01 產(chǎn)業(yè)鏈全景圖

02 存儲及分類

存儲產(chǎn)品就是用來臨時或永久保存數(shù)據(jù)的硬件組件，我們可以根據(jù)核心技術(shù)、性能特征和應(yīng)用場景，把它系統(tǒng)地分成幾大類：嵌入式存儲、固態(tài)硬盤（SSD）、內(nèi)存模組、LPDDR，還有可移動存儲。

其中NAND、DRAM則是當(dāng)下最受關(guān)注的，通俗來講：

DRAM 是電腦和手機(jī)里的運行內(nèi)存，負(fù)責(zé)臨時存放數(shù)據(jù)，速度快但斷電就清空，類似工作時的桌面，支撐設(shè)備實時運算。

NAND Flash 則是存儲內(nèi)存，用于長期保存文件、照片和系統(tǒng)，斷電數(shù)據(jù)不丟失，類似存放資料的倉庫。

03 【存儲行業(yè)需求】現(xiàn)狀

03-1、下游總需求

AI 需求持續(xù)增長：生成式 AI 技術(shù)迭代推動 AI 訓(xùn)練與推理需求爆發(fā)，AI 正深度滲透各下游領(lǐng)域，廠商與云端設(shè)施加速向 AI 端側(cè)轉(zhuǎn)型，AI 服務(wù)器成為存儲需求核心，重塑市場格局。

存儲下游需求分化：據(jù)佰維存儲招股書及相關(guān)機(jī)構(gòu)，2025-2029 年全球存儲市場規(guī)模將擴(kuò)大；AI 端側(cè)存儲復(fù)合增速 36.4%，AI 服務(wù)器存儲年化增速 14.1%；傳統(tǒng)消費電子存儲受價格上漲與供應(yīng)短缺影響，規(guī)模及占比將下滑。

存儲行業(yè)存在 8-10 年的需求驅(qū)動長周期，從 PC 時代、智能手機(jī)時代到當(dāng)前 AI 時代，均遵循 “新需求出現(xiàn)后逐步普及、滲透率持續(xù)提升” 的規(guī)律。

下游產(chǎn)品與技術(shù)創(chuàng)新催生新增需求時，存儲廠商會增資擴(kuò)產(chǎn)以擴(kuò)大銷量；若下游需求不及預(yù)期，廠商則會通過降價去庫存、主動縮減產(chǎn)能來收縮供給，市場供需形成循環(huán)往復(fù)的周期。

同時，存儲芯片技術(shù)升級與投資周期緊密綁定，原廠擴(kuò)產(chǎn)需要高額資本投入且技術(shù)壁壘極高，因此廠商通常會選擇規(guī)?；a(chǎn)的方式來更好地實現(xiàn)盈利。

03-2、AI加碼需求

本輪存儲超級周期的核心驅(qū)動力是 AI 大模型超預(yù)期迭代升級，由此帶來海量數(shù)據(jù)存儲、處理與檢索需求。

生成式 AI 快速迭代推動數(shù)據(jù)量和 Token 呈指數(shù)級增長，存儲產(chǎn)品作為數(shù)據(jù)中心核心載體，直接拉高了對 HBM、DRAM、NAND 等存儲介質(zhì)的需求，開啟新一輪存儲超級需求周期。

據(jù) Open Router 數(shù)據(jù)，2026 年 2 月全球主要大模型消耗的 Token 量是 2025 年同期的 10 倍及以上，凸顯出旺盛的算力與存儲需求；

03-3、大廠持續(xù)推動

2025 年第二季度以來，谷歌、字節(jié)等海內(nèi)外巨頭的日均 Token 處理量增速顯著加快，反映出全球 AI 應(yīng)用正從 “文本對話” 向 “多模態(tài)交互” 演進(jìn)，Token 處理量的指數(shù)級增長直接驅(qū)動了算力與存儲需求。

同時，全球互聯(lián)網(wǎng)巨頭正加速算力基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，2025 年主要云服務(wù)廠商（CSP）合計資本支出約 4000 億美元，預(yù)計 2026 年將增長 25% 至約 5000 億美元，算力軍備競賽持續(xù)升溫。

03-4、數(shù)據(jù)中心成為一大需求

生成式 AI 持續(xù)迭代，在 AI agent、多模態(tài)應(yīng)用與原生視頻技術(shù)推動下，全球數(shù)據(jù)呈指數(shù)級增長，直接引爆數(shù)據(jù)中心存儲需求。

單條多模態(tài)任務(wù)數(shù)據(jù)量從 KB 級躍升至 GB/TB 級別，長上下文推理和實時視頻流處理對存儲帶寬與容量提出極致要求。

同時，多模態(tài)應(yīng)用迎來爆發(fā)，Sora2、Seedance2.0 等視頻生成模型實現(xiàn)技術(shù)飛躍；字節(jié)的 Seedance2.0 支持多模態(tài)輸入，其生成的 10 分鐘長視頻體積超 10GB，10 秒視頻消耗的 Token 是文本生成的數(shù)十倍，進(jìn)一步推高算力與存儲需求。

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04 【存儲行業(yè)供給】現(xiàn)狀

存儲行業(yè)的周期性波動本質(zhì)是供給驅(qū)動的自我修正，產(chǎn)能建設(shè)滯后導(dǎo)致 “供不應(yīng)求” 與 “供過于求” 交替，行業(yè)重復(fù) “復(fù)蘇 — 擴(kuò)張 — 頂峰 — 衰退” 循環(huán)。

復(fù)蘇擴(kuò)張階段，需求回暖、庫存耗盡、價格回升，廠商啟動擴(kuò)產(chǎn)；

頂峰過剩階段，1-2 年后產(chǎn)能集中釋放，供過于求，價格下跌，行業(yè)衰退；

衰退去庫存階段，價格與利潤承壓，企業(yè)縮減開支、減產(chǎn)清庫存；

筑底復(fù)蘇階段，供給收縮疊加需求增長，供需逆轉(zhuǎn)，庫存回落后價格反彈，開啟新周期。

04-1、全行業(yè)供給

據(jù) TrendForce，2026 年全球 DRAM 資本支出預(yù)計 613 億美元（年增 14%），NAND Flash 為 222 億美元（年增 55%）。

歷經(jīng)多輪周期，廠商擴(kuò)產(chǎn)趨于保守，新增資本主要用于 HBM4、3D NAND 等技術(shù)升級，而非單純擴(kuò)產(chǎn)。同時，新建存儲晶圓廠需 1.5-2 年，新增產(chǎn)能 2027 年底才釋放，且工藝、潔凈室等瓶頸導(dǎo)致擴(kuò)產(chǎn)難度大，潔凈室建設(shè)周期遠(yuǎn)跟不上 AI/HBM 需求爆發(fā)。

04-2、核心廠商供應(yīng)

從 2023 年第一季度開始，AI 需求冒頭，存儲行業(yè)就開始回暖，美光、海力士這些大廠的貨賣得更快了，手里的庫存明顯變少；到 2025 年第二季度，隨著 AI 推理和多模態(tài)應(yīng)用爆發(fā)，存儲原廠的庫存更是加速見底。

現(xiàn)在全球云服務(wù)廠商都在搶著建算力基礎(chǔ)設(shè)施，存儲市場一直供不應(yīng)求，部分原廠 2026 年的高端產(chǎn)能早就被提前訂光了，供應(yīng)一直很緊張。

根據(jù)海力士、美光、三星的交流，現(xiàn)在 DRAM 和 NAND 的庫存已經(jīng)是歷史最低，平均只夠賣 3 到 5 周，屬于極度緊缺的狀態(tài)，短期沒法快速增產(chǎn)，所以這些原廠在談判里特別有話語權(quán)。

中游的存儲模組廠，2023 年時庫存都壓得很低，到 2024-2025 年存儲行業(yè)進(jìn)入上行周期，這些廠就開始主動 “補(bǔ)庫存”；尤其是 2025 年二季度存儲價格大漲后，大家都舍不得賣貨，手里庫存的總金額漲了，但實際的模組數(shù)量還是維持在偏低又穩(wěn)定的水平。

具體到廠商，江波龍走 “長期合約 + 現(xiàn)貨采購” 的路子，在晶圓顆粒價格便宜時用長約鎖產(chǎn)能，讓庫存增長剛好匹配需求，2024 年二季度至今它的庫存絕對值明顯提升。

而德明利在存儲顆粒漲價周期里，備貨更激進(jìn)，庫存的漲幅比江波龍要大得多。

05 DRAM（動態(tài)隨機(jī)存儲器）

05-1、市場規(guī)模

AI 需求爆發(fā)是 DRAM 市場復(fù)蘇的核心驅(qū)動力。從 2023 年第一季度起，AI 算力需求持續(xù)攀升，帶動 DRAM 和 NAND 市場逐步回暖并加速增長；后續(xù)隨著 AI 推理、多模態(tài)等應(yīng)用爆發(fā)，AI 服務(wù)器對 HBM、DDR5 等高端 DRAM 的需求更是迎來爆發(fā)式增長。

最新的市場規(guī)模預(yù)測情況如下所示，2025年中期以來，多模態(tài)和視頻生成需求徹底引爆，算力與存儲需求猛增，HBM 和 DDR5 供不應(yīng)求，全行業(yè)進(jìn)入搶貨格局，連 DDR4、DDR3 都跟著漲價，DRAM 全系產(chǎn)品價格飆升，市場規(guī)模大幅擴(kuò)大。

05-2、行業(yè)格局

存儲行業(yè)的原廠格局高度集中，形成了典型的 “三巨頭” 局面，這是因為這個行業(yè)技術(shù)壁壘極高、需要巨額資本投入、生態(tài)綁定緊密，還得靠規(guī)模效應(yīng)才能盈利，多重門檻把新玩家擋在了門外。

具體到 DRAM 市場，三星、SK 海力士、美光三家更是形成了絕對壟斷，合計市占率超過 91%。截至 2025 年第三季度，三星占 34.8%，SK 海力士占 34.4%，美光占 22.4%，剩下的南亞科技、華邦電子等廠商份額加起來才 2% 出頭。

從三家大廠的策略來看，它們都把重心放在高端產(chǎn)能上，積極擴(kuò)產(chǎn) HBM 和先進(jìn) DRAM，而對 DDR4、DDR3 這些低端產(chǎn)品的產(chǎn)能擴(kuò)張則持謹(jǐn)慎態(tài)度，不會輕易加碼。

05-3、價格上漲，HBM發(fā)展

當(dāng)前存儲市場的核心邏輯是高端需求爆發(fā)、長期缺貨，中低端與消費級供給被壓縮，進(jìn)而帶動價格補(bǔ)漲。

高端 HBM 和 DDR5：從 2023 年第一季度起，多模態(tài)、視頻生成等 AI 應(yīng)用爆發(fā)式增長，AI 服務(wù)器對 HBM、DDR5 這類高端 DRAM 的需求急劇攀升；疊加英偉達(dá)等巨頭提前鎖定產(chǎn)能，DDR5 和 HBM 持續(xù)供不應(yīng)求，價格一路飛漲。

中低端 DDR4 和 DDR3：在這輪漲價周期中，原廠將大量先進(jìn)產(chǎn)能轉(zhuǎn)向 HBM 與 DDR5，直接擠壓了 DDR4、DDR3 的產(chǎn)能空間；同時，原廠減產(chǎn)部分消費級和低端芯片的消息，引發(fā)下游 ODM、模組廠及經(jīng)銷商恐慌性囤貨，推動價格暴漲。中長期來看，DDR4/DDR3 利潤微薄，大廠不愿投入資本擴(kuò)產(chǎn)，短期產(chǎn)能缺口將持續(xù)存在。

現(xiàn)在三星、SK 海力士、美光這三大存儲巨頭，都把 HBM4 當(dāng)成核心發(fā)力點，在技術(shù)、產(chǎn)能、客戶、資本四個維度上展開全面競賽。目前像 Rubin 這樣的 AI 平臺，已經(jīng)有了千億級別的 HBM 訂單。從當(dāng)前格局來看，SK 海力士暫時領(lǐng)先，三星正強(qiáng)勢反攻，美光也在全力追趕。

06 NAND（閃存）

06-1、市場規(guī)模

從 2025 年第二季度至今，AI 多模態(tài)和推理需求爆發(fā)，帶動企業(yè)級 SSD 需求猛增，可三大存儲廠卻把原本給 NAND Flash 的產(chǎn)能，切去了 HBM 和 DDR4/DDR3，這直接導(dǎo)致 NAND 出現(xiàn)結(jié)構(gòu)性短缺，價格全面上漲。

以閃迪為例，2025 年 4 月首次官宣全渠道、全消費類產(chǎn)品統(tǒng)一漲價 10%，還預(yù)告會按季度調(diào)整價格，2025 年下半年 NAND 現(xiàn)貨價格持續(xù)走高，廠家也在不斷上調(diào)合約價格。

06-2、最新格局

存儲行業(yè)（尤其是 DRAM、NAND、HBM）呈現(xiàn)高度集中的三巨頭格局，源于技術(shù)壁壘高、資本投入大、生態(tài)綁定深、規(guī)模效應(yīng)顯著等多重門檻。

NAND 領(lǐng)域則是五巨頭寡頭壟斷，合計占約 90% 市場份額；2025 年第三季度，三星（29.1%）、SK 海力士（19.2%）、鎧俠（16.5%）、閃迪（12.5%）、美光（12.2%）分列前五。

當(dāng)前，三星、美光、SK 海力士這三大原廠對 NAND 的產(chǎn)能擴(kuò)張都很謹(jǐn)慎，更多把資源集中在 DRAM 擴(kuò)產(chǎn)和 NAND 自身的技術(shù)升級上，彼此間形成了相對默契的步調(diào)。

06-3、技術(shù)發(fā)展

NAND 技術(shù)迭代核心有兩點：一是 3D NAND 堆疊層數(shù)與位密度（單位面積存儲量）同步提升，帶動存儲容量擴(kuò)容；二是下一代技術(shù)聚焦堆疊層數(shù)演進(jìn)、W2W 鍵合，其中混合鍵合是核心，可實現(xiàn)更高密度、更低功耗的芯片互聯(lián)。

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