活的設(shè)計規(guī)則，減少光刻步驟，降低掩模數(shù)量，縮短周期時間，并提高良率。隨著該公司不斷積累量產(chǎn)經(jīng)驗，未來在1nm以下時代還能根據(jù)需要插入High-NA EUV多重曝光，而不會對良率產(chǎn)生顯著影響。這種技術(shù)路徑的前瞻性布局，正是英特爾試圖在下一輪制程競爭中占據(jù)主動的關(guān)鍵。

先進(jìn)封裝：EMIB技術(shù)的突圍機(jī)會

在先進(jìn)制程之外，英特爾找到了另一個突破口——先進(jìn)封裝。隨著臺積電CoWoS封裝產(chǎn)能長期緊張，英特爾的EMIB（嵌入式多芯片互連橋）技術(shù)正逐漸成為可行的替代方案。

EMIB是業(yè)界首個采用嵌入式橋接技術(shù)的2.5D互連解決方案，自2017年起已實現(xiàn)量產(chǎn)。與使用硅中介層作為基板的CoWoS不同，EMIB采用局部嵌入式橋接，提供更高的成本效益和更大的設(shè)計靈活性，非常適合定制ASIC、芯片組和AI推理處理器。報道顯示，蘋果和博通正在招募具備EMIB技術(shù)專長的工程師，蘋果甚至在考慮采用英特爾的EMIB封裝技術(shù)來開發(fā)定制服務(wù)器加速器Baltra，此前該項目原本與臺積電的N3工藝相關(guān)，但由于CoWoS產(chǎn)能有限而轉(zhuǎn)向英特爾。

英特爾還在不斷擴(kuò)展EMIB產(chǎn)品線。新型EMIB-M將金屬-絕緣體-金屬（MIM）電容器直接集成到硅橋中，提升供電性能；EMIB-T解決方案引入硅通孔（TSV）技術(shù)，滿足HBM對低噪聲垂直供電的需求。此外，英特爾還將EMIB與Foveros 2.5D和Foveros Direct 3D結(jié)合，創(chuàng)建了EMIB 3.5D混合架構(gòu)。

英特爾晶圓代工封裝與測試副總裁表示，公司正在努力緩解先進(jìn)封裝芯片短缺的局面，其優(yōu)勢在于不受產(chǎn)能限制。據(jù)報道，AWS和聯(lián)發(fā)科等芯片設(shè)計公司正在選擇英特爾晶圓代工作為供應(yīng)商。英特爾在美國本土擁有先進(jìn)的封裝能力，從新墨西哥州的Fab 9和Fab 11x工廠到俄亥俄州未來可能投產(chǎn)的生產(chǎn)線，這種本土生產(chǎn)賦予英特爾的戰(zhàn)略影響力遠(yuǎn)超成本優(yōu)勢。

客戶爭�。簭奶O果到英偉達(dá)的多線進(jìn)攻

英特爾晶圓代工最引人注目的進(jìn)展，是其在爭取頭部客戶方面取得的實質(zhì)性突破。知名分析師郭明錤的調(diào)查顯示，蘋果已與英特爾簽署保密協(xié)議，采購英特爾的18A-P PDK 0.9.1GA芯片。蘋果目前正在等待英特爾交付PDK 1.0/1.1套件，預(yù)計將于2026年第一季度到貨。如果一切順利，英特爾最早可能在2027年第二或第三季度開始交付基于18A-P先進(jìn)工藝節(jié)點的蘋果入門級M系列處理器。

18A-P工藝是英特爾首個支持Foveros Direct 3D混合鍵合技術(shù)的節(jié)點，針對各種功率/電壓范圍進(jìn)行了精細(xì)調(diào)校，優(yōu)化了閾值電壓以更好地平衡能效。據(jù)估計，到2027年，蘋果用于MacBook和iPad的入門級M系列芯片產(chǎn)量可能達(dá)到1500萬至2000萬顆。這不僅意味著巨大的產(chǎn)能貢獻(xiàn)，也象征著英特爾在高端移動芯片市場重新獲得認(rèn)可。

更廣泛的客戶拓展也在同步進(jìn)行。據(jù)報道，英偉達(dá)和AMD正在評估英特爾晶圓代工的14A制程節(jié)點。英特爾副總裁證實，一些先進(jìn)封裝客戶取得了良好成果，客戶主動聯(lián)系英特爾是溢出效應(yīng)的結(jié)果，公司目前正在進(jìn)行戰(zhàn)略對話。18A-P工藝在PDK方面已相當(dāng)成熟，英特爾將重新與外部客戶接洽，以評估他們的興趣。

ASIC業(yè)務(wù)：從IDM到系統(tǒng)代工的轉(zhuǎn)型

英特爾的另一個重要戰(zhàn)略調(diào)整是設(shè)立專用ASIC部門。該部門由Srini Iyengar領(lǐng)導(dǎo)，隸屬于中央工程集團(tuán)（CEG）。英特爾首席執(zhí)行官陳立武（Lip-Bu Tan）在第三季度財報電話會議上表示：“CEG團(tuán)隊將牽頭構(gòu)建我們?nèi)碌腁SIC和設(shè)計服務(wù)業(yè)務(wù)，為廣泛的外部客戶提供定制芯片。這不僅將擴(kuò)展我們核心x86 IP的應(yīng)用范圍，還將利用我們的設(shè)計優(yōu)勢，提供從通用計算到固定功能計算的一系列解決方案�！�

這一戰(zhàn)略的邏輯在于，英特爾擁有芯片技術(shù)專長、x86 IP以及提供制造服務(wù)的內(nèi)部代工廠，尋求定制AI芯片的客戶可以獲得滿足所有需求的“一站式”服務(wù)。這是市場上其他ASIC設(shè)計商都無法提供的優(yōu)勢，即使是博通、Marvell或Alchip也不例外，因為英特爾的代工廠服務(wù)正是其區(qū)別于其他公司的關(guān)鍵所在。借助CEG集團(tuán)，英特爾實現(xiàn)了橫向工程的集中化，這意味著將設(shè)計服務(wù)與制造和封裝相結(jié)合的成本已大幅降低。

英特爾副總裁表示，公司在定制網(wǎng)絡(luò)ASIC芯片領(lǐng)域擁有蓬勃發(fā)展的業(yè)務(wù)，已經(jīng)獲得了眾多智能網(wǎng)卡ASIC芯片的客戶。這些芯片專為網(wǎng)絡(luò)密集型工作負(fù)載而設(shè)計，例如網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)包處理、遙測、流量管理等。值得一提的是，陳立武在推動定制芯片商業(yè)模式方面有著深厚的經(jīng)驗，他在Cadence公司擔(dān)任要職期間，一直致力于知識產(chǎn)權(quán)業(yè)務(wù)、設(shè)計工具、設(shè)計生態(tài)系統(tǒng)合作以及定制芯片的垂直市場。他的經(jīng)驗和市場人脈將助力英特爾更好地把握ASIC熱潮。

并購整合：收購SambaNova補(bǔ)齊AI拼圖

為了進(jìn)一步強(qiáng)化AI領(lǐng)域的競爭力，英特爾正就收購人工智能芯片初創(chuàng)企業(yè)SambaNova Systems進(jìn)行深入談判，此次收購包含債務(wù)在內(nèi)的總估值約為16億美元。SambaNova于2017年由斯坦福大學(xué)的教授團(tuán)隊創(chuàng)立，專注于定制化人工智能芯片的設(shè)計研發(fā)，目標(biāo)是與英偉達(dá)的同類產(chǎn)品展開競爭。

值得注意的是，英特爾首席執(zhí)行官陳立武同時擔(dān)任SambaNova的董事長，他旗下的風(fēng)險投資公司華登國際是SambaNova的創(chuàng)始投資方之一，并曾在2018年牽頭完成了該公司規(guī)模達(dá)5600萬美元的A輪融資。以16億美元的價格收購SambaNova，將為英特爾帶來其長期尋求的技術(shù)平臺，助力完善自身人工智能產(chǎn)品布局，且此次收購價格相比該公司2021年50億美元的估值存在明顯折價。

三星：2nm制程的背水一戰(zhàn)

如果說英特爾的策略是多點開花、尋求技術(shù)突破，那么三星電子則是把所有籌碼壓在了2nm制程的大規(guī)模量產(chǎn)上。作為全球第二大晶圓代工廠，三星在3nm制程競賽中屢敗于臺積電，連續(xù)數(shù)年每季度虧損數(shù)萬億韓元。但從2024年底到2025年，三星的2nm業(yè)務(wù)開始顯現(xiàn)轉(zhuǎn)機(jī)，成為其晶圓代工部門扭虧為盈的關(guān)鍵變量。

良率提升：從50%到70%的關(guān)鍵跨越

三星2nm制程采用全環(huán)柵（GAA）晶體管架構(gòu)，這是三星在3nm制程中率先引入的技術(shù)。與傳統(tǒng)的鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）設(shè)計相比，GAA技術(shù)最大限度地減少了電流泄漏，并顯著提高了性能和電源效率。關(guān)鍵的是，三星從3nm開始采用GAA，而臺積電將從2nm才開始應(yīng)用。這意味著三星在克服3nm工藝挑戰(zhàn)的同時，積累了多樣化的GAA經(jīng)驗，與剛剛開始采用這項新技術(shù)的臺積電處于不同的位置。

根據(jù)韓國媒體報道，三星2nm制程的良率已經(jīng)從9月份的50%提升到11月的50%至60%，目標(biāo)是在年底或2026年初將生產(chǎn)良率提高到70%左右，以吸引大客戶。市場研究公司Counterpoint Research預(yù)測,三星的2nm產(chǎn)能將增加163%，從2024年的每月8000片晶圓增加到2026年底的21000片晶圓。

三星DS部門首席技術(shù)官（CTO）兼總裁宋在赫在與總統(tǒng)政策秘書室長金容范的會談中強(qiáng)調(diào)，隨著人工智能投資熱潮推動半導(dǎo)體需求進(jìn)入景氣周期，2nm制程將成為一個關(guān)鍵的轉(zhuǎn)折點。熟悉三星的消息人士表示：“距離2nm全面量產(chǎn)已不遠(yuǎn)，這番言論被解讀為三星計劃中的2nm工藝良率和芯片性能正在穩(wěn)步達(dá)到目標(biāo)�！�

客戶突破：從特斯拉到高通的訂單斬獲

隨著良率的提升，三星已成功吸引到主要客戶采用其先進(jìn)工藝。2024年7月，三星獲得了與特斯拉的合同，價值165億美元，用于生產(chǎn)下一代AI6芯片。AI6是一款采用2nm工藝量產(chǎn)的高性能芯片，將用于特斯拉的全自動駕駛（FSD）系統(tǒng)，預(yù)計將于2027年內(nèi)上市。特斯拉首席執(zhí)行官埃隆·馬斯克也確認(rèn)，三星將代工部分AI5芯片系列，該系列芯片最初計劃由臺積電代工。

除了特斯拉，三星還接到了多個重要訂單：三星系統(tǒng)LSI內(nèi)部的智能手機(jī)應(yīng)用處理器Exynos 2600、蘋果的圖像傳感器，以及MicroBT和Canaan的挖礦專用芯片（ASICs）。高通的應(yīng)用處理器也有望跟進(jìn)，傳聞高通的第六代驍龍8至尊版將會有基于三星2nm代工的版本。

最近，據(jù)悉，由著名芯片架構(gòu)師Jim Keller領(lǐng)導(dǎo)的AI半導(dǎo)體公司Tenstorrent也在考慮與三星和臺積電合作生產(chǎn)下一代芯片。此外，三星還贏得了美國AI半導(dǎo)體初創(chuàng)公司Tsavorite Scalable Intelligence、Anaphae以及韓國初創(chuàng)公司DeepX的生產(chǎn)合同。據(jù)報道，Tsavorite已向三星預(yù)訂了價值約1500億韓元（約合1000億美元）的AI芯片，采用三星4nm工藝。

汽車市場：從特斯拉到現(xiàn)代的全方位布局

三星晶圓代工的另一個重要突破口是汽車半導(dǎo)體市場。除了特斯拉的AI6芯片，三星正準(zhǔn)備為現(xiàn)代汽車公司量產(chǎn)8nm MCU（微控制器單元），該公司計劃在2028年完成研發(fā)，并在2030年開始量產(chǎn)。三星晶圓代工極有可能贏得現(xiàn)代汽車高端車型5nm自動駕駛芯片的合同。

更值得關(guān)注的是，三星晶圓代工將向現(xiàn)代汽車供應(yīng)采用14nm FinFET工藝量產(chǎn)的eMRAM（嵌入式磁性隨機(jī)存取存儲器）。eMRAM是一種利用直接嵌入半導(dǎo)體內(nèi)部的磁性來存儲數(shù)據(jù)的存儲半導(dǎo)體，速度大約是NAND的1000倍，但低功耗特性正在推動汽車行業(yè)對其需求的增長。三星計劃在2026年將其eMRAM產(chǎn)品組合擴(kuò)展到8nm，并在2027年擴(kuò)展到5nm。

通過這種方式，三星代工廠獲得了大多數(shù)工藝的汽車芯片參考標(biāo)準(zhǔn)，包括超精細(xì)工藝（2nm）、精細(xì)工藝（5nm和8nm）以及成熟工藝（14nm）。這種全方位的布局，使三星在汽車半導(dǎo)體代工領(lǐng)域建立了顯著的競爭優(yōu)勢。

硅光子技術(shù)：挑戰(zhàn)臺積電的新戰(zhàn)場

三星的戰(zhàn)略布局不僅限于傳統(tǒng)晶圓代工，還包括對下一代技術(shù)的前瞻性投入。三星電子DS事業(yè)部已將硅光子學(xué)選為未來的核心技術(shù)，并開始為其位于新加坡的專屬研發(fā)中心招募經(jīng)驗豐富的專家。該新加坡研發(fā)中心由副總裁兼前臺積電員工崔景建領(lǐng)導(dǎo)，正與總部技術(shù)開發(fā)辦公室緊密合作，共同推進(jìn)這項技術(shù)的發(fā)展。

硅光子技術(shù)以光傳輸數(shù)據(jù)，成為數(shù)據(jù)中心、高效能運算及網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施在超高頻寬、低延遲及高能源效率的解決方案。與將數(shù)據(jù)信息存儲在銅線上的傳統(tǒng)半導(dǎo)體不同，硅光子技術(shù)將信息封裝在光中，然后通過光纖傳輸，幾乎沒有電阻，能夠?qū)崿F(xiàn)更快的傳輸速度，還能顯著降低發(fā)熱量和功耗。

三星正調(diào)動其遍布韓國、新加坡、印度、美國和日本的全球研發(fā)網(wǎng)絡(luò)，致力于硅光子技術(shù)的研發(fā)。三星近期將負(fù)責(zé)硅光子技術(shù)研發(fā)的高級主管李康浩晉升為副總裁,并聘請了英特爾前首席產(chǎn)品官研究員樸賢大。三星還與人工智能半導(dǎo)體設(shè)計公司博通合作，共同推進(jìn)硅光子技術(shù)的商業(yè)化。三星宣布CPO（共封裝光學(xué)器件）的商業(yè)化日期為2027年。

業(yè)內(nèi)人士預(yù)計，硅光子技術(shù)是贏得更多大型晶圓代工客戶的關(guān)鍵，這可能是一張反擊王牌，能夠扭轉(zhuǎn)三星目前在2.5D和3D等尖端封裝市場落后于臺積電的局面。市場研究公司Modo Intelligence預(yù)測，到2030年，硅光子市場規(guī)模將增長至103億美元。

High-NA EUV：追趕臺積電的設(shè)備競賽

在先進(jìn)光刻設(shè)備方面，三星也在積極追趕。三星電子計劃在2026年上半年前投資約1.1萬億韓元，引進(jìn)兩臺最新的極紫外（EUV）曝光設(shè)備——荷蘭阿斯麥公司的“高數(shù)值孔徑（NA）EUV”。該設(shè)備能夠繪制比現(xiàn)有產(chǎn)品精細(xì)1.7倍的電路，每套設(shè)備成本約為5500億韓元。

三星計劃在其2nm晶圓生產(chǎn)線上部署新機(jī)器，該生產(chǎn)線已在生產(chǎn)Exynos 2600應(yīng)用處理器。三星還計劃使用最新的EUV設(shè)備在2nm晶圓生產(chǎn)線上生產(chǎn)和供應(yīng)特斯拉的下一代人工智能芯片。該工具還將支持三星未來的垂直通道晶體管（VCT）DRAM的生產(chǎn)，這是一種高性能、低功耗的內(nèi)存芯片，計劃于2027年左右量產(chǎn)。

據(jù)悉，三星董事長李在镕對High-NA EUV的興趣始于2023年12月，當(dāng)時他訪問了位于荷蘭的ASML總部。李在镕對EUV實現(xiàn)2nm以下芯片生產(chǎn)的潛力印象深刻，因此指示工程師加快開發(fā)兼容的工藝技術(shù)。

盈利預(yù)期：2027年的轉(zhuǎn)折點

行業(yè)預(yù)計，多年來一直錄得季度數(shù)百億韓元虧損的三星代工業(yè)務(wù)將從2027年開始扭虧為盈。這得益于其奧斯汀工廠的開工率預(yù)期提高，以及泰勒工廠從2027年開始大規(guī)模量產(chǎn)特斯拉的AI6芯片。三星在其第三季度財報簡報中表示：“我們獲得了以尖端工藝為中心的創(chuàng)紀(jì)錄訂單，包括2nm的大規(guī)�？蛻艉贤�。隨著采用2nm工藝的新產(chǎn)品全面量產(chǎn)，我們預(yù)計通過持續(xù)提高開工率和實施成本效率措施，業(yè)績將進(jìn)一步改善。”

Counterpoint Research表示：“如果良率持續(xù)改善，并且泰勒工廠的量產(chǎn)順利進(jìn)行，三星可能在數(shù)代以來首次在尖端工藝上有意義地縮小與臺積電的競爭差距。”目前，臺積電面臨著英偉達(dá)和蘋果等主要客戶的訂單集中，據(jù)報道將其2nm晶圓價格比前幾代提高了50%。這為三星創(chuàng)造了一個可以搶占的利基市場，后者正利用靈活的定價策略來吸引客戶。

聯(lián)電：成熟制程的差異化突圍

與英特爾和三星不同，聯(lián)華電子（聯(lián)電）很早就明確了自己的戰(zhàn)略定位：不參與高風(fēng)險、高資本消耗的先進(jìn)制程競賽，而是在成熟制程的基礎(chǔ)上，通過特殊工藝、先進(jìn)封裝和硅光子等高附加價值應(yīng)用，開辟新的增長空間。面對中國大陸晶圓廠在成熟制程市場的激烈競爭，聯(lián)電的策略是避開價格戰(zhàn)，轉(zhuǎn)向技術(shù)壁壘更高、毛利更豐厚的細(xì)分領(lǐng)域。

先進(jìn)封裝：高通訂單的戰(zhàn)略意義

目前，聯(lián)電已經(jīng)在先進(jìn)封裝領(lǐng)域取得了實質(zhì)性突破。聯(lián)電自行開發(fā)的高階中介層（Interposer）已獲得高通的電性驗證，并已進(jìn)入試產(chǎn)流程，預(yù)估最快2026年第一季度量產(chǎn)。供應(yīng)鏈透露，聯(lián)電首批中介層電容密度達(dá)1500nF/mm2，技術(shù)水準(zhǔn)屬于高階封裝主流，高通更直接采購爐管機(jī)臺放入聯(lián)電廠房，顯示雙方合作深度與信任度非比尋常。

這一合作涵蓋AI PC、智能汽車與AI服務(wù)器等三大市場，強(qiáng)化聯(lián)電在高速運算領(lǐng)域的地位。聯(lián)電同步擴(kuò)大海外封裝布局，新加坡廠已投入2.5D制程，并具備晶圓對晶圓（Wafer-to-Wafer）鍵合技術(shù)，這是3D IC制造的關(guān)鍵能力。聯(lián)電強(qiáng)調(diào)，未來將以完整方案為策略，不僅提供晶圓制程，也整合封裝平臺，打造屬于聯(lián)電的先進(jìn)封裝生態(tài)系，并結(jié)合智原、硅統(tǒng)、華邦等轉(zhuǎn)投資伙伴，提高系統(tǒng)性競爭力。

業(yè)界人士指出，聯(lián)電布局先進(jìn)封裝，先前在制程端僅供應(yīng)中介層，應(yīng)用在RFSOI制程，對營收貢獻(xiàn)有限。隨著高通采用聯(lián)電先進(jìn)封裝制程打造高速運算芯片，近期雙方合作又進(jìn)一步發(fā)展，對聯(lián)電來說將能降低在成熟制程的低價競爭，闖出一條不同之路。

硅光子：與IMEC合作搶占新賽道

聯(lián)電的另一個重要布局是硅光子領(lǐng)域。聯(lián)電與比利時微電子研究中心（IMEC）簽署技術(shù)授權(quán)協(xié)議，取得IMEC iSiPP300硅光子制程，該制程具備共封裝光學(xué)（CPO）相容性。藉由此次授權(quán)合作，聯(lián)電將推出12英寸硅光子平臺，瞄準(zhǔn)下世代高速連接應(yīng)用市場。

隨著AI數(shù)據(jù)負(fù)載日益增加，傳統(tǒng)銅互連面臨瓶頸，硅光子技術(shù)以光傳輸數(shù)據(jù)，成為數(shù)據(jù)中心、高效能運算及網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施在超高頻寬、低延遲及高能源效率的解決方案。聯(lián)電將結(jié)合IMEC經(jīng)驗證的12英寸硅光子制程技術(shù)、加上聯(lián)電絕緣層上覆硅（SOI）晶圓制程，為客戶提供高度可擴(kuò)展的光子芯片（PIC）平臺。

聯(lián)電資深副總經(jīng)理指出，取得IMEC最先進(jìn)的硅光子制程技術(shù)授權(quán)，將加速聯(lián)電12英寸硅光子平臺的發(fā)展進(jìn)程。聯(lián)電正與多家新客戶合作，預(yù)計在2026及2027年展開風(fēng)險試產(chǎn)。此外，聯(lián)電未來系統(tǒng)架構(gòu)將朝CPO與光學(xué)I/O等更高整合度的方向邁進(jìn)，提供數(shù)據(jù)中心內(nèi)部及跨數(shù)據(jù)中心需要的高頻寬、低能耗且高度可擴(kuò)展的光互連應(yīng)用解決方案。

業(yè)界分析，IMEC是全球微電子與納米技術(shù)研究重鎮(zhèn)，長年與臺積電、英特爾等科技巨頭合作，其硅光子研究位居世界第一梯隊。聯(lián)電此次攜手IMEC揮軍硅光子，有三大優(yōu)勢：首先是聯(lián)電不用從零開始摸索硅光子元件設(shè)計規(guī)則，能直接取得IMEC的光子PDK、聯(lián)合開發(fā)驗證；其次是大幅縮短商業(yè)化量產(chǎn)時間；最后則是與國際大客戶的技術(shù)對接更順暢。

據(jù)了解，英偉達(dá)將在今年推出的新世代Rubin架構(gòu)起，大量在AI服務(wù)器導(dǎo)入硅光子及CPO技術(shù)。法人認(rèn)為，聯(lián)電揮軍硅光子，有助進(jìn)一步打入AI服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等核心供應(yīng)鏈，若2027年如期放量，聯(lián)電將成為全球CPO供應(yīng)鏈中不可或缺的晶圓制造要角。

美國本土制造：與Polar的戰(zhàn)略合作

聯(lián)電還在積極拓展美國本土制造能力。聯(lián)電宣布，已與專攻高壓、功率及傳感器的美國晶圓代工廠Polar Semiconductor簽署合作備忘錄（MOU），雙方將展開洽談，共同探索在美國本土8英寸晶圓制造的合作機(jī)會，以應(yīng)對汽車、數(shù)據(jù)中心、消費電子，以及航空與國防等關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)持續(xù)成長的需求。

根據(jù)該諒解備忘錄，Polar與聯(lián)電將評估可在Polar近期擴(kuò)建的明尼蘇達(dá)州8英寸晶圓廠所生產(chǎn)的產(chǎn)品，并選定具體的生產(chǎn)項目。結(jié)合Polar穩(wěn)健的制造能力，與聯(lián)電完整的8英寸晶圓制造技術(shù)組合及全球客戶基礎(chǔ)，這項合作可望推動雙方業(yè)務(wù)成長，并協(xié)助客戶實現(xiàn)多元制造布局。此外，此合作也將進(jìn)一步強(qiáng)化美國本土的8英寸晶圓制造產(chǎn)能，確保汽車、電網(wǎng)、機(jī)器人制造、數(shù)據(jù)中心等產(chǎn)業(yè)所需的關(guān)鍵功率半導(dǎo)體能夠在美國穩(wěn)定供應(yīng)。

聯(lián)電全球業(yè)務(wù)資深副總經(jīng)理指出：“聯(lián)電致力通過多元的制程技術(shù)及全球布局，為客戶提供彈性的供應(yīng)鏈選擇，以協(xié)助客戶在現(xiàn)今的地緣政治環(huán)境中提升競爭力。這次合作不僅直接回應(yīng)客戶對美國本土半導(dǎo)體制造方案的需求，也展現(xiàn)聯(lián)電以創(chuàng)新解決方案和雙贏的合作模式，延續(xù)我們?yōu)榭蛻魟?chuàng)造價值的一貫承諾。”

制程探索：與英特爾的潛在合作

盡管聯(lián)電明確表示不會全面進(jìn)軍先進(jìn)制程，但市場傳出，聯(lián)電正考慮擴(kuò)大與英特爾之間的合作伙伴關(guān)系，可能選擇在原有12nm制程合作基礎(chǔ)上，將制程提升至6nm制程。對此，聯(lián)電表示不評論市場消息，但強(qiáng)調(diào)雙方在12nm鰭式場效電晶體（FinFET）合作將按規(guī)劃，于2027年導(dǎo)入量產(chǎn)，具備AI、物聯(lián)網(wǎng)與車用等高增長領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢。

聯(lián)電董事長指出，12nm FinFET制程技術(shù)平臺（12FFC）相較于14nm技術(shù)（14FFC），芯片尺寸更小、功耗更低，性能大幅提升，充分發(fā)揮FinFET的優(yōu)勢，可廣泛應(yīng)用于各種半導(dǎo)體產(chǎn)品。與14FFC相比，12nm技術(shù)在優(yōu)化的FinFET設(shè)備下，可實現(xiàn)10%的性能提升，透過降低電壓減少20%功耗，采用六走線軌道設(shè)計，使面積減少超過10%，并節(jié)省三層光罩，進(jìn)一步增強(qiáng)聯(lián)電成本競爭力。

法人認(rèn)為，即便聯(lián)電不跨進(jìn)先進(jìn)制程，該公司在硅光子與先進(jìn)封裝等領(lǐng)域多元布局，有助在成熟制程紅海中開創(chuàng)新藍(lán)海。

格羅方德：區(qū)域化與特色工藝的守成者

格羅方德（GlobalFoundries）作為全球第五大晶圓代工廠，很早就放棄了先進(jìn)制程的競爭，轉(zhuǎn)而專注于成熟制程和特色工藝。但在2024年底到2025年，格羅方德的戰(zhàn)略重心更加清晰：通過區(qū)域化布局、硅光子技術(shù)和IP整合，在特定市場和應(yīng)用領(lǐng)域建立不可替代的地位。

硅光子布局：收購AMF擴(kuò)大領(lǐng)先優(yōu)勢

2024年11月17日，格羅方德宣布收購位于新加坡的硅光子晶圓代工廠Advanced Micro Foundry（AMF）。此舉標(biāo)志著格羅方德在推進(jìn)創(chuàng)新和鞏固其硅光子領(lǐng)域領(lǐng)先地位的戰(zhàn)略中邁出了關(guān)鍵一步。此次收購將擴(kuò)展格羅方德在新加坡的硅光子技術(shù)組合、產(chǎn)能和研發(fā)能力，與其在美國的現(xiàn)有技術(shù)形成互補(bǔ)。

格羅方德收購AMF，將AMF的制造資產(chǎn)、豐富的知識產(chǎn)權(quán)和專業(yè)人才整合在一起，顯著擴(kuò)展格羅方德的硅光子技術(shù)，并使格羅方德成為全球營收最高的純硅光子晶圓代工廠。憑借AMF超過15年的制造經(jīng)驗，格羅方德將利用AMF位于新加坡的200mm平臺，滿足長距離光通信、計算、激光雷達(dá)和傳感等領(lǐng)域的需求，并計劃隨著市場需求的增長擴(kuò)展至300mm平臺。

格羅方德首席執(zhí)行官表示：“硅光子技術(shù)對人工智能基礎(chǔ)設(shè)施至關(guān)重要。隨著數(shù)據(jù)傳輸速度加快、工作負(fù)載日益復(fù)雜，以更高的速度、精度和能效傳輸信息的能力如今已成為人工智能數(shù)據(jù)中心和先進(jìn)電信網(wǎng)絡(luò)的基礎(chǔ)。收購AMF使格羅方德能夠提供更全面、更具差異化的十年可插拔收發(fā)器和共封裝光器件發(fā)展路線圖，同時加速光子技術(shù)向汽車和量子計算等相鄰市場的發(fā)展。”

為配合此次收購，格羅方德計劃在新加坡建立一個硅光子學(xué)研發(fā)卓越中心（CoE）。該中心將與新加坡科技研究局合作，專注于研發(fā)用于400Gbps超高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)南乱淮牧希瑥亩七M(jìn)格羅方德的創(chuàng)新路線圖。

IP整合：收購MIPS強(qiáng)化計算能力

值得注意的是，格羅方德今年還正式宣布計劃收購MIPS，這家公司提供基于開源RISC-V指令集架構(gòu)的處理器IP。格羅方德重申其純代工廠的定位，強(qiáng)調(diào)此次收購并不意味著將轉(zhuǎn)向芯片設(shè)計或銷售，其真正目的是通過提供現(xiàn)成可用的IP模塊，幫助客戶——尤其是初次涉足芯片開發(fā)或希望實現(xiàn)垂直整合的企業(yè)——簡化系統(tǒng)設(shè)計流程。

格羅方德企業(yè)傳播總監(jiān)表示：“收購MIPS將增強(qiáng)格羅方德為客戶提供更完整、更具差異化解決方案的能力。通過整合MIPS成熟的RISC-V處理器IP及軟件工具,格羅方德客戶將受益于更廣泛的計算IP訪問、更短的上市周期、更大的靈活性與開放性，以及面向高增長市場的更優(yōu)技術(shù)。這一舉措將使格羅方德不僅是制造合作伙伴，更成為提供基礎(chǔ)計算技術(shù)的戰(zhàn)略伙伴�！�

公司計劃持續(xù)支持MIPS基于開源RISC-V架構(gòu)的處理器核心產(chǎn)品組合，以滿足各類計算需求，從而拓展格羅方德在新市場和新應(yīng)用領(lǐng)域的服務(wù)能力。這涵蓋了用于自動化平臺、嵌入式系統(tǒng)和智能邊緣設(shè)備的計算子系統(tǒng)。除了邊緣AI應(yīng)用外，格羅方德與MIPS的協(xié)同能力也非常適合在車載、物聯(lián)網(wǎng)和數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施等高增長領(lǐng)域發(fā)揮作用。

盡管MIPS將成為格羅方德的子公司并向其客戶提供IP產(chǎn)品，但MIPS將繼續(xù)獨立運營，維持現(xiàn)有客戶關(guān)系并繼續(xù)推進(jìn)當(dāng)前項目與合作協(xié)議。此外，MIPS也將繼續(xù)與其他晶圓廠合作。

歐洲擴(kuò)產(chǎn)：德累斯頓工廠的戰(zhàn)略升級

今年11月，格羅方德宣布，計劃投資11億歐元，擴(kuò)大其位于德國德累斯頓工廠的產(chǎn)能。這項投資將使該工廠的產(chǎn)能到2028年底提升至每年超過100萬片晶圓，使其成為歐洲同類工廠中規(guī)模最大的工廠。這項名為"SPRINT"的擴(kuò)建計劃預(yù)計將得到德國聯(lián)邦政府和薩克森州在《歐洲芯片法案》框架下的支持。

作為項目的一部分，該設(shè)施將進(jìn)行升級，以提供端到端的歐洲流程和數(shù)據(jù)流，滿足關(guān)鍵的半導(dǎo)體安全要求。新的產(chǎn)能將專注于格羅方德高度差異化的技術(shù)——其關(guān)鍵性能特性包括低功耗、嵌入式安全內(nèi)存和無線連接——這些特性對于滿足歐洲在汽車、物聯(lián)網(wǎng)、國防和關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用領(lǐng)域的芯片需求至關(guān)重要。

格羅方德首席執(zhí)行官表示：“近期汽車行業(yè)的動蕩凸顯了全球芯片供應(yīng)鏈的脆弱性。我們計劃在德累斯頓進(jìn)行擴(kuò)張，這是格羅方德積極應(yīng)對這些挑戰(zhàn)并履行承諾的又一舉措，旨在支持歐洲對安全供應(yīng)鏈和差異化技術(shù)的需求。通過擴(kuò)大我們在歐洲、美國和全球的制造業(yè)務(wù)，格羅方德正在鞏固其作為關(guān)鍵行業(yè)客戶韌性十足且值得信賴的合作伙伴的地位�！�

中國市場：技術(shù)授權(quán)的務(wù)實路線

在先進(jìn)制程受限的大背景下，特色工藝的技術(shù)轉(zhuǎn)移成為了格羅方德與中國廠商合作的新模式。2025年8月，格羅方德宣布與一家中國本土代工廠達(dá)成最終協(xié)議，為中國客戶提供車規(guī)級工藝與制造專長，不過格羅方德并未公開合作方。

這種合作模式的優(yōu)勢在于：相比先進(jìn)邏輯制程，特色工藝更注重應(yīng)用導(dǎo)向和工藝優(yōu)化，技術(shù)壁壘相對較低，但應(yīng)用門檻較高。通過技術(shù)授權(quán)，國內(nèi)廠商可直接獲得成熟的工藝平臺，無需漫長的研發(fā)周期即可投入量產(chǎn)，從而縮短產(chǎn)品上市時間、降低開發(fā)成本，并增強(qiáng)本地供應(yīng)鏈韌性。

對于格羅方德而言，在先進(jìn)制程競爭中處于劣勢的情況下，通過技術(shù)授權(quán)可以實現(xiàn)技術(shù)價值的最大化。對于中國廠商而言，這種合作模式能夠快速提升在射頻、功率、車規(guī)芯片等特色工藝領(lǐng)域的技術(shù)能力。

結(jié)語：差異化生存的多重路徑

從英特爾、三星、聯(lián)電到格羅方德的戰(zhàn)略調(diào)整來看，晶圓代工市場正在形成一種新的競爭格局：臺積電繼續(xù)在先進(jìn)制程和頭部客戶中占據(jù)絕對優(yōu)勢，而其他廠商則在各自選擇的細(xì)分賽道中尋找生存空間。

英特爾押注先進(jìn)制程與先進(jìn)封裝的雙輪驅(qū)動，試圖通過技術(shù)突破和生態(tài)整合重新建立競爭力；三星將大部分籌碼壓在2nm制程的大規(guī)模量產(chǎn)上，期待在下一輪技術(shù)周期中實現(xiàn)反超；聯(lián)電專注于成熟制程的差異化升級，通過先進(jìn)封裝和硅光子等高附加價值應(yīng)用避開價格戰(zhàn)；格羅方德則堅守特色工藝和區(qū)域化布局，在特定市場和應(yīng)用領(lǐng)域建立不可替代的地位。

這些戰(zhàn)略調(diào)整的共同特點是：不再試圖在所有維度上與臺積電正面競爭，而是根據(jù)自身的技術(shù)積累、客戶基礎(chǔ)和資源稟賦，選擇最適合自己的發(fā)展路徑。在先進(jìn)封裝、硅光子、ASIC設(shè)計服務(wù)、區(qū)域化制造等新興領(lǐng)域，這些“手下敗將”正在尋找新的增長機(jī)會。

*免責(zé)聲明：本文由作者原創(chuàng)。文章內(nèi)容系作者個人觀點，半導(dǎo)體行業(yè)觀察轉(zhuǎn)載僅為了傳達(dá)一種不同的觀點，不代表半導(dǎo)體行業(yè)觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯(lián)系半導(dǎo)體行業(yè)觀察。

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