2025年，全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)在AI浪潮驅(qū)動(dòng)下進(jìn)入新一輪上升周期，中國(guó)作為關(guān)鍵玩家，在NAND和DRAM領(lǐng)域加速擴(kuò)產(chǎn)，以應(yīng)對(duì)強(qiáng)勁的終端需求。

本文基于J.P. Morgan、Nomura、Jefferies及Morgan Stanley等機(jī)構(gòu)的最新研究，從終端需求、晶圓產(chǎn)能擴(kuò)張和設(shè)備需求三個(gè)維度，解析中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)的趨勢(shì)與機(jī)遇。

【終端需求：AI服務(wù)器主導(dǎo)增長(zhǎng)，消費(fèi)電子承壓】

1. AI服 務(wù)器需求強(qiáng)勁，云服務(wù)商Capex加碼

• 云服務(wù)提供商（CSP）Capex持續(xù)高增 ：2024年全球Top 8 CSP的Capex同比增長(zhǎng)56%，2025年預(yù)計(jì)進(jìn)一步增長(zhǎng)65%（圖1）。其中，中國(guó)廠商如阿里巴巴、騰訊的Capex增速達(dá)20-30%，直接拉動(dòng)DRAM和HBM需求。

• 服務(wù)器出貨量增長(zhǎng) ：2025年全球服務(wù)器出貨量預(yù)計(jì)增長(zhǎng)2%，2026年加速至11%（圖2）。AI服務(wù)器占比提升，推動(dòng)高帶寬內(nèi)存（HBM）和高速NAND需求。

• 2025年P(guān)C出貨量增長(zhǎng)5.8% ，主因Windows 10終止支持帶來(lái)的換機(jī)需求。但2026年預(yù)計(jì)下降2.8%（圖3），因內(nèi)存成本上漲（DRAM占BOM成本15-25%）推高零售價(jià)，抑制消費(fèi)。

• 品牌分化 ：聯(lián)想受益于中國(guó)和日本市場(chǎng)增長(zhǎng)，戴爾因聚焦AI服務(wù)器份額下滑。

• 2025年智能手機(jī)出貨量微增1.4% ，2026年預(yù)計(jì)下降1.7%。中國(guó)補(bǔ)貼政策退坡及內(nèi)存成本上漲（低端機(jī)內(nèi)存占BOM成本15%+）是主因。

• 蘋果iPhone需求穩(wěn)健 ：iPhone 17系列熱銷，但iPhone 18 Air可能因設(shè)計(jì)更改延遲發(fā)布。

【晶圓需求：中國(guó)廠商激進(jìn)擴(kuò)產(chǎn)，DRAM/NAND產(chǎn)能躍升】

為滿足AI驅(qū)動(dòng)的高性能存儲(chǔ)需求，中國(guó)半導(dǎo)體公司正加速晶圓產(chǎn)能擴(kuò)張。

1. DRAM產(chǎn)能：CXMT領(lǐng)跑，技術(shù)差距縮小

• 長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）和長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)（CXMT）是核心玩家 。CXMT的DRAM產(chǎn)能從2023年的85k wpm增至2025年的254k wpm，2027年預(yù)計(jì)達(dá)338k wpm（圖4）。其LPDDR5產(chǎn)品雖落后全球領(lǐng)先技術(shù)1.5-2代，但正快速追趕。

• 全球份額提升 ：中國(guó)廠商的DRAM產(chǎn)能份額從2023年的6%升至2027年的15%。

• YMTC憑借X-Stacking技術(shù)優(yōu)勢(shì) ，在232層以上NAND領(lǐng)域逼近國(guó)際大廠。其產(chǎn)能從2023年的66k wpm增至2025年的136k wpm（圖5）。

• 競(jìng)爭(zhēng)格局 ：YMTC在NAND領(lǐng)域比CXMT在DRAM領(lǐng)域更具競(jìng)爭(zhēng)力，預(yù)計(jì)1年內(nèi)可進(jìn)入高端產(chǎn)品供應(yīng)鏈。

• 2025-2026年中國(guó)內(nèi)存廠商Capex達(dá)150-160億美元 ，主要用于新建晶圓廠（如YMTC的二期項(xiàng)目）。DRAM產(chǎn)能每增加10k wpm需投資11億美元，NAND需7.2億美元（表1）。

【設(shè)備需求：擴(kuò)產(chǎn)帶動(dòng)WFE市場(chǎng)增長(zhǎng)，先進(jìn)封裝成新焦點(diǎn)】

晶圓產(chǎn)能擴(kuò)張直接推動(dòng)晶圓廠設(shè)備（WFE）需求，中國(guó)設(shè)備商在先進(jìn)封裝領(lǐng)域機(jī)遇凸顯。

1. WFE市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng)

• 2025-2027年全球WFE市場(chǎng)增速上調(diào)至2%/11%/8% （原預(yù)期0%/10%/1%），主因中國(guó)擴(kuò)產(chǎn)及HBM/3D NAND層數(shù)增加帶來(lái)的刻蝕、沉積設(shè)備需求。

• 關(guān)鍵設(shè)備商受益 ：東京電子（刻蝕）、Advantest（測(cè)試）因測(cè)試時(shí)間延長(zhǎng)需求增長(zhǎng)。

• CoWoS和CoPoS技術(shù)驅(qū)動(dòng) ：臺(tái)積電的CoWoS產(chǎn)能緊張，下一代CoPoS技術(shù)預(yù)計(jì)2028年量產(chǎn)，可提升50-100%設(shè)備ASP（圖6）。

• 中國(guó)設(shè)備商機(jī)遇 ：廣東GPTC等公司受益于CoWoS設(shè)備訂單，HBM-TCB（熱壓鍵合）設(shè)備需求2026年重啟。

• 美國(guó)出口管制下，中國(guó)加快半導(dǎo)體設(shè)備自研。中微公司（AMEC）在刻蝕設(shè)備、北方華創(chuàng)在PVD設(shè)備領(lǐng)域份額提升。

風(fēng)險(xiǎn)提示 ：內(nèi)存價(jià)格過(guò)快上漲可能抑制終端需求；美國(guó)技術(shù)管制加劇或拖累中國(guó)產(chǎn)能落地進(jìn)度。

數(shù)據(jù)來(lái)源：J.P. Morgan《Asia Pacific Equity Research》、Nomura《Asia PC & Smartphone》、Jefferies《China Memory Expert Call》、Morgan Stanley《Greater China Technology Hardware》。