國產(chǎn)存儲芯片實現(xiàn)歷史性突破，長鑫存儲8000 Mbps DDR5產(chǎn)品達到國際領先水平。

11月23日，長鑫存儲在第二十二屆中國國際半導體博覽會（IC China 2025）上正式發(fā)布其最新DDR5產(chǎn)品系列，最高速率達8000Mbps，最高顆粒容量24Gb，兩項指標均達到國際領先水平。

同期展示的還有最高速率10667 Mbps、最高顆粒容量16Gb的LPDDR5X移動端內(nèi)存。長鑫存儲此次形成了一套覆蓋服務器、工作站及個人電腦全領域的完整產(chǎn)品矩陣。

突破性能巔峰

在本次IC China 2025展會上，長鑫存儲以“雙芯共振，5力全開”為主題，展示了其在高端存儲芯片領域的最新成果。

最新發(fā)布的8000 Mbps DDR5芯片較當前市場主流的6400Mbps產(chǎn)品速率提升25%，標志著國產(chǎn)存儲芯片正式邁入國際頂級性能梯隊。

隨著處理器核心數(shù)量與AI模型規(guī)模持續(xù)增長，算力系統(tǒng)對內(nèi)存速率的需求正大幅提升。

長鑫存儲8000 Mbps DDR5產(chǎn)品的推出，恰好滿足了這一市場需求，為全球存儲市場提供了多元選擇。

在內(nèi)存容量方面，長鑫存儲在標準16Gb顆粒之外，重點推出了24Gb大容量顆粒。

這一突破對于大規(guī)模數(shù)據(jù)中心具有顯著優(yōu)勢——能在不占用額外物理插槽的前提下，顯著提升系統(tǒng)的模型加載能力與多任務處理效率，滿足數(shù)據(jù)中心快速擴容的剛需。

在AI驅(qū)動的算力時代，內(nèi)存容量和速率同樣重要。

長鑫存儲的24Gb大容量顆粒將有效支持大型AI模型的訓練和推理，為中國數(shù)據(jù)中心提供強有力的底層技術(shù)支持。

全場景產(chǎn)品矩陣

長鑫存儲依托先進顆粒，推出了七大模組產(chǎn)品，實現(xiàn)從云到邊緣端的全場景覆蓋。

這些模組包括：覆蓋數(shù)據(jù)中心和企業(yè)級服務器的RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM；適配主流臺式機與PC的UDIMM；滿足筆記本電腦和緊湊型設備的SODIMM；以及面向高端超頻與工作站市場的CUDIMM、CSODIMM等新型時鐘驅(qū)動模組。

特別值得關注的是，長鑫存儲在MRDIMM等前沿領域的布局，顯示其已具備支持下一代服務器平臺與新型互連標準的實力。

而CUDIMM、CSODIMM模組則緊跟國際標準組織JEDEC于2024年發(fā)布的產(chǎn)品標準。

長鑫存儲此次還同臺展示了10月最新發(fā)布的LPDDR5X產(chǎn)品，該產(chǎn)品是針對移動市場旗艦產(chǎn)品開發(fā)的低功耗內(nèi)存。

這款LPDDR5X內(nèi)存最高速率可達10667Mbps，并涵蓋12GB、16GB、24GB、32GB等容量的多種封裝解決方案。

移動端內(nèi)存的同步突破，意味著長鑫存儲已形成端到端的產(chǎn)品能力，從服務器到移動設備，均可提供高性能的國產(chǎn)存儲解決方案。

長鑫存儲市場中心負責人駱曉東表示，“當前DRAM需求的爆發(fā)式增長對市場供給、價格都帶來了巨大的影響，中國需要有穩(wěn)定的國產(chǎn)DRAM產(chǎn)能供應”。

在全球存儲市場迎來AI驅(qū)動的超級周期的背景下，長鑫存儲系列高端產(chǎn)品的發(fā)布不僅強化了具有國際競爭力的產(chǎn)品線，精準契合市場對高端產(chǎn)品的海量需求。

駱曉東進一步強調(diào)，通過產(chǎn)能擴張和規(guī)模效應，可以“減少對海外廠商產(chǎn)能的依賴”。

這一突破對于中國在全球存儲產(chǎn)業(yè)鏈中的地位提升具有戰(zhàn)略意義。

隨著數(shù)字經(jīng)濟的深入發(fā)展，存儲芯片已成為現(xiàn)代信息技術(shù)的基礎性核心產(chǎn)品。

全球存儲市場正迎來AI驅(qū)動的超級周期，長鑫存儲系列高端產(chǎn)品的發(fā)布恰逢其時。

這一突破不僅強化了國產(chǎn)存儲芯片的國際競爭力，更將為全球存儲市場提供多元選擇，并拉動服務器、數(shù)據(jù)中心等產(chǎn)業(yè)生態(tài)升級，推動整個產(chǎn)業(yè)鏈向高附加值環(huán)節(jié)迭代。