前不久組裝了一臺高配置緊湊型3A主機(jī)，主要用于內(nèi)容創(chuàng)作與游戲娛樂等場景，核心配置為AMD銳龍9 9950X3D處理器搭配藍(lán)寶石RX 9070XT 16GB氮動顯卡，主板選了藍(lán)寶石氮動B850M WIFI主板，主板的硬件規(guī)格非常給力，就是在BIOS層面的易用性稍遜一籌，藍(lán)寶石為主板更新了新版BIOS，接下來將展示解讀新版BIOS的一些特性。

藍(lán)寶石氮動B850M WIFI主板采用12+2+1相數(shù)字供電設(shè)計，實測其供電能力足以應(yīng)付AMD銳龍9 9950X3D處理器，供電模組均被金屬裝甲所覆蓋，能實現(xiàn)更好輔助散熱，在接口的類型與數(shù)量上該有的基本上配齊了，比如PCIe5.0固態(tài)硬盤插槽與兩個視頻輸出接口。

對于AMD平臺進(jìn)入BIOS主要是開啟PBO超頻與EXPO內(nèi)存超頻，主板標(biāo)稱內(nèi)存頻率最高可支持8000MT/s+（OC），有動手能力的玩家還可對內(nèi)存頻率時序進(jìn)行精細(xì)化的調(diào)整，BIOS版本更新主要有兩種方式，一種是利用BIOS內(nèi)置功能進(jìn)行圖形化升級，一種是通過主板背面快捷升級按鈕去刷BIOS。

首先說說初代版本的BIOS，這樣才能做一個更好的區(qū)分與對比，以R10版本為例，進(jìn)入主板BIOS默認(rèn)是簡易模式，界面采用暗黑主題配色，在主界面中可直接開啟EXPO內(nèi)存超頻設(shè)置和PBO模式，若想進(jìn)行更多的參數(shù)設(shè)置操作，需要進(jìn)入高級模式才能實現(xiàn)，部分內(nèi)存時序參數(shù)甚至要翻找一下。

新BIOS版本為R18，目前仍是公開的測試版本，這次新版BIOS最大的改動在于界面布局與交互層面，并沒區(qū)分簡易模式與高級模式，界面左側(cè)設(shè)計了多個不同模塊，可以快速切換至不同區(qū)域操作更多的參數(shù)設(shè)置，在儀表板上有可直接開啟EXPO內(nèi)存超頻、ReSize BAR、PBO和EUP模式。

一般開啟EXPO、ReSize BAR與PBO三個就夠了，EUP是節(jié)能模式若無需要可以不開啟，在BIOS中提供了三種性能配置，分別是靜音模式、預(yù)設(shè)模式與性能模式，若想完全發(fā)揮處理器性能就選擇性能模式，散熱風(fēng)扇轉(zhuǎn)速也會變得更激進(jìn)，可以通過手動調(diào)整轉(zhuǎn)速曲線進(jìn)一步降低噪聲。

要知道在BIOS中各類參數(shù)選項數(shù)量非常之多，BIOS新增了收藏夾功能，每個選項前有一個星號標(biāo)記，當(dāng)被點亮后會記錄到收藏夾中，對于頻繁使用的選項，往后超頻修改參數(shù)時直接在收藏夾中就能找到，在高級板塊中提供了深層次的系統(tǒng)設(shè)置，比如AMD虛擬化與PCIe接口速率等。

新BIOS升級重點其實是放在超頻板塊，將處理器與內(nèi)存條的電壓頻率與時序等項目歸于其中，AMD銳龍9 9950X3D處理器熱設(shè)計功耗（TDP）為170W，因此在BIOS中的PPT功耗墻默認(rèn)是170W，不過在開啟PBO功能后滿載功耗可能達(dá)到250W，需要手動提高功耗墻的數(shù)值以釋放更多性能。

在內(nèi)存界面中可設(shè)置FCLK頻率與內(nèi)存頻率，若是處理器體質(zhì)足夠好可將FCLK頻率適當(dāng)提高，一般來講6000MT/s頻率不會有壓力，部分體質(zhì)好的處理器能做到6400MT/s頻率也不用分頻，若是想挑戰(zhàn)高頻那可以嘗試上8000MT/s頻率，假如不熟悉內(nèi)存參數(shù)直接開啟EXPO一鍵超頻就行了。

在時序界面中提供時序小參調(diào)節(jié)選項，第二第三時序一般由主板自動調(diào)整，不知怎么調(diào)節(jié)全部Auto交給主板，只是給得過于保守，用戶也可手動優(yōu)化一下內(nèi)存時序，時序參數(shù)并不是固定值，內(nèi)存條與處理器體質(zhì)不一樣，對時序設(shè)定也有所不同，假如調(diào)高了內(nèi)存頻率或者時序，需要適當(dāng)提高內(nèi)存電壓，自行探索適合數(shù)值并穩(wěn)定通過壓力測試。

接下來測試BIOS更新后性能變化，內(nèi)存條選擇阿斯加特瓦爾基里Ⅱ代 DDR5 6000 C28 48GB內(nèi)存條，其配備厚度為2mm鋁金屬散熱片，表面采用白色立體烤漆工藝，頂部設(shè)計貫穿式RGB燈帶，搭載海力士M-die顆粒內(nèi)存條，支持AMD EXPO與Intel XMP超頻技術(shù)，6000MT/s CL28（EXPO）、6800MT/s CL32（XMP）。

內(nèi)存條JEDEC默認(rèn)頻率為5600MT/s，實測在該頻率下內(nèi)存讀取速度為58726MB/s，寫入速度為65182MB/s，復(fù)制速度為56297MB/s，延遲為117ns，內(nèi)存延遲確實挺高，當(dāng)在6000MT/s頻率CL28時序的EXPO狀態(tài)下，內(nèi)存讀取速度為71244MB/s，寫入速度為73505MB/s，復(fù)制速度為67216MB/s，延遲為86.3ns，速度提高不少，延遲也有所下降。

嘗試適度調(diào)整小參以及超頻，在6000MT/s頻率CL28時序基礎(chǔ)上調(diào)整了小參，內(nèi)存讀取速度為84000MB/s，寫入速度為88604MB/s，復(fù)制速度為76572MB/s，延遲為72.2ns，然后將內(nèi)存頻率提高至6200MT/s且不分頻，讀取速度為84707MB/s，寫入速度為90532MB/s，復(fù)制速度為77554MB/s，延遲為70.1ns。

結(jié)語：

藍(lán)寶石氮動B850M WIFI主板的新版BIOS，整體布局設(shè)計更加簡潔明了，各項參數(shù)應(yīng)有盡有且分類直觀清晰，確實跟以前大不一樣了，用蛻變?nèi)バ稳菀稽c也不過分，在BIOS易用性方面已經(jīng)不輸御三家，提供了三種運(yùn)行模式可選擇，處理器頻率電壓、內(nèi)存頻率時序等關(guān)鍵調(diào)節(jié)選項被放置在觸手可及的位置，可輕松實現(xiàn)更精細(xì)化調(diào)參，在內(nèi)存條與處理器體質(zhì)允許的情況下，完全可以手動調(diào)參小超一下，主板確實有實力能夠達(dá)到8000MT/s的內(nèi)存頻率，超頻后的效能提高明顯，進(jìn)一步釋放硬件性能。