市調(diào)機構(gòu)counterpoint公布了今年三季度全球存儲芯片市場的數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)顯示中國在存儲芯片方面占有的份額已超過日本，僅次于美國，并且與美國的份額快速縮短， 趕超美國就在旦夕之間，凸顯出中國存儲芯片的飛速進展。

數(shù)據(jù)指出中國占有DRAM存儲芯片市場大約8%的份額，而在NAND flash存儲芯片市場則更占有13%的份額，總計在存儲芯片市場占有的份額已超過一成，相比起兩三年前的5%份額翻倍，而這兩家存儲芯片企業(yè)成立于2016年，那時候從零起步，可見成長之迅速。

全球前三大存儲芯片企業(yè)分別是韓國的三星和SK海力士，第三名則是美國的美光，不過近幾年美光在存儲芯片行業(yè)幾乎已淪為陪跑的對象，占有的份額比韓國兩大存儲芯片少得多，韓國兩大存儲芯片企業(yè)合計占有全球存儲芯片市場大約七成的份額。

這兩年韓國兩大存儲芯片企業(yè)更依托于AI芯片巨頭NVIDIA帶起的HBM芯片大賺特賺，他們也以更先進的技術、更周到的服務與美國企業(yè)NVIDIA合作無間，相反同為美國企業(yè)的美光與NVIDIA的合作則似乎總是差了點意思，這就導致美光與韓國存儲芯片企業(yè)的差距越拉越大。

與美韓存儲芯片相比，中國存儲芯片則主要依托于國內(nèi)市場，中國是全球最大的存儲芯片采購國，每年大約采購全球存儲芯片大約三成左右的份額，在以往由于受制于美日韓存儲芯片，他們動輒漲價的時候，中國的企業(yè)只能忍受。

那時候韓國存儲芯片一會是洪水，一會是火災，總之就是各種借口不斷漲價，而好多年前韓國存儲芯片就曾被美國指出操縱存儲芯片價格而被重罰，凸顯出韓國存儲芯片本來就有操縱存儲芯片價格的惡習，借此大賺特賺，而中國的制造業(yè)就是他們賺大錢的對象。

此外存儲芯片還涉及到信息安全，隨著數(shù)據(jù)的迸發(fā)，對存儲芯片的需求量日益擴大，而事關信息安全的行業(yè)采用美日韓存儲芯片自然難以讓人放心，因此中國在成立集成電路產(chǎn)業(yè)基金之后，扶持的芯片行業(yè)之一就是存儲芯片。

大約2016年中國有三家存儲芯片成立，不過后來其中一家存儲芯片企業(yè)因為一些原因而停滯，另外兩家存儲芯片企業(yè)則分別發(fā)展DRAM、NAND flash存儲芯片，也正是基于另一家存儲芯片的遭遇，中國這兩家存儲芯片選擇從零做起，發(fā)展自己的存儲芯片技術，避免受制于人。

NAND flash存儲芯片就是從最基礎的32層 NAND flash存儲芯片發(fā)展，到64層NAND flash存儲芯片研發(fā)成功的時候都只是小規(guī)模試產(chǎn)，積累技術，直到128層NAND flash才開始大規(guī)模生產(chǎn)，到量產(chǎn)232層NAND flash存儲芯片的時候已成功反超美日韓存儲芯片，卻也在那時候遭遇芯片設備的限制。

不過中國的存儲芯片沒有因此停下腳步，一方面是積極利用國產(chǎn)設備替代，據(jù)悉今年下半年已建成全國產(chǎn)化的生產(chǎn)線，這方面在于存儲芯片為了確?？煽啃赃€在使用10納米以上工藝，對芯片設備的要求沒有邏輯芯片那么高；另一方面仍然堅持技術研發(fā)，據(jù)稱已研發(fā)300層NAND flash存儲芯片，技術基本與美日韓同步。

如今國產(chǎn)存儲芯片的崛起已給中國制造業(yè)帶來了積極的意義，美日韓存儲芯片的漲價被抑制，在當下正迅速發(fā)展的AI芯片行業(yè)，國產(chǎn)HBM芯片也已量產(chǎn)成功，先進存儲芯片的量產(chǎn)凸顯出國產(chǎn)芯片技術的飛速進展，獲得更多利潤后又反哺國產(chǎn)芯片供應鏈，推動技術研發(fā)，形成良性循環(huán)，在芯片和芯片產(chǎn)業(yè)鏈方面都降低了對海外的依賴性。