截至2026年3月12日14點(diǎn)28分，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）下跌1.56%，半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）下跌1.91%。熱門個(gè)股方面，金宏氣體領(lǐng)漲10.96%，新益昌上漲2.25%，天岳先進(jìn)上漲2.20%，拓荊科技領(lǐng)跌5.42%，富創(chuàng)精密下跌4.64%，華興源創(chuàng)下跌3.57%。

流動(dòng)性方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF盤中換手6.11%，成交5.18億元；半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏盤中換手4.36%，成交1.17億元。規(guī)模方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF近1月規(guī)模增長(zhǎng)3.81億元，實(shí)現(xiàn)顯著增長(zhǎng)，新增規(guī)模領(lǐng)先同類；半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏近1月規(guī)模增長(zhǎng)2576.13萬元，實(shí)現(xiàn)顯著增長(zhǎng)。

資金流入方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF最新資金凈流入6033.73萬元。拉長(zhǎng)時(shí)間看，近5個(gè)交易日內(nèi)有4日資金凈流入，合計(jì)”吸金”1.86億元，日均凈流入達(dá)3716.42萬元；半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏近7天獲得連續(xù)資金凈流入，最高單日獲得1.27億元凈流入，合計(jì)“吸金”2.90億元，日均凈流入達(dá)4140.44萬元。

消息面上，華碩聯(lián)席CEO在近期線上法人說明會(huì)中指出，由于上游DRAM廠商擴(kuò)產(chǎn)周期較長(zhǎng)，新增產(chǎn)能預(yù)計(jì)最快要到2027年底才能上市，這意味著內(nèi)存供應(yīng)緊張的局面可能持續(xù)兩年。為了確保產(chǎn)品出貨穩(wěn)定，華碩正與多家內(nèi)存供應(yīng)商商討簽署3至5年的長(zhǎng)期采購(gòu)協(xié)議，力求在較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)鎖定價(jià)格，控制成本波動(dòng)。目前內(nèi)存價(jià)格已較2024年第四季度翻倍，待現(xiàn)有低價(jià)庫(kù)存消化完畢后，華碩將不得不提高相關(guān)終端產(chǎn)品的售價(jià)。

西南證券認(rèn)為，需求爆發(fā)&供給剛性，價(jià)格持續(xù)上漲，存儲(chǔ)迎來超級(jí)周期。1）AI大模型技術(shù)超預(yù)期迭代升級(jí)，全球Token消耗量爆發(fā)式增長(zhǎng)，由此帶來海量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、處理和檢索需求，存儲(chǔ)行業(yè)迎來超級(jí)景氣周期。2）海外三大原廠將有限產(chǎn)能向高利潤(rùn)HBM和DDR5產(chǎn)品傾斜，對(duì)消費(fèi)級(jí)和低端存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能造成嚴(yán)重?cái)D壓，供需缺口擴(kuò)大。3）存儲(chǔ)原廠在上輪周期產(chǎn)能和資本開支過度后，本輪周期擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作均較為謹(jǐn)慎；且高端HBM存儲(chǔ)芯片存在潔凈室建設(shè)周期長(zhǎng)，良率爬坡困難等問題，短期供給持續(xù)偏緊。在需求爆發(fā)&供給剛性的背景下，據(jù)CFM閃存市場(chǎng)預(yù)計(jì)，2026年存儲(chǔ)價(jià)格整體仍將延續(xù)上漲。

相關(guān)ETF：科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）及其聯(lián)接基金（A類：024417；C類：024418）：跟蹤指數(shù)是科創(chuàng)板唯一的半導(dǎo)體設(shè)備主題指數(shù)，其中先進(jìn)封裝含量在全市場(chǎng)中最高（約50%），聚焦于科技創(chuàng)新前沿的硬核設(shè)備公司。

半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）及其聯(lián)接基金（A類：020356；C類：020357），跟蹤中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，其中半導(dǎo)體設(shè)備的含量在全市場(chǎng)指數(shù)中最高（約63%），直接受益于全球芯片漲價(jià)潮對(duì)“賣鏟人”（設(shè)備商）的確定性需求。