真正的破局，從來不是跟隨別人，而是制定規(guī)則。

根據(jù)澎湃新聞等媒體報道，繼復(fù)旦團隊在不依賴先進EUV光刻前提下，成功推出全球 首款二維芯片“無 極”后，近日首條用于生產(chǎn)該半導(dǎo)體的示范工藝線已正式運行，今年9月就能小批量制造，4年內(nèi)有望產(chǎn)出媲美當前頂 尖1nm的成果。

這枚集成約5900個晶體管的半導(dǎo)體，運行更快、功耗更低，還將突破摩爾定律，標志著我國在解決“卡脖”難題上迎來新里程碑。

在半導(dǎo)體領(lǐng)域，摩爾定律始終是一個繞不開的話題。

通俗來講，該理論是指在成本不變的情況下，可容納的晶體管數(shù)目，每28-24個月就會增加一倍，性能也會翻上一番。然而，隨著當前晶體管尺寸已逼近物理極限，制造難度和成本呈指數(shù)級升級。

在此背景下，比蟬翼薄上千倍、器件結(jié)構(gòu)更簡單的二維半導(dǎo)體材料，成為解決這一難題的關(guān)鍵方向。不過知易行難。此前臺積電嘗試使用同一種材料二硒化鎢進行制作，結(jié)果性能極差且良率極低。

研究員包文中表示，如果想把這一材料組裝成具有幾千個晶體管的完整電路，難度堪比“在豆腐上雕花”。

不過科學(xué)家并未打退堂鼓。此次由復(fù)旦歷時10余年推出的“無極”芯片，厚度僅0.7nm，約是頭發(fā)絲直徑的十萬分之一，卻集成5900個晶體管，是國際最 高水平的50多倍，芯片級良率更是高達99.8%。

更關(guān)鍵的是，該成果繞開了外國先進技術(shù)，靠國產(chǎn)設(shè)備就能制造，從根源上排除了西方的卡脖風險；從材料到量產(chǎn)的全產(chǎn)業(yè)鏈布局，則進一步為產(chǎn)業(yè)化鋪平道路。

隨著此次投入運行，一旦核心工藝規(guī)模化推廣，應(yīng)用場景廣闊：應(yīng)用于衛(wèi)星，其壽命可延長至271年；無人機則能像"永動機"一樣自主飛行執(zhí)行任務(wù)……

半導(dǎo)體突飛猛進之際，放眼望去，其他領(lǐng)域同樣百花齊放。我們已成為AI專 利最 大擁有國；光伏發(fā)電裝機占全球近一半；在研新藥數(shù)量占全球超20%；上述種種，無一不證明，我們的科學(xué)家不但善于突破西方做到的，還能實現(xiàn)他人達不到的。

2026自然指數(shù)顯示，我國蟬聯(lián)全球首位，貢獻份額有望在未來兩年達美兩倍；全球科研機構(gòu)前十名中，拿下9席，科研實力領(lǐng) 先態(tài)勢持續(xù)擴大。

同一時間，科技行業(yè)，二維芯片關(guān)鍵進展無疑為國人注入了更加強大信心。需要注意的是，研究者客觀指出，二維半導(dǎo)體材料的缺陷依然比較多，材料還需要協(xié)同優(yōu)化。

為此，研發(fā)團隊創(chuàng)新性采用“原子級界面精準調(diào)控+全流程AI算法優(yōu)化”雙引擎技術(shù)，大幅提升實驗效率和工藝穩(wěn)定性。隨著二維半導(dǎo)體邁出產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵一步，“我們有理由相信，二維半導(dǎo)體的器件性能可以在較短時間內(nèi)追上硅基，最終形成長期共存、應(yīng)用互補的局面?！?/strong>

當下，面對著國際環(huán)境的不確定性，科學(xué)家秉承造福于人的原則，正通過一系列技術(shù)突圍，重新為世界注入一份確定性。這既是中國之幸，更是人類之幸。