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眾所周知，日本在半導(dǎo)體上游材料與設(shè)備領(lǐng)域長(zhǎng)期握有絕對(duì)的話語(yǔ)權(quán)。然而，隨著 AI 浪潮進(jìn)入全速爆發(fā)期，韓國(guó)半導(dǎo)體勢(shì)力正憑借其激進(jìn)的資本意志與“全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合”優(yōu)勢(shì)，發(fā)起一場(chǎng)蓄謀已久的突圍戰(zhàn)：從三星電機(jī)與 LG 巨資豪賭 FC-BGA，到 MLCC 市場(chǎng)的步步緊逼，再到光刻膠與核心設(shè)備領(lǐng)域的硬核破局。韓國(guó)正精準(zhǔn)切入日本廠商的傳統(tǒng)腹地，那些曾被視為日企堅(jiān)實(shí)“自留地”的領(lǐng)域，正被韓國(guó)撕開(kāi)一道道深層的口子。

FC-BGA：韓國(guó)打響“封裝反攻戰(zhàn)”

根據(jù)彭博社4月14日的消息，三星電機(jī)擬向其越南制造子公司投資12億美元（約1.8萬(wàn)億韓元），用于擴(kuò)建高附加值封裝基板——FC-BGA（倒裝芯片球柵格陣列）的產(chǎn)能。自2024年起，三星電機(jī)已在越南工廠啟動(dòng)FC-BGA量產(chǎn)，并逐步將其定位為AI與數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)的關(guān)鍵增長(zhǎng)引擎。

在半導(dǎo)體江湖的傳統(tǒng)認(rèn)知中，基板曾長(zhǎng)期被稱為芯片的“支架”或“底座”，屬于技術(shù)含量遠(yuǎn)遜于核心邏輯芯片的輔助部件。然而，2026年AI浪潮的爆發(fā)徹底重構(gòu)了這一價(jià)值鏈。隨著GPU、AI ASIC等大芯片的尺寸不斷擴(kuò)大、I/O密度持續(xù)攀升、信號(hào)速率邁向112G/224G甚至更高水平，基板不再只是“承載”，而成為連接芯片與系統(tǒng)之間的高速互連核心與電氣性能邊界。

具體來(lái)看，F(xiàn)C-BGA在AI系統(tǒng)中的關(guān)鍵作用體現(xiàn)在三個(gè)層面：其一，是支撐大規(guī)模I/O互連能力，單顆AI芯片往往需要數(shù)千乃至上萬(wàn)引腳，對(duì)應(yīng)基板需要具備更高層數(shù)（通常20層以上）、更細(xì)線寬/線距（逼近類IC級(jí)工藝）；其二，是保障高速信號(hào)完整性，在高頻傳輸場(chǎng)景下，基板材料（尤其是ABF樹(shù)脂）、層間結(jié)構(gòu)與布線設(shè)計(jì)直接影響損耗、串?dāng)_與延遲；其三，是參與熱管理與功耗控制，高功耗AI芯片（單顆可達(dá)700W甚至更高）對(duì)基板的熱擴(kuò)散與機(jī)械穩(wěn)定性提出更高要求。因此，F(xiàn)C-BGA的技術(shù)難度，本質(zhì)上已經(jīng)逼近“準(zhǔn)芯片制造”。

正是在這一背景下，F(xiàn)C-BGA市場(chǎng)在近兩年出現(xiàn)結(jié)構(gòu)性緊張。高端ABF基板尤其是用于CPU/GPU的供給長(zhǎng)期緊缺，而中低端BT基板則相對(duì)飽和。根據(jù)富士嵌合體綜合研究所的數(shù)據(jù)，全球FC-BGA市場(chǎng)規(guī)模將從2022年的約80億美元增長(zhǎng)至2030年的164億美元，實(shí)現(xiàn)翻倍增長(zhǎng)，而AI服務(wù)器與HPC成為最主要的需求驅(qū)動(dòng)力。

供需錯(cuò)配的直接體現(xiàn)，是產(chǎn)能長(zhǎng)期處于高負(fù)荷狀態(tài)。三星電機(jī)方面披露，其面向服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的FC-BGA產(chǎn)線幾乎滿載運(yùn)行，即便持續(xù)追加投資，仍難以滿足需求。公司總裁張德鉉在2026年3月的股東大會(huì)上直言：“需求超過(guò)產(chǎn)能50%以上”，這一表述從側(cè)面反映出AI時(shí)代封裝基板的真實(shí)緊缺程度。類似情況也出現(xiàn)在日本與中國(guó)臺(tái)灣廠商中——包括Ibiden、Shinko、Unimicron（欣興）、Nan Ya PCB（南亞電路板）等主力供應(yīng)商，其高端產(chǎn)能基本被英偉達(dá)、AMD、英特爾等客戶長(zhǎng)期鎖定。

據(jù)韓媒報(bào)道，三星電機(jī)已獲得英偉達(dá)AI推理專用芯片Groq3 語(yǔ)言處理單元（LPU）中使用的FC-BGA的一級(jí)供應(yīng)商（主要供應(yīng)商）地位，預(yù)計(jì)最早將于今年第二季度開(kāi)始量產(chǎn)。

除了三星，LG Innotek早在2022年宣布進(jìn)軍高附加值半導(dǎo)體基板FC-BGA業(yè)務(wù)，通過(guò)收購(gòu)LG電子的龜尾第四工廠，LG打造了代號(hào)為“Dream Factory”的高端基板制造基地。2024年2月，LG的FC-BGA已正式進(jìn)入批量生產(chǎn)階段，重點(diǎn)針對(duì)自動(dòng)駕駛、高性能計(jì)算（HPC）等日本廠商的傳統(tǒng)領(lǐng)地發(fā)起沖擊。

過(guò)去幾十年，封裝基板的天下一直由日本廠商占據(jù)——揖斐電（Ibiden）、新光電氣（Shinko）以及京瓷（Kyocera）三巨頭掌握著全球超過(guò)60%的市場(chǎng)。日本廠商的優(yōu)勢(shì)在于材料學(xué)的深厚底蘊(yùn)，以及與Intel、AMD等美系芯片大廠數(shù)十年的信任背書。然而，當(dāng)前的局勢(shì)正在發(fā)生顯著變化：面對(duì)AI浪潮，韓國(guó)廠商在資本開(kāi)支（CAPEX）上的決斷力遠(yuǎn)超相對(duì)穩(wěn)健的日本公司。而且韓國(guó)擁有SK海力士（HBM霸主）和三星電子（存儲(chǔ)+代工）兩座大山，基板廠商能夠與芯片設(shè)計(jì)、制造部門實(shí)時(shí)聯(lián)動(dòng)，從而在AI芯片迭代周期中占據(jù)先機(jī)。

MLCC：一場(chǎng)已經(jīng)打贏的仗

而MLCC，是韓國(guó)已經(jīng)打過(guò)的一場(chǎng)仗。

長(zhǎng)期以來(lái)，這一領(lǐng)域幾乎被日本企業(yè)所壟斷。以村田制作所為代表，日本廠商不僅在市場(chǎng)份額上占據(jù)主導(dǎo)，更在材料體系（高純陶瓷粉體）、電極配方、疊層與燒結(jié)工藝等核心環(huán)節(jié)建立了深厚壁壘，使得MLCC成為典型的“看似簡(jiǎn)單、實(shí)則極難”的產(chǎn)業(yè)。

但這一格局，在過(guò)去十年中逐步被打破。三星電機(jī)通過(guò)持續(xù)加碼研發(fā)與產(chǎn)線升級(jí)，已成長(zhǎng)為全球第二大MLCC廠商，并在多個(gè)細(xì)分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破：在中端消費(fèi)電子市場(chǎng)，已完成對(duì)日本廠商的替代；在高端領(lǐng)域，則持續(xù)向車規(guī)級(jí)與高容值方向推進(jìn)。例如，其已推出可在180°C以上高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行的車用MLCC，同時(shí)針對(duì)AI服務(wù)器與加速器開(kāi)發(fā)出具備更高電容密度、更低ESR（等效串聯(lián)電阻）與更小尺寸的產(chǎn)品，以適配高頻、高電流與瞬態(tài)負(fù)載變化劇烈的場(chǎng)景。

這一轉(zhuǎn)變的背后，是需求側(cè)結(jié)構(gòu)的深刻變化。隨著新能源汽車與自動(dòng)駕駛系統(tǒng)的快速普及，單車MLCC用量已從傳統(tǒng)燃油車的幾千顆提升至上萬(wàn)顆甚至更多，而在AI服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心中，高性能處理器與電源管理模塊對(duì)MLCC的需求也呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，尤其是在電源去耦與高頻濾波環(huán)節(jié)，對(duì)高容值、小尺寸產(chǎn)品的依賴顯著增強(qiáng)。這種“高端需求爆發(fā)+總量增長(zhǎng)”的雙重驅(qū)動(dòng)，使得MLCC市場(chǎng)從一個(gè)穩(wěn)定成熟的賽道，轉(zhuǎn)變?yōu)槌掷m(xù)擴(kuò)張且結(jié)構(gòu)升級(jí)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

韓國(guó)廠商能夠?qū)崿F(xiàn)追趕甚至局部超越，一個(gè)關(guān)鍵因素在于其將存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域積累的微細(xì)加工能力遷移至MLCC制造之中。無(wú)論是納米級(jí)材料控制、薄層沉積、精密對(duì)位，還是大規(guī)模量產(chǎn)過(guò)程中的良率管理，這些能力與DRAM/NAND的制造邏輯高度相似，使得三星電機(jī)在工藝迭代速度與規(guī)?；芰ι暇邆涮烊粌?yōu)勢(shì)。同時(shí)，其與三星電子在終端與系統(tǒng)層面的協(xié)同，也為產(chǎn)品驗(yàn)證與快速導(dǎo)入提供了閉環(huán)支撐。

從產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局來(lái)看，MLCC的變化具有典型的“先易后難”特征——韓國(guó)廠商先在中低端市場(chǎng)完成替代，通過(guò)規(guī)模與成本建立優(yōu)勢(shì)，再逐步向高端車規(guī)與AI場(chǎng)景滲透，縮小與日本廠商在材料與可靠性上的差距。盡管在極高端產(chǎn)品（如超高可靠性車規(guī)與特定工業(yè)級(jí)應(yīng)用）上，日本廠商仍具備領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，但整體市場(chǎng)結(jié)構(gòu)已經(jīng)發(fā)生根本性變化：從“日本主導(dǎo)”，轉(zhuǎn)向“日本+韓國(guó)雙強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)”。

光刻膠與設(shè)備：攻入日本的腹地”

基板和MLCC是韓國(guó)與日本在零部件層面的競(jìng)爭(zhēng)，但是在光刻膠（PR）和核心設(shè)備領(lǐng)域的發(fā)力，則是韓國(guó)針對(duì) 2019 年日韓貿(mào)易摩擦的一次長(zhǎng)達(dá)數(shù)年的“反擊戰(zhàn)”成果展示。

2019年的日韓貿(mào)易摩擦，當(dāng)時(shí)，日本對(duì)韓國(guó)實(shí)施關(guān)鍵半導(dǎo)體材料出口管制，其中就包括EUV光刻膠、高純氟化氫以及氟化聚酰亞胺，被業(yè)界稱為“卡住韓國(guó)半導(dǎo)體命脈的三件套”。這一事件直接觸發(fā)了韓國(guó)對(duì)于供應(yīng)鏈安全的系統(tǒng)性反思，也推動(dòng)其從全球制造中心向關(guān)鍵材料與設(shè)備自給體系轉(zhuǎn)型。

在光刻膠領(lǐng)域，日本長(zhǎng)期占據(jù)絕對(duì)主導(dǎo)地位。無(wú)論是ArF、KrF還是EUV光刻膠，其核心配方、分子設(shè)計(jì)與工藝適配能力，幾乎全部掌握在日本廠商手中，JSR、東京應(yīng)化（TOK）、信越化學(xué)構(gòu)成了難以撼動(dòng)的“三強(qiáng)格局”，其中EUV光刻膠更一度超過(guò)90%依賴日本供應(yīng)。這種高度集中，使得光刻膠不僅是一種材料，更是一種“工藝控制權(quán)”。

如今，韓國(guó) Dongjin Semichem（東進(jìn)世美肯） 與三星半導(dǎo)體深度協(xié)同驗(yàn)證，從最初的ArF光刻膠切入，逐步向更高分辨率與更復(fù)雜工藝推進(jìn)，并已在部分EUV光刻膠環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)驗(yàn)證。需要強(qiáng)調(diào)的是，光刻膠的突破并非單點(diǎn)技術(shù)攻關(guān)，而是“材料—曝光—顯影—刻蝕”全流程的系統(tǒng)匹配，這意味著只有與晶圓廠深度綁定，才能真正完成驗(yàn)證與迭代。在這一點(diǎn)上，三星的存在，為韓國(guó)材料廠商提供了極為關(guān)鍵的“內(nèi)生試驗(yàn)場(chǎng)”。

與此同時(shí)，SK集團(tuán)通過(guò)SK Materials持續(xù)擴(kuò)展其在半導(dǎo)體特種氣體與光刻輔助材料領(lǐng)域的布局，從高純前驅(qū)體到刻蝕氣體，再到清洗與輔助材料，逐步構(gòu)建起一個(gè)相對(duì)完整的本土供應(yīng)體系。

在晶圓制造設(shè)備領(lǐng)域，長(zhǎng)期以來(lái)，日本在非EUV設(shè)備領(lǐng)域擁有極強(qiáng)優(yōu)勢(shì)，東京電子（TEL）、SCREEN、日立高新等企業(yè)在涂膠顯影、清洗、刻蝕與檢測(cè)等關(guān)鍵環(huán)節(jié)占據(jù)主導(dǎo)地位，構(gòu)成了先進(jìn)制程不可或缺的“設(shè)備骨架”。

韓國(guó)廠商在設(shè)備領(lǐng)域的策略是從細(xì)分賽道切入，逐步向核心環(huán)節(jié)滲透。

在前道設(shè)備領(lǐng)域，SEMES（三星控股）與Jusung Engineering已經(jīng)在清洗、ALD（原子層沉積）等關(guān)鍵工藝設(shè)備上取得突破，部分產(chǎn)品在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)中實(shí)現(xiàn)導(dǎo)入，其競(jìng)爭(zhēng)力不僅體現(xiàn)在性能指標(biāo)上，更體現(xiàn)在與三星產(chǎn)線的高度協(xié)同與快速迭代能力上。

而在后道封裝設(shè)備領(lǐng)域，韓國(guó)則在AI時(shí)代抓住了新的機(jī)會(huì)窗口。隨著HBM與先進(jìn)封裝需求的爆發(fā)，熱壓縮鍵合（TC Bonding）成為關(guān)鍵工藝之一。Hanmi Semiconductor在這一領(lǐng)域快速崛起，其TC Bonder設(shè)備已被SK海力士與美光等主流存儲(chǔ)廠商采用，成為HBM堆疊中的核心設(shè)備之一。在這一細(xì)分賽道上，韓國(guó)廠商甚至實(shí)現(xiàn)了對(duì)日本與部分歐美廠商的反超。

雖然日本依然強(qiáng)大——它仍然定義著材料科學(xué)的上限、精密制造的極致，以及高端設(shè)備的工藝標(biāo)準(zhǔn)；但在大規(guī)模投資的速度和系統(tǒng)級(jí)集成能力上，韓國(guó)廠商表現(xiàn)出了更強(qiáng)的侵略性。日本構(gòu)建的材料和設(shè)備“帝國(guó)”，正在被撬動(dòng)。而AI，正是這場(chǎng)遷移的最大催化劑。

*免責(zé)聲明：本文由作者原創(chuàng)。文章內(nèi)容系作者個(gè)人觀點(diǎn)，半導(dǎo)體行業(yè)觀察轉(zhuǎn)載僅為了傳達(dá)一種不同的觀點(diǎn)，不代表半導(dǎo)體行業(yè)觀察對(duì)該觀點(diǎn)贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯(lián)系半導(dǎo)體行業(yè)觀察。

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