聯(lián)華電子（UMC）可能獲得SLC和MLC閃存的代工訂單，但人才、工藝整合與開(kāi)發(fā)能力以及設(shè)備這三大關(guān)鍵制約因素仍未得到解決。

全球退出2D NAND閃存生產(chǎn)已不再是可能性，而是逐漸成為必然。隨著主要存儲(chǔ)器制造商退出該領(lǐng)域，供應(yīng)趨緊導(dǎo)致低容量芯片價(jià)格飆升。近期市場(chǎng)傳聞表明，聯(lián)華電子（UMC）可能獲得SLC和MLC閃存的代工訂單，如果這一消息成真，可能會(huì)擾亂日益集中的供應(yīng)格局。

然而，業(yè)內(nèi)高管告訴 DIGITIMES ，這種轉(zhuǎn)變面臨著巨大的挑戰(zhàn)。盡管近幾個(gè)月來(lái)，雙方已就閃存代工合作的潛在機(jī)會(huì)進(jìn)行了磋商，但人才、工藝整合與開(kāi)發(fā)能力以及設(shè)備這三大關(guān)鍵制約因素仍未得到解決。

價(jià)格飆升

自2026年初以來(lái)，NAND閃存價(jià)格一路飆升，漲幅甚至超過(guò)了DRAM。傳統(tǒng)MLC和SLC NAND的供應(yīng)缺口尤為嚴(yán)重，導(dǎo)致采用舊工藝節(jié)點(diǎn)制造的小容量產(chǎn)品價(jià)格飆升至此前水平的近十倍。下游企業(yè)報(bào)告稱，僅MLC NAND的價(jià)格在4月份就上漲了約30%。

在此背景下，有報(bào)道稱亞洲客戶已與聯(lián)電接洽，尋求閃存代工服務(wù)，這加劇了市場(chǎng)猜測(cè)。隨著MLC和SLC NAND閃存價(jià)格飆升，閃存代工業(yè)務(wù)至少?gòu)馁~面上看，似乎比成熟節(jié)點(diǎn)的邏輯芯片制造更具盈利潛力。

盡管如此，經(jīng)濟(jì)效益卻并非如此簡(jiǎn)單。現(xiàn)有的制造設(shè)備無(wú)法簡(jiǎn)單地重新利用；重新配置生產(chǎn)線或購(gòu)置新設(shè)備可能需要一到兩年的時(shí)間。鑒于目前二維NAND閃存供應(yīng)缺口的規(guī)模，這些努力在短期內(nèi)對(duì)緩解短缺收效甚微。

更深層次的挑戰(zhàn)在于結(jié)構(gòu)性問(wèn)題。潛在的知識(shí)產(chǎn)權(quán)授權(quán)方和NAND閃存制造商并不反對(duì)合作，但成功的技術(shù)轉(zhuǎn)讓需要經(jīng)驗(yàn)豐富的生產(chǎn)商提供實(shí)際操作支持。而這種專業(yè)技術(shù)如今十分稀缺。曾經(jīng)專注于調(diào)校2D NAND設(shè)備的工程師大多已經(jīng)退休、離開(kāi)行業(yè)或轉(zhuǎn)行到3D NAND領(lǐng)域。與此同時(shí)，存儲(chǔ)器制造商正優(yōu)先開(kāi)發(fā)先進(jìn)的3D NAND以滿足人工智能服務(wù)器的需求，幾乎沒(méi)有剩余產(chǎn)能來(lái)支持傳統(tǒng)技術(shù)。

聯(lián)電自身也面臨著巨大的學(xué)習(xí)挑戰(zhàn)。盡管多年前就已投資于存儲(chǔ)器相關(guān)研發(fā)，且目前仍擁有可用的晶圓廠空間，但其核心競(jìng)爭(zhēng)力已與存儲(chǔ)器制造分道揚(yáng)鑣。重建工藝優(yōu)化和良率管理能力需要大量的時(shí)間和資金。如果聯(lián)電無(wú)法獨(dú)立協(xié)助客戶進(jìn)行工藝開(kāi)發(fā)和集成，任何代工合作都將收益有限。

設(shè)備是另一個(gè)瓶頸。國(guó)際制造商使用的許多老舊設(shè)備在過(guò)去的升級(jí)改造中已被出售或拆除。即使能夠找到舊設(shè)備，備件和維護(hù)方面的專業(yè)知識(shí)也越來(lái)越難以獲得。鎧俠指出，2D NAND 等產(chǎn)品的停產(chǎn)并非由于產(chǎn)能轉(zhuǎn)向人工智能，而是由于維護(hù)老舊設(shè)備的高昂成本和運(yùn)營(yíng)挑戰(zhàn)。

如果聯(lián)電要用新設(shè)備重建產(chǎn)能，它將面臨截然不同的生產(chǎn)環(huán)境，需要進(jìn)行新一輪的試驗(yàn)和研發(fā)。這給投資回報(bào)帶來(lái)了很大的不確定性。雖然集成電路設(shè)計(jì)公司對(duì)這類合作表現(xiàn)出濃厚的興趣，但它們對(duì)晶圓廠級(jí)制造的了解有限，這進(jìn)一步增加了合作的復(fù)雜性。就目前而言，短期內(nèi)通過(guò)技術(shù)轉(zhuǎn)讓實(shí)現(xiàn)二維NAND閃存的大規(guī)模代工生產(chǎn)似乎不太可能。

UMC的價(jià)格調(diào)整

聯(lián)電拒絕就市場(chǎng)傳聞置評(píng)。但該公司已通知客戶和合作伙伴，計(jì)劃于2026年下半年上調(diào)產(chǎn)品價(jià)格。聯(lián)電表示，通信、工業(yè)、消費(fèi)電子和人工智能相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域的需求依然強(qiáng)勁，但原材料、能源和物流成本也在不斷上漲。

據(jù)供應(yīng)鏈消息人士透露，此次價(jià)格調(diào)整將同時(shí)適用于8英寸和12英寸晶圓?；诩s三個(gè)半月的生產(chǎn)周期，預(yù)計(jì)4月份的訂單將反映新的價(jià)格。8英寸晶圓的價(jià)格漲幅可能在10%至15%之間，而采用80nm、55nm和40nm等工藝節(jié)點(diǎn)的12英寸晶圓的價(jià)格漲幅可能在5%至10%之間，具體漲幅取決于客戶的訂單規(guī)模。

由于此次漲價(jià)在很大程度上抵消了成熟工藝節(jié)點(diǎn)此前的價(jià)格下降，而且一些芯片制造商已經(jīng)簽訂了長(zhǎng)期協(xié)議，因此短期影響預(yù)計(jì)有限。然而，隨著時(shí)間的推移，更高的成本很可能會(huì)轉(zhuǎn)嫁到供應(yīng)鏈的各個(gè)環(huán)節(jié)。

AI壓縮技術(shù)無(wú)法緩解內(nèi)存短缺，NAND閃存短缺問(wèn)題仍將持續(xù)。人工智能驅(qū)動(dòng)的需求正在加劇全球內(nèi)存供應(yīng)緊張，導(dǎo)致NAND閃存和服務(wù)器DRAM出現(xiàn)短缺、價(jià)格上漲和產(chǎn)能受限的情況。預(yù)計(jì)到2026年，服務(wù)器內(nèi)存需求將增長(zhǎng)超過(guò)40%，占總存儲(chǔ)使用量的一半以上。

盡管有人擔(dān)心谷歌的TurboQuant壓縮技術(shù)可能會(huì)抑制需求，但業(yè)內(nèi)高管表示，這種影響被夸大了。群聯(lián)電子CEO潘錦燮預(yù)計(jì)NAND閃存短缺的情況將持續(xù)，不會(huì)緩解。

大普商店CEO楊亞飛表示，人工智能推理工作負(fù)載正呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。雖然效率提升可能會(huì)緩解部分供應(yīng)鏈的壓力，但部署成本的降低預(yù)計(jì)將推動(dòng)更廣泛的應(yīng)用和更高的總體需求。阿里云Qwen LLM高級(jí)產(chǎn)品解決方案架構(gòu)師李斌表示，壓縮可以減少單個(gè)任務(wù)的使用量，但無(wú)法抵消模型上下文和推理規(guī)模的快速擴(kuò)張，這持續(xù)推高整體存儲(chǔ)需求。

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