2026年一季度，長(zhǎng)江存儲(chǔ)單季收入突破200億元，同比實(shí)現(xiàn)翻倍增長(zhǎng)，其NAND閃存芯片全球市場(chǎng)份額已跨越10%門檻，這個(gè)業(yè)績(jī)直逼全球前三。

2026年開年以來(lái)，存儲(chǔ)芯片價(jià)格進(jìn)入超級(jí)上漲周期，NAND閃存漲幅達(dá)70%，DRAM內(nèi)存更是飆升90%-95%，行業(yè)巨頭SK海力士明確表示全年價(jià)格不會(huì)回調(diào)。

與此同時(shí)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)憑借獨(dú)創(chuàng)的Xtacking架構(gòu)，將294層3DNAND芯片讀取速度帶到7400MB/s，并且做到部分指標(biāo)超越三星等國(guó)際巨頭，產(chǎn)品全面進(jìn)入華為、小米、浪潮等頭部企業(yè)供應(yīng)鏈。

在年內(nèi)建成一座新廠的基礎(chǔ)上，公司已敲定再建兩座晶圓廠，三座新廠全面投產(chǎn)后每座月產(chǎn)能達(dá)10萬(wàn)片，總產(chǎn)能將翻一番以上，月產(chǎn)能有望突破50萬(wàn)片大關(guān)，目前這些工廠的建筑主體已基本竣工。

當(dāng)前長(zhǎng)江存儲(chǔ)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率已從0提升至45%，新建產(chǎn)線計(jì)劃突破50%的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。這一轉(zhuǎn)型不僅保障供應(yīng)鏈安全，更將帶動(dòng)整條本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈同步放量，為國(guó)內(nèi)設(shè)備和材料廠商提供千億級(jí)市場(chǎng)空間，形成"一榮俱榮"的產(chǎn)業(yè)生態(tài)效應(yīng)。

市場(chǎng)環(huán)境正為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)提供絕佳的替代窗口。海外供應(yīng)商受地緣政治影響擴(kuò)產(chǎn)態(tài)度謹(jǐn)慎，部分產(chǎn)品交付周期延長(zhǎng)至6個(gè)月以上，而長(zhǎng)江存儲(chǔ)憑借穩(wěn)定的供貨能力和不斷提升的產(chǎn)品質(zhì)量，正從"低價(jià)換市場(chǎng)"的被動(dòng)局面轉(zhuǎn)向"品質(zhì)贏市場(chǎng)"的主動(dòng)競(jìng)爭(zhēng)。

還有一點(diǎn)，2026年初美國(guó)國(guó)防部將長(zhǎng)江存儲(chǔ)和長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)移出"黑名單"，為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)進(jìn)入全球主流市場(chǎng)掃清了關(guān)鍵障礙。

產(chǎn)業(yè)鏈核心人士透露，隨著擴(kuò)產(chǎn)效應(yīng)的顯現(xiàn)和價(jià)格上漲周期的延續(xù)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)未來(lái)利潤(rùn)可能出現(xiàn)10倍級(jí)增長(zhǎng)潛力，當(dāng)前長(zhǎng)江存儲(chǔ)產(chǎn)能利用率已達(dá)95%，新建產(chǎn)線將在2026-2027年陸續(xù)釋放，疊加存儲(chǔ)芯片超級(jí)周期的持續(xù)，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)正站在利潤(rùn)爆發(fā)的臨界點(diǎn)上。